本发明涉及硅片加工，具体地，涉及一种用于去除硅片表面污迹的方法及系统。
背景技术：
1、硅片经过切倒磨工序(机械加工)，会在表面形成一种损伤层，为了使硅片表面能维持高品质的单晶特性，这层损伤层必须予以去除，去除损伤层的方法就是采用化学腐蚀，即酸腐蚀的方法(浸泡)。
2、去除损伤层的工艺流为：酸腐蚀前清洗→酸腐蚀→腐蚀后洗净→外观检查。
3、由于酸腐蚀是种等方制程，也就是说，硅片的各结晶方向受到均匀的化学腐蚀，所以硅片需要在cp腐蚀前进行一下洗净，但是有的时候硅片表面的颗粒，油污等未必能被彻底清除，硅片投入酸液中后，带有污染部位的腐蚀速率与正常部位的腐蚀速率不一样，最终形成外面上的污迹、色差等。且在酸腐蚀时，需要将晶圆装入腐蚀笼中，再将装有硅片的腐蚀笼放入腐蚀液中，然后再快速将装有硅片的腐蚀笼放入纯水中溢流硅片腐蚀结束，由于硅片与腐蚀笼沟槽底部接触的地方，很容易残留药液，虽然快速放入纯水中溢流，但是腐蚀笼沟槽底部药液被溢流干净的时间要比其它地方的慢，所以该部位残留的药液还在与硅片腐蚀，最终形成外观上的色差。
4、如图1所示，以上不良，我们称之为污迹，这些外观不良会影响客户端器件性能，所以都为不良品作废弃处理，亟需进行改进。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种用于去除硅片表面污迹的方法及系统。
2、根据本发明提供的一种用于去除硅片表面污迹的方法,包括如下步骤：
3、步骤s1、清洗：对硅片进行清洗；
4、步骤s2、酸腐蚀：将硅片放入酸腐蚀液中；
5、步骤s3、酸腐蚀后清洗：将硅片表面的酸腐蚀液清洗干净；
6、步骤s4、外观筛选：将不良外观的硅片取出进入步骤s5；
7、步骤s5、碱腐蚀：将不良外观的硅片放入碱腐蚀液中去除一定厚度；
8、步骤s6、碱腐蚀后清洗：将硅片表面的碱腐蚀液清洗干净；
9、步骤s7、外观检查：将外观合格的产品取出。
10、优选地，针对步骤s4，不良外观的硅片包括污迹、色差、药液残留。
11、优选地，针对步骤s5，硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度为2微米±0.2微米。
12、优选地，针对步骤s5，碱腐蚀液包括氢氧化钾和tmah。
13、优选地，针对步骤s5，tmah腐蚀液的浓度为49％，温度为90℃，处理时间为80秒。
14、优选地，针对步骤s6，将步骤s5中的硅片放入纯水中，纯水的温度为30℃，处理时间为80秒。
15、优选地，将经过纯水浸泡后的硅片进行纯水溢流，温度设定在40℃。处理时间设定80s。
16、优选地，硅片通过机械手进行转运。
17、根据本发明提供的一种用于去除硅片表面污迹的系统,实现用于去除硅片表面污迹的方法。
18、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
19、1、本发明通过tmah溶液将硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度，把其表面外观上的不良去除干净，将其变成良品,有助于提高产品的良品率。
1.一种用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，针对步骤s4，不良外观的硅片包括污迹、色差、药液残留。
3.如权利要求1所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，针对步骤s5，硅片在碱腐蚀液中去除的一定厚度为2微米±0.2微米。
4.如权利要求1所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，针对步骤s5，碱腐蚀液包括氢氧化钾和tmah。
5.如权利要求4所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，针对步骤s5，tmah腐蚀液的浓度为49％，温度为90℃，处理时间为80秒。
6.如权利要求1所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，针对步骤s6，将步骤s5中的硅片放入纯水中，纯水的温度为30℃，处理时间为80秒。
7.如权利要求6所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，将经过纯水浸泡后的硅片进行纯水溢流，温度设定在40℃。处理时间设定80s。
8.如权利要求1所述的用于去除硅片表面污迹的方法，其特征在于，硅片通过机械手进行转运。
9.一种用于去除硅片表面污迹的系统，其特征在于，实现权利要求1-8任一项所述的用于去除硅片表面污迹的方法。
