本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术：
1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如，液晶显示器(lcd)、等离子显示面板(pdp)、计算机和智能电话)的印刷电路板上且进行充电或放电的片式电容器。
2、由于电子产品已经被设计成小型化、薄型化和多功能化，因此还要求芯片组件具有减小的尺寸，并且还要求电子组件的安装高度集成。顺应这种趋势，安装的电子组件之间的空间也已经减小。
3、特别地，在其中侧边缘部形成在主体的侧表面上以改善电容的结构的情况下，水分很可能渗透通过侧边缘部，并且当每单位厚度施加的电压由于介电层和内电极的厚度减小而增加时，可能难以确保防潮可靠性和耐电压可靠性。
4、因此，在附接有侧边缘部的结构中，可能需要设计以下微结构：包括具有减小的厚度的内电极和介电层并且确保可具有相对较小的尺寸的多层电子组件的可靠性。
5、背景技术部分中公开的以上信息是为了帮助理解本公开的背景技术，并且不应被视为承认该信息形成现有技术的任何部分。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的电容特性和防潮可靠性的多层电子组件。
2、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的电容特性和耐电压可靠性的多层电子组件。
3、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，并且所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一侧边缘部，设置在所述第五表面上；第二侧边缘部，设置在所述第六表面上；第一外电极，设置在所述第三表面上；以及第二外电极，设置在所述第四表面上。当所述第一侧边缘部在所述第三方向上的平均尺寸被定义为w1，所述第二侧边缘部在所述第三方向上的平均尺寸被定义为w2，并且在所述第三方向上从所述第一侧边缘部的外表面到所述第二侧边缘部的外表面的平均距离被定义为w0时，满足(w1+w2)/w0<0.20，并且当所述介电层的平均厚度被定义为td并且所述内电极的平均厚度被定义为te时，满足te>td。
4、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括电容形成部，所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，并且所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一侧边缘部，设置在所述第五表面上；第二侧边缘部，设置在所述第六表面上；第一外电极，设置在所述第三表面上；以及第二外电极，设置在所述第四表面上。在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容。所述主体还包括第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的一个表面上，所述第二覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的另一表面上。当所述第一覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸被定义为t1，所述第二覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸被定义为t2，并且所述主体在所述第一方向上的平均尺寸被定义为t0时，满足(t1+t2)/t0<0.23，并且当所述介电层的平均厚度被定义为td并且所述内电极的平均厚度被定义为te时，满足te>td。
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第一方向上的平均尺寸被定义为t0时，满足100μm<(w0+t0)/2<250μm。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极形成所述主体的电容形成部，在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容，并且所述主体还包括第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的一个表面上，并且所述第二覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的另一表面上，并且
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极形成所述主体的电容形成部，在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容，并且所述主体还包括第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的一个表面上，并且所述第二覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的另一表面上，并且
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极形成所述主体的电容形成部，在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容，并且
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极形成所述主体的电容形成部，在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容，并且
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极形成所述主体的电容形成部，在所述电容形成部中，所述介电层和所述内电极在所述第一方向上交替设置以形成电容，所述主体还包括第一覆盖部和第二覆盖部，所述第一覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的一个表面上，并且所述第二覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的另一表面上，并且
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的最外侧上的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc2，并且所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的中心部分中的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc1时，tc2/tc1大于等于0.9且小于等于1.0。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述主体的边缘接触的区域的厚度被定义为tc3，并且所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的中心部分中的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc1时，tc3/tc1大于等于0.9且小于等于1.0。
11.一种多层电子组件，包括：
12.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当在所述第三方向上从所述第一侧边缘部的外表面到所述第二侧边缘部的外表面的平均距离被定义为w0，并且所述主体在所述第一方向上的平均尺寸被定义为t0时，满足100μm<(w0+t0)/2<250μm。
13.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述第一侧边缘部在所述第三方向上的平均尺寸被定义为w1，并且所述第二侧边缘部在所述第三方向上的平均尺寸被定义为w2时，满足5μm<(w1+w2)/2<(t1+t2)/2。
14.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述电容形成部的中心区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g0，并且所述电容形成部的与所述第一覆盖部和所述第二覆盖部相邻的区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g1时，满足1<g1/g0<1.3。
15.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述电容形成部的中心区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g0，并且所述电容形成部的与所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部相邻的区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g2时，满足0.9<g2/g0<1.3。
16.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述电容形成部的中心区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g0，并且所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部的中心区域中的介电层的平均晶粒尺寸被定义为g3时，满足1<g3/g0<1.3。
17.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述电容形成部的中心区域中的所述介电层的平均晶粒尺寸被定义为g0，并且所述第一覆盖部和所述第二覆盖部的中心区域中的介电层的平均晶粒尺寸被定义为g4时，满足1<g4/g0<1.4。
18.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的最外侧上的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc2，并且所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的中心部分中的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc1时，tc2/tc1大于等于0.9且小于等于1.0。
19.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述主体的边缘接触的区域的厚度被定义为tc3，并且所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述内电极中的设置在所述第一方向上的中心部分中的内电极在所述第三方向上的端部接触的区域的厚度被定义为tc1时，tc3/tc1大于等于0.9且小于等于1.0。
