本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。举例来说，本公开涉及高性能半导体扇出封装。
背景技术：
1、半导体封装可包含半导体衬底、耦合到及/或嵌入于半导体衬底中的一或多个半导体电子组件及形成于半导体衬底之上以囊封一或多个半导体电子组件的壳体。一或多个半导体电子组件可通过电互连件互连以形成一或多个半导体装置，例如一或多个集成电路(ic)(例如一或多个裸片或芯片)。举例来说，半导体电子组件及电互连件可在切割成裸片或芯片之前制造于半导体晶片上以形成一或多个ic且接着封装。半导体封装可称为包含一或多个ic的半导体芯片封装。半导体封装保护半导体电子组件及电互连件免受损坏且包含用于将半导体电子组件及电互连件连接到外部组件(例如电路衬底)的机构，例如经由球、引脚、引线、接触垫或其它电互连结构。半导体装置组合件可为或可包含一半导体封装、多个半导体封装及/或半导体封装的一或多个组件(例如具有或不具有壳体的一或多个半导体装置)。
2、电子系统组合件可包含电耦合到载体衬底(例如电路衬底)的多个半导体封装。电子系统组合件可包含电耦合到载体衬底的额外系统组件。载体衬底可包含用于使系统组件(包含多个半导体封装及电子系统组合件的其它系统组件)互连的电互连件及导电路径。因此，多个半导体封装可经由载体衬底来电连接到彼此及/或一或多个额外系统组件以形成电子系统组合件。举例来说，其它系统组件可包含无源组件(例如存储电容器)、处理单元(例如中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、微处理器及/或微控制器)、控制单元(例如微控制器、存储器控制器及/或电力管理控制器)或一或多个其它电子组件。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：第一扇出重布层；第一半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在一方向上的第一侧上且耦合到所述第一扇出重布层的第一面；及第二半导体裸片，其安置于所述第一扇出重布层在所述方向上与所述第一侧不同的第二侧上且耦合到所述第一扇出重布层的与所述第一面不同的第二面。
2、根据本公开的另一方面，提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一重布层；及多个半导体裸片，其无需使用穿硅通路而电耦合到所述第一重布层，所述多个半导体裸片包含：第一半导体裸片，其包含第一多个电触点，其中所述第一半导体裸片电耦合到所述第一重布层的第一侧；及第二半导体裸片，其包含第二多个电触点，其中所述第二半导体裸片电耦合到所述第一重布层的相对第二侧，使得第一多个电触点面向所述第二多个电触点，其中所述第一重布层安置于所述第一多个电触点与所述第二多个电触点之间。
3、根据本公开的又一方面，提供一种方法。所述方法包括：在第一载体上形成第一重布层，所述第一重布层包含第一多个电迹线；将第一半导体裸片接合到所述第一重布层的第一面，使得所述第一半导体裸片电耦合到所述第一多个电迹线；将所述第一半导体裸片围封于第一模制化合物中；将第二半导体裸片接合到所述第一重布层的第二面，使得所述第二半导体裸片电耦合到所述第一多个电迹线，所述第一重布层的所述第二面背向所述第一重布层的所述第一面；及将所述第二半导体裸片围封于第二模制化合物中。
1.一种半导体装置组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括第二扇出重布层，其中所述第二扇出重布层安置于所述第一半导体裸片在所述方向上的与其上安置所述第一扇出重布层的侧相对的侧上。
3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第一扇出重布层经由多个导电穿封装柱电耦合到所述第二扇出重布层。
4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片由模制化合物围封，且其中所述多个导电穿封装柱延伸穿过所述模制化合物。
5.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其进一步包括耦合到所述第二扇出重布层的多个焊料凸块，其中所述多个焊料凸块安置于所述第二扇出重布层在所述方向上的与其上安置所述第一半导体裸片的侧相对的侧上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片无需使用穿硅通路而电耦合到所述第一扇出重布层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体裸片由第一模制层围封，且其中所述第二半导体裸片由与所述第一模制层不同的第二模制层围封。
8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其进一步包括第二扇出重布层，其中所述第一扇出重布层经由安置于所述第一模制层中的多个导电穿封装柱来电耦合到所述第二扇出重布层，且其中所述第二模制层不包含导电穿封装柱。
9.一种半导体封装，其包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其进一步包括第二重布层，其中所述第一半导体裸片在一方向上安置于所述第一重布层与所述第二重布层之间。
11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一重布层经由多个导电穿封装柱电耦合到所述第二重布层。
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一半导体裸片由模制化合物围封，且其中所述多个导电穿封装柱延伸穿过所述模制化合物。
13.根据权利要求10所述的半导体封装，其进一步包括耦合到所述第二重布层的多个焊料凸块，其中所述多个焊料凸块安置于所述第二重布层在所述方向上的与其上安置所述第一半导体裸片的侧相对的侧上。
14.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述第一半导体裸片由第一模制层围封，且其中所述第二半导体裸片由与所述第一模制层不同的第二模制层围封。
15.一种方法，其包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一重布层包含远离所述第一重布层的所述第一面延伸的多个支柱，所述方法进一步包括：
17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在将所述第二半导体裸片接合到所述第一重布层的所述第二面之前：
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在所述第二重布层上形成多个焊料凸块，其中所述第二载体通过所述多个焊料凸块接合到所述第二重布层。
19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在将所述第二半导体裸片围封于第二模制化合物中之后，将所述第二载体从所述第二重布层剥离。
20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括研磨所述第二模制化合物以暴露所述第二半导体裸片的表面。
