本发明涉及半导体器件，具体涉及一种gan基发光二极管外延片及其制备方法、led芯片。
背景技术：
1、gan基ⅲ族氮化物材料，尤其是gan材料，是目前研究最热门，并已经得到广泛应用的宽禁带化合物半导体材料。其优异的物理化学性能使其在，发光二极管（led，lightemitting diode）、激光器、功率器件、紫外光探测器等领域被大量研究。尤其在led领域，ingan超高度蓝光、绿光led技术已经实现商品化，ingan基led产品有加速替代传统照明的趋势。
2、由于gan基材料中空穴的有效质量较大，迁移率较低，因此很难有效地注入到有源区中和电子复合。故现有技术中还存在电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种gan基发光二极管外延片及其制备方法、led芯片，旨在解决现有技术中还存在电子与空穴在多量子阱层中复合效率低，使得发光强度低的技术问题。
2、本发明的第一方面在于提供一种gan基发光二极管外延片，所述外延片包括：
3、衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂gan层、n型半导体层、应力释放层、多量子阱层与p型半导体层；
4、其中，所述p型半导体层为周期性交叠结构层，包括交叠设置的电子阻挡子层与空穴注入子层。
5、根据上述技术方案的一方面，所述电子阻挡子层与所述空穴注入子层交叠的周期数为5—10个。
6、根据上述技术方案的一方面，所述p型半导体层中，靠近所述多量子阱层一侧的至少一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层，所述空穴注入子层为gan子层。
7、根据上述技术方案的一方面，靠近所述多量子阱层一侧的第一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层。
8、根据上述技术方案的一方面，每个algan子层的al组分沿外延生长方向逐渐降低。
9、根据上述技术方案的一方面，每个所述algan子层的al组分沿外延生长方向依次降低5%—10%。
10、根据上述技术方案的一方面，每个所述电子阻挡子层的厚度≤5nm，每个所述空穴注入子层的厚度为5nm-10nm。
11、根据上述技术方案的一方面，所述algan子层与所述空穴注入子层中均掺杂有mg元素，且所述algan子层与所述空穴注入子层的mg掺杂浓度相等，mg掺杂浓度均为1×1018atms/cm3-1×1019atms/cm3；
12、或者，所述algan子层与所述空穴注入子层的mg掺杂浓度不相等，mg掺杂浓度分别为1×1018atms/cm3-1×1019atms/cm3。
13、本发明的第二方面在于提供一种gan基发光二极管外延片制备方法，用于制备上述技术方案当中所述的外延片，所述制备方法包括：
14、提供一衬底；
15、在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、n型半导体层、应力释放层与多量子阱层；
16、在所述多量子阱层上交叠生长电子阻挡子层与空穴注入子层，得到位于所述多量子阱层上的p型半导体层。
17、本发明的第三方面在于提供一种led芯片，包括上述技术方案当中所述的外延片。
18、与现有技术相比，采用本发明所示的gan基发光二极管外延片及其制备方法、led芯片，有益效果在于：
19、通过将电子阻挡子层和空穴注入子层结合生长得到p型半导体层，使空穴注入子层更接近多量子阱层，具有更好的空穴注入效果，同时有更好的电子阻挡效果，则可以有效提高空穴和电子在多量子阱层的复合效率，提高发光强度；且具有更好的电流扩展作用，可以有效地降低工作电压，提高芯片的使用寿命；另外，因为电子阻挡效果与空穴注入效果更好，所以p型半导体层可以进一步减薄，降低对多量子阱层发射光的吸收，有效地提高外量子效率。
1.一种gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：
2.根据权利要求1所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡子层与所述空穴注入子层交叠的周期数为5—10个。
3.根据权利要求2所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述p型半导体层中，靠近所述多量子阱层一侧的至少一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层，所述空穴注入子层为gan子层。
4.根据权利要求3所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，靠近所述多量子阱层一侧的第一个电子阻挡子层为aln子层，其余所述电子阻挡子层均为algan子层。
5.根据权利要求4所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，每个algan子层的al组分沿外延生长方向逐渐降低。
6.根据权利要求5所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，每个所述algan子层的al组分沿外延生长方向依次降低5%—10%。
7.根据权利要求3-6任一项所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，每个所述电子阻挡子层的厚度≤5nm，每个所述空穴注入子层的厚度为5nm-10nm。
8.根据权利要求7所述的gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述algan子层与所述空穴注入子层中均掺杂有mg元素，且所述algan子层与所述空穴注入子层的mg掺杂浓度相等，mg掺杂浓度均为1×1018atms/cm3-1×1019atms/cm3；
9.一种gan基发光二极管外延片制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-8任一项所述的外延片，所述制备方法包括：
10.一种led芯片，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的外延片。
