本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善制备效率的发光二极管及其制备方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括：外延层、钝化层和焊盘，钝化层位于外延层的表面上，且钝化层具有露出外延层的通孔，焊盘位于钝化层的表面上，且通过通孔与所述外延层相连。
3、在制备焊盘过程中，需要先在钝化层的表面形成光刻胶，利用光刻胶在钝化层上刻蚀形成通孔并去除光刻胶；接着，在钝化层的表面再形成一层光刻胶，并刻蚀光刻胶形成露出钝化层的通孔的过孔，在光刻胶层上蒸镀金属，以在钝化层的表面和钝化层的通孔内形成焊盘。由于制备焊盘过程中需要多次形成光刻胶并在光刻胶上刻蚀形成孔洞，因此，制备过程较复杂，降低了发光二极管的制备效率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善制备效率的发光二极管及其制备方法，能简化发光二极管的制备流程，提升制备效率。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：在外延结构上形成钝化层；在所述钝化层的表面上形成光刻胶层，并刻蚀所述光刻胶层，所述光刻胶层的表面具有露出所述钝化层的第一通孔；通过所述第一通孔腐蚀所述钝化层，在所述钝化层的表面形成露出所述外延结构的第二通孔；依次通过所述第一通孔和所述第二通孔，在所述外延结构的表面上形成焊盘。
3、可选地，通过所述第一通孔腐蚀所述钝化层包括：湿法腐蚀所述钝化层，使形成的所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度。
4、可选地，湿法腐蚀所述钝化层包括：采用缓冲氧化物刻蚀液腐蚀所述钝化层，控制所述缓冲氧化物刻蚀液的腐蚀速率为40埃/秒至50埃/秒，控制腐蚀时长为250s至350s，所述缓冲氧化物刻蚀液中hf与nh4f的比值为15至22。
5、可选地，所述第二通孔的轴向截面的截面形状为倒梯形，所述第二通孔的孔壁的倾角小于或者等于60度。
6、可选地，在所述钝化层的表面上形成光刻胶层包括：在所述钝化层的表面形成所述光刻胶层，控制所述光刻胶层的厚度与所述钝化层的厚度之和大于或者等于所述焊盘的厚度。
7、可选地，所述第一通孔的轴向截面的截面形状为正梯形，所述第一通孔的孔壁的倾角小于或者等于60度。
8、可选地，在制备所述钝化层时，控制所述钝化层的厚度小于所述焊盘的厚度。
9、可选地，制备所述外延结构包括：在衬底上形成外延层；在所述外延层的表面形成透明导电层；在所述外延层的表面形成第一绝缘层，使所述第一绝缘层覆盖所述透明导电层，所述第一绝缘层的表面具有露出所述透明导电层的第一过孔；在所述第一绝缘层的表面形成金属反射层，使所述金属反射层通过所述第一过孔与所述透明导电层相连；在所述第一绝缘层的表面形成金属保护层，使所述金属保护层覆盖所述金属反射层；在所述第一绝缘层的表面形成第二绝缘层，使所述第二绝缘层覆盖所述金属保护层，所述第二绝缘层具有露出所述金属保护层的第二过孔；在所述第二绝缘层的表面形成电极，使所述电极通过所述第二过孔与所述金属保护层相连；在外延结构上形成钝化层包括：在所述第二绝缘层的表面形成所述钝化层，使所述钝化层覆盖所述电极，所述第二通孔露出所述电极。
10、另一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如前文所述的制备方法制备，包括：外延结构、钝化层和焊盘，所述钝化层位于所述外延结构的表面上，所述钝化层具有露出所述外延结构的第二通孔；所述焊盘在所述外延结构的底面的正投影位于所述第二通孔在所述外延结构的底面的正投影内。
11、可选地，所述钝化层的厚度小于所述焊盘的厚度。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管的制备方法中，先在外延结构上形成钝化层，然后在钝化层上形成光刻胶层，并在光刻胶层上刻蚀形成露出钝化层的第一通孔，接着通过第一通孔腐蚀钝化层，以在钝化层上形成第二通孔，最后通过第一通孔和第二通孔就能在外延结构上形成了焊盘。
14、相比于相关技术，该制备方法在制备焊盘时，只需要在钝化层上形成一次光刻胶层。先采用该光刻胶层作为掩膜版腐蚀形成钝化层上的第二通孔，并且，还采用该光刻胶层作为掩膜版形成焊盘。因此，无需多次反复形成光刻胶层，并在光刻胶层上刻蚀形成孔洞，有效简化了发光二极管的制备工艺，提升发光二极管的制备效率。
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过所述第一通孔(41)腐蚀所述钝化层(30)包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，湿法腐蚀所述钝化层(30)包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二通孔(31)的轴向截面的截面形状为倒梯形，所述第二通孔(31)的孔壁的倾角小于或者等于60度。
5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述钝化层(30)的表面上形成光刻胶层(40)包括：
6.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一通孔(41)的轴向截面的截面形状为正梯形，所述第一通孔(41)的孔壁的倾角小于或者等于60度。
7.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在制备所述钝化层(30)时，控制所述钝化层(30)的厚度小于所述焊盘(50)的厚度。
8.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，制备所述外延结构(20)包括：
9.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求1至7任一项所述的制备方法制备，包括：外延结构(20)、钝化层(30)和焊盘(50)，所述钝化层(30)位于所述外延结构(20)的表面上，所述钝化层(30)具有露出所述外延结构(20)的第二通孔(31)；
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层(30)的厚度小于所述焊盘(50)的厚度。
