本发明涉及太阳能电池制造，具体而言，涉及用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液、使用方法和应用。
背景技术：
1、随着太阳能电池日益激烈的市场竞争，高效率电池成为太阳能行业研发的主要方向。太阳能电池制备过程中需要去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃层。
2、目前市面上链式机主要去除硅片侧面bsg层，配方主要为hf和水。正常情况下可满足需求。但当硅片边缘掺杂氮化硅、氮氧化硅或者未完全氧化导致硼浓度高的情况下，则无法对侧面进行有效去除。
3、鉴于此，特提出本发明。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液、使用方法和应用，当硅片边缘掺杂氮化硅、氮氧化硅或者未完全氧化导致硼浓度高的情况下，使用本发明中的刻蚀液有利于保证硅片边缘或侧面的掺杂氮化硅、掺杂氮氧化硅或者硼浓度高的区域进行充分刻蚀，同时不会与硅片正面进行反应。
2、本发明是这样实现的：
3、第一方面，本发明提供一种用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，包括以下组分：
4、
5、在可选的实施方式中，所述氧化剂选自不含金属离子的无机酸、具有氧化性的钠盐或具有氧化性的钾盐中的至少一种。
6、在可选的实施方式中，所述氧化剂选自双氧水、硝酸、硫酸、氯酸、亚氯酸、高氯酸、亚硝酸、氯酸钠、氯酸钾、亚氯酸钠、亚氯酸钾、高氯酸钠和高氯酸钾中的至少一种。
7、在可选的实施方式中，所述氧化剂为双氧水。
8、在可选的实施方式中，所述碱抛添加剂的型号为pr21、bp21、bpl819和bpl829中的至少一种，所述刻蚀液中碱抛添加剂的浓度为7.6vol％-7.8vol％。
9、在可选的实施方式中，所述刻蚀液中hf的浓度为0.24g/ml-0.25g/ml。
10、在可选的实施方式中，所述刻蚀液中hcl的浓度为0.083g/ml-0.084g/ml。
11、在可选的实施方式中，所述刻蚀液中氧化剂的浓度为0.040g/ml-0.041g/ml。
12、第二方面，本发明提供一种前述实施方式任意一项所述用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液的使用方法，将表面覆盖有硼硅玻璃层的硅片的背面浸泡在所述刻蚀液中进行刻蚀。
13、第三方面，本发明提供一种前述实施方式任意一项所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液在去除硅片背面和/或侧面硼硅玻璃层中的应用。
14、本发明具有以下有益效果：
15、本申请刻蚀液通过刻蚀液中各组分的协同作用，可以在保证硅片正面不被刻蚀液影响的同时，即便硅片边缘掺杂氮化硅、氮氧化硅或者未完全氧化导致硼浓度高时，也能够对硅片侧面和背面进行有效刻蚀，提高硅片的良率和效率。
1.一种用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，以水为溶剂，其中各组分的浓度如下：
2.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述氧化剂选自不含金属离子的无机酸、具有氧化性的钠盐或具有氧化性的钾盐中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水、硝酸、硫酸、氯酸、亚氯酸、高氯酸、亚硝酸、氯酸钠、氯酸钾、亚氯酸钠、亚氯酸钾、高氯酸钠和高氯酸钾中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述氧化剂为双氧水。
5.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述碱抛添加剂的型号为pr21、bp21、bpl819和bpl829中的至少一种，所述刻蚀液中碱抛添加剂的浓度为7.6vol％-7.8vol％。
6.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液中hf的浓度为0.24g/ml-0.25g/ml。
7.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液中hcl的浓度为0.083g/ml-0.084g/ml。
8.根据权利要求1所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液中氧化剂的浓度为0.040g/ml-0.041g/ml。
9.一种权利要求1-8任意一项所述用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液的使用方法，其特征在于，将表面覆盖有硼硅玻璃层的硅片的背面浸泡在所述刻蚀液中进行刻蚀。
10.一种权利要求1-8任意一项所述的用于硅片硼硅玻璃层的刻蚀液在去除硅片背面和/或侧面硼硅玻璃层中的应用。
