本申请所公开的实施例涉及集成电路，且更具体而言，涉及一种时钟电路、芯片。
背景技术：
1、对于片上高精度rc时钟，目前，生产工艺中通常采用零温漂的电容和两种不同温度特性的电阻进行补偿，例如使用正温度特性的电阻与负温度特性的电阻，以生成具有低温漂特性的时钟信号，然而，对于仅使用两种相同温度特性的电阻，例如在28nm以下cmos工艺中仅提供正温度系数电阻，或使用两种不同温度特性电阻但其中一种电阻特性较差，在类似情况下，rc时钟并不能生成低温漂时钟信号。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例，本申请提出一种时钟电路、芯片，以解决上述问题。
2、本申请的第一方面公开了时钟电路，包括：振荡电路，用于输出时钟信号，至少包括串联的第一电阻和第二电阻以及与所述第一电阻并联的电容，其中，所述第一电阻和所述第二电阻的温度特性相同，串联的所述第一电阻和所述第二电阻之间标记为目标节点；以及补偿电路，连接于所述目标节点，用于调整所述目标节点的电压的温度特性，以对所述时钟信号的温度特性进行补偿，使得所述时钟信号的输出频率满足预设温漂。
3、在一些实施例中，所述补偿电路调整所述目标节点的电压的温度特性，包括：所述补偿电路生成正温度特性的电流，以从所述目标节点抽取正温度特性的电流。
4、在一些实施例中，所述补偿电路包括电流生成模块、电流导出模块，电流抽取模块，所述电流生成模块与所述电流导出模块连接，所述电流导出模块与所述电流抽取模块连接。
5、在一些实施例中，所述电流生成模块至少包括：第一晶体管，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第一可变电阻，第一三极管，第二三极管，第一运算放大器；所述第一晶体管的漏极与电源连接，所述第一晶体管的源极经过所述第三电阻与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端连接所述第一运算放大器的正输入端与所述第一可变电阻的一端，所述第一可变电阻的另一端连接所述第一三极管的发射级，所述第一三极管的基极、集电极与地连接；所述第一晶体管的源极经过所述第三电阻还与所述第五电阻的一端连接，所述五电阻的另一端连接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二三极管的发射级，所述第二三极管的基极、集电极与地连接；所述第一运算放大器的输出端连接所述第一晶体管的栅极；所述电流导出模块至少包括：第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管的漏极连接电源，所述第二晶体管的栅极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接所述第三晶体管的漏极与栅极，所述第三晶体管的源极与地连接；所述电流抽取模块至少包括：第四晶体管，所述第四晶体管与所述第三晶体管构成电流镜，所述第四晶体管的源极与地连接，所述第四晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接，所述第四晶体管的漏极与所述目标节点连接，以从所述目标节点抽取正温度特性的电流。
6、在一些实施例中，所述第一电阻和所述第二电阻为负温度特性的电阻；所述补偿电路调整所述目标节点的电压的温度特性，包括：所述补偿电路生成正温度特性的电流，以向所述目标节点注入正温度特性的电流。
7、在一些实施例中，所述补偿电路包括正温度特性电流生成模块、电流导出模块，所述正温度特性电流生成模块与所述电流导出模块连接。
8、在一些实施例中，所述正温度特性电流生成模块至少包括：第五晶体管，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第二可变电阻，第三三极管，第四三极管，第二运算放大器；其中，所述第五晶体管的漏极与电源连接，所述第五晶体管的源极经过所述第六电阻与所述第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端连接所述第二运算放大器的正输入端与所述第二可变电阻的一端，所述第二可变电阻的另一端连接所述第三三极管的发射级，所述第三三极管的基极、集电极与地连接；所述第五晶体管的源极经过所述第六电阻还与所述第八电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端连接所述第二运算放大器的负输入端和所述第四三极管的发射级，所述第四三极管的基极、集电极与地连接；所述第二运算放大器的输出端连接所述第五晶体管的栅极；所述电流导出模块至少包括：第六晶体管，其中所述第六晶体管的漏极连接电源，所述第六晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第六晶体管的源极与所述目标节点连接，以向所述目标节点注入正温度特性的电流。
9、在一些实施例中，所述第一电阻和所述第二电阻为正温度特性的电阻；所述补偿电路调整所述目标节点的电压的温度特性，包括：所述补偿电路生成负温度特性的电流，以向所述目标节点注入负温度特性的电流。
10、在一些实施例中，所述补偿电路包括电流启动模块、负温度特性电流生成模块和电流导出模块，所述电流启动模块与所述负温度特性电流生成模块连接，所述负温度特性电流生成模块与所述电流导出模块连接。
11、在一些实施例中，所述电流启动模块至少包括：偏置电流和第五三极管，其中所述偏置电流的一端与电源连接，所述偏置电流的另一端与所述第五三极管的发射级连接，所述第五三极管的基极、集电极与地连接；所述负温度特性电流生成模块至少包括：第七晶体管，第八晶体管，第三可变电阻，第三运算放大器；其中所述第七晶体管的源极与电源连接，所述第七晶体管的栅极、漏极连接所述第八晶体管的漏极，所述第八晶体管的源极与所述第三可变电阻的一端连接，所述第三可变电阻的另一端与地连接；所述第八晶体管的栅极与第三运算放大器的输出端连接，所述第三运算放大器的正输入端连接所述偏置电流与所述第五三极管的发射级，所述第三运算放大器的负输入端连接所述第八晶体管的源极和所述第三可变电阻；所述电流导出模块至少包括：第九晶体管，所述第九晶体管与所述第七晶体管构成电流镜，所述第九晶体管的源极连接电源，所述第九晶体管的栅极与所述第七晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的漏极与所述目标节点连接，以向所述目标节点注入负温度特性的电流。
12、本申请第二方面公开了一种芯片，包括如第一方面中所述的时钟电路。
13、本申请的有益效果有：振荡电路用于输出时钟信号，其至少包括串联的第一电阻和第二电阻以及与第一电阻并联的电容，将串联的第一电阻和第二电阻之间标记为目标节点，其中，第一电阻和第二电阻的温度特性相同，补偿电路连接目标节点，用于调整目标节点的电压的温度特性，即在第一电阻和第二电阻的温度特性相同情况下，实现了对时钟信号的温度特性进行补偿，使得时钟信号的输出频率满足预设温漂。
1.一种时钟电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述补偿电路包括电流生成模块、电流导出模块，电流抽取模块，所述电流生成模块与所述电流导出模块连接，所述电流导出模块与所述电流抽取模块连接。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻为负温度特性的电阻；
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述补偿电路包括正温度特性电流生成模块、电流导出模块，所述正温度特性电流生成模块与所述电流导出模块连接。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻为正温度特性的电阻；
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述补偿电路包括电流启动模块、负温度特性电流生成模块和电流导出模块，所述电流启动模块与所述负温度特性电流生成模块连接，所述负温度特性电流生成模块与所述电流导出模块连接。
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，
11.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-10中任一项所述的时钟电路。
