本公开涉及晶体生长领域，更具体地涉及一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。
背景技术：
1、锑化铟(insb)是一种窄禁带ⅲ-ⅴ族半导体材料，77k时禁带宽度为0.232ev，在3-5μm波段是本征吸收，拥有极高的电子迁移率，目前是中波红外探测器的最佳材料之一。锑化铟的熔点为525℃，与其它ⅲ-ⅴ族化合物相比，它易于提纯和生长单晶，因而它常是ⅲ-ⅴ族化合物固体理论研究时所选择的对象。
2、锑化铟的晶体生长方法多为提拉法。作为闪锌矿结构，最优的晶体生长方向为<111>方向。但晶体生长沿<111>方向生长有明显的小面效应，使径向载流子分布很不均匀，无法满足焦平面器件的需要。沿<211>晶向生长可减弱这一效应，但会严重减小晶体的利用率，同时带来较为严重的位错问题。
技术实现思路
1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法，其有利于抑制小面效应，提高提拉法生长出的锑化铟晶体的载流子浓度的均匀性。
2、由此，提供一种籽晶组件，籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的1/2，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是<211>，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是<211>b，锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是<111>a，锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是<111>b；夹头包括第一夹体和第二夹体，第一夹体具有收容锑化铟籽晶的收容槽，收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体具有配合平面，配合平面结合第一夹体并封闭收容槽的梯形的开口的底边，第一夹体和第二夹体由导热率不同的材料制成，第一夹体的材料的导热率低于第二夹体的材料的导热率。
3、一种锑化铟晶体生长的方法采用前述的籽晶组件提拉法生长锑化铟晶体。
4、本公开的有益效果如下。
5、在根据本公开的籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法中，通过用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是<211>b、在锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是<111>a且锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是<111>b，且通过第一夹体的材料的导热率低于第二夹体的材料的导热率且收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，使得生长的锑化铟晶体在与底面对应的底边优先生长，有利于抑制小面效应，提高提拉法生长出的锑化铟晶体的载流子浓度的均匀性。此外，也能够使得生长出的锑化铟晶体的横截面同样是几乎标准的梯形。
1.一种籽晶组件，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的籽晶组件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的籽晶组件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的籽晶组件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的籽晶组件，其特征在于，
6.一种锑化铟晶体生长的方法，其特征在于，采用权利要求1-5中任一项所述的籽晶组件(100)提拉法生长锑化铟晶体。
7.根据权利要求6所述的锑化铟晶体生长的方法，其特征在于，锑化铟晶体生长的方法包括步骤：
