本发明涉及一种tem制样的工具及方法，特别涉及一种使用fib进行tem样品的反向减薄的工具及方法。
背景技术：
1、随着半导体制程工艺的进步，透射电镜成为芯片量测的主要工具，而聚焦离子束（fib）设备则成为定点取样制样的主要工具。
2、由于，正向样品减薄工艺的窗帘效应影响了下层的成像质量，反向减薄成为了先进制程工艺芯片制样的主流手段。
3、受聚焦离子束设备空间和样品提取探针设备的限制，目前主要使用的工艺多为多次翻转工艺，耗时长，步骤多而容易失败，或者使用价格昂贵的真空机械手和专用夹具。
4、对于半导体fa的使用者而言，一种高效率低成本的翻转减薄技术方案可以有效的满足市场的呼唤。
5、因此，特别需要一种使用fib进行tem样品的反向减薄的工具及方法，以解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种使用fib进行tem样品的反向减薄的工具及方法，针对现有技术的不足，以满足市场对高效率低成本的tem样品翻转减薄工艺的需求。
2、本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
3、第一方面，本发明提供一种使用fib进行tem样品的反向减薄的方法，包括如下步骤：
4、s1、以记忆合金制备标准的载薄片，载薄片预设平面的形状记忆，载薄片上预先弯折tem样品贴附手指为180度、90度和7度；
5、s2、标准tem毛坯样品以标准工艺提取，并正常粘贴在翻转180度（翻转减薄）或者90度（平面样品）的手指处；
6、s3、通过加热载薄片，使得记忆合金恢复记忆形状；
7、s4、tem毛坯样品随手指恢复到竖直等待加工位置；
8、s5、以标准工艺完成样品，减薄至20-30nm。
9、在本发明的一个优选实施例中，所述载薄片的厚度为80-120μm；优选地，厚度为100μm。
10、第二方面，本发明提供一种使用fib进行tem样品的反向减薄的工具，所述工具为由记忆合金制备的载薄片，所述载薄片预设平面的形状记忆，所述载薄片上预先弯折tem样品贴附手指为180度、90度和7度。
11、本发明的使用fib进行tem样品的反向减薄的工具及方法，与现有技术相比，通过翻转反向减薄有效解决了正向样品减薄工艺的窗帘效应，使用了记忆合金的记忆效应简化了翻转工艺并且有效避免了传统载薄片的变形损坏，提高了工艺效率并避免了无效损耗，在聚焦离子束显微镜在半导体fa应用方面具有广泛的应用场景，实现本发明的目的。
12、本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
1.一种使用fib进行tem样品的反向减薄的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的使用fib进行tem样品的反向减薄的方法，其特征在于，所述载薄片的厚度为80-120μm。
3.如权利要求2所述的使用fib进行tem样品的反向减薄的方法，其特征在于，所述载薄片的厚度为100μm。
4.如权利要求1所述方法使用的反向减薄的工具，其特征在于，所述工具为由记忆合金制备的载薄片，所述载薄片预设平面的形状记忆，所述载薄片上预先弯折tem样品贴附手指为180度、90度和7度。
