本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器和射频前端模组。
背景技术：
1、在射频技术中，低噪声放大器作为射频前端模组中的重要元器件，用于接收从天线传输过来的射频信号，并对接收的射频信号进行放大。在相关技术中，大部分低噪声放大器采用多增益档位切换的方式传输射频信号，对于低增益档位，通常只关注低噪声放大器的增益，并不关注在低增益档位下低噪声放大器的iip3(input third-order interceptpoint，三阶交调失真)和p1db(1分贝压缩输出功率)等指标，从而导致低噪声放大器无法保证在不同增益档位下的线性度。
技术实现思路
1、本申请提供了一种低噪声放大器和射频前端模组，解决了相关技术中低噪声放大器无法保证在不同增益档位下的线性度的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括信号输入端和信号输出端，放大支路，所述放大支路的第一端连接至所述信号输入端，所述放大支路的第二端连接至所述信号输出端；第一调节电路，所述第一调节电路的第一端与所述放大支路的第三端连接，所述第一调节电路的第二端接地；第二调节电路，所述第二调节电路的第一端与所述放大支路的第一端连接，所述第二调节电路的第二端接地；其中，所述第一调节电路和所述第二调节电路被配置为调节所述低噪声放大器的增益档位并调节所述低噪声放大器在不同增益档位下输入至所述放大支路的第一端的输入功率。
3、第二方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括信号输入端和信号输出端，放大支路，所述放大支路的第一端连接至所述信号输入端，所述放大支路的第二端连接至所述信号输出端；电阻单元，所述电阻单元的第一端与所述放大支路的第一端连接，所述电阻单元的第二端接地，所述电阻单元被配置为基于所述低噪声放大器的当前增益档位，调节输入至所述放大支路的第一端的输入功率。
4、第三方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括信号输入端和信号输出端；放大支路，所述放大支路的第一端连接至所述信号输入端，所述放大支路的第二端连接至所述信号输出端；第一调节电路，所述第一调节电路的第一端与所述放大支路的第三端连接，所述第一调节电路的第二端接地，所述第一调节电路被配置为调节所述低噪声放大器的增益档位；第二调节电路，所述第二调节电路的第一端与所述放大支路的第一端连接，所述第二调节电路的第二端接地；所述第二调节电路被配置为基于所述低噪声放大器的当前增益档位，调节输入至所述放大支路的第一端的输入功率。
5、第四方面，本申请还提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括上述的低噪声放大器。
6、本申请实施例提供了一种低噪声放大器和射频前端模组，通过在放大支路的第三端接入第一调节电路，在放大支路的第一端接入第二调节电路，可以由第一调节电路和第二调节电路配合实现调节低噪声放大器的增益档位并调节低噪声放大器在不同增益档位下输入至放大支路的第一端的输入功率，使得输出功率不容易饱和，避免低噪声放大器产生增益压缩，从而可以优化低噪声放大器的三阶交调失真(iip3)和改善低噪声放大器的1分贝压缩输出功率(p1db)，进而可以提高低噪声放大器进行增益切换时在多个不同增益档位下的线性度。
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括信号输入端和信号输出端；
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二调节电路被配置为在所述低噪声放大器的当前增益减小时，减小输入至所述放大支路的第一端的输入功率。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，从所述信号输入端输入的射频输入信号的功率为第一功率，从所述放大支路的第一端输入的射频输入信号的功率为第二功率，所述第二调节电路被配置为使得所述第二功率小于所述第一功率。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二调节电路被配置为通过改变接入所述低噪声放大器的电阻值来调节所述放大支路的第一端的输入功率；其中，接入所述低噪声放大器的电阻值与所述第二调节电路泄放的功率呈负相关，所述第二调节电路泄放的功率与输入至所述放大支路的第一端的输入功率呈负相关。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二调节电路的电阻阻值大于或等于750欧姆。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，在同一增益档位下，所述第二调节电路的电阻阻值大于5000欧姆时，所述低噪声放大器的三阶交调失真为-8dbm时；
10.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大支路包括第一晶体管，所述第一晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管；
11.根据权利要求10所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大支路还包括第二晶体管，所述第二晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管；所述第二晶体管的栅极连接至偏置控制端，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的漏极与所述放大支路的第二端连接；或者，所述第二晶体管的栅极连接至偏置控制端，所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极与所述放大支路的第二端连接。
12.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二调节电路包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述放大支路的第一端连接，所述第一电阻的第二端接地。
13.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二调节电路包括一条或者多条电阻支路；
14.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一调节电路包括多条并联的切换支路，每条所述切换支路的第一端连接至所述放大支路的第三端，每条所述切换支路的第二端接地；
15.根据权利要求14所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多条并联的切换支路中的至少一条切换支路包括第三电阻和第三开关，所述第三开关的第一端连接至所述放大支路的第三端，所述第三开关的第二端连接至所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端接地。
16.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一调节电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一开关、第二开关和第三开关；所述第一电感的第一端与所述放大支路的第三端连接，所述第一电感的第二端通过所述第一开关接地，所述第二电感的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二电感的第二端通过所述第二开关接地；所述第三电感的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第三电感的第二端通过所述第三开关接地。
17.根据权利要求16所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一调节电路还包括第四电阻、第四开关、第五电阻和第五开关，所述第四电阻的第一端与所述第三电感的第二端连接，所述第四电阻的第二端通过所述第四开关接地，所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端连接，所述第五电阻的第二端通过所述第五开关接地。
18.一种低噪声放大器，其特征在于，包括信号输入端和信号输出端；
19.根据权利要求18所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电阻单元被配置为通过改变接入所述低噪声放大器的电阻值来调节所述放大支路的第一端的输入功率；其中，接入所述低噪声放大器的电阻值与输入至所述放大支路的第一端的输入功率呈正相关。
20.根据权利要求18所述的低噪声放大器，其特征在于，在同一增益档位下，所述电阻单元的电阻阻值大于5000欧姆时，所述低噪声放大器的三阶交调失真为-8dbm；
21.根据权利要求20所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电阻单元包括可调电阻，所述可调电阻的第一端与所述放大支路的第一端连接，所述可调电阻的第二端接地；其中，接入所述低噪声放大器的所述可调电阻的阻值与输入至所述放大支路的第一端的输入功率呈正相关。
22.根据权利要求18所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电阻单元包括一条或者多条电阻支路；
23.根据权利要求18所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第一调节电路，所述第一调节电路的第一端与所述放大支路的第三端连接，所述第一调节电路的第二端接地，所述第一调节电路被配置为调节所述低噪声放大器的增益档位。
24.一种低噪声放大器，其特征在于，包括信号输入端和信号输出端；
25.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：
