本公开涉及粉体处理领域，特别涉及一种等离子体反射组件、一种粉体处理装置、以及一种粉体处理方法。
背景技术：
1、金属粉体和陶瓷粉体，在汽车、机械、电子、3d打印以及半导体等领域有着广泛的应用。
2、为达到粉体的应用要求，通常需要对原料粉体进行处理，以获得在形貌、纯度等方面符合应用要求的粉体。等离子体通常被用于对粉体进行处理，等离子体具有能量高等优势，对于将粉体球化处理应用较多。
3、对于常规的等离子体处理粉体工艺或装置，等离子体的能量用于升高原料粉体的温度，甚至使其熔融。然而，等离子体的能量往往难以得到充分利用，存在粉体的处理效率较低的问题，或为了保证粉体处理效率而导致能耗过高的问题。
4、因此，需要开发一种新的粉体处理装置与粉体处理办法。
技术实现思路
1、为解决等离子体能量利用率不高的问题，本公开实施例提供一种等离子体反射组件、一种粉体处理装置、以及一种粉体处理方法。
2、本公开实施例提供一种等离子体反射组件，所述等离子体反射组件包括：反射面，适于朝向等离子体设置，所述反射面的材质包括：钼、钨、钽、铌中的一种或几种。
3、在一些实施例中，所述朝向等离子体设置包括：所述反射面为连续的环形凹面，所述反射面为旋转抛物面的一部分，所述旋转抛物面的焦点位于所述等离子体的第一温区，在所述等离子体用于处理粉体时，所述第一温区为所述粉体在所述等离子体中的输送路径。
4、在一些实施例中，所述等离子体反射组件还包括却组件，以对所述反射面冷却。
5、在一些实施例中，所述等离子体反射组件还包括：若干腔壁，所述反射面所在的壁与所述若干腔壁共同形成腔体，所述腔体内适于通入冷却媒介。
6、在一些实施例中，所述腔体设有进口和出口，所述腔体包括层叠的第一腔和第二腔，所述第一腔和所述第二腔连通。
7、在一些实施例中，所述第一腔更靠近所述反射面，所述第一腔设有通道，所述通道与所述进口和所述第二腔连通；所述第二腔与所述出口连通；冷却媒介适于通过所述进口输送至所述第一腔，并经由所述第二腔被输送通过所述出口排出所述腔体。
8、在一些实施例中，所述反射面为镜面，其粗糙度ra小于0.4。
9、本公开的实施例还提供一种粉体处理装置，用于对第一粉体进行等离子体液滴精炼以获取第二粉体，所述粉体处理装置包括：反应腔；等离子体发生装置，用于产生等离子体，包括：等离子体发生腔，与所述反应腔连通；以上任意的等离子体反射组件，设置于所述反应腔内。
10、在一些实施例中，所述反射面为朝向所述等离子体的第一温区设置的弧面，所述第一温区为所述第一粉体在所述等离子体中的输送路径。
11、在一些实施例中，所述粉体处理装置还包括：吹扫组件，适于提供吹扫气体吹扫所述反射面。
12、在一些实施例中，所述吹扫组件包括进气管，设置于所述反应腔最靠近所述等离子体发生腔的腔壁，适于将所述吹扫气体通过其通入所述反应腔内，所述进气管与所述腔壁的夹角为30°～60°。
13、在一些实施例中，所述进气管包括吹扫出气口，所述吹扫出气口有多个，围绕所述等离子体间隔分布。
14、本公开的实施例还提供一种粉体的处理方法，采用以上任意的粉体处理装置进行，所述处理方法包括：向所述等离子体发生腔通入工作气体；采用所述等离子体发生装置产生等离子体；加入原料粉体，以对其进行等离子体处理。
15、在一些实施例中，所述处理方法还包括：通入吹扫气体对所述反射面进行吹扫，所述吹扫气体的通入流速为50l/min～200l/min。
16、在一些实施例中，所述处理方法进一步包括：在产生等离子体后，调节等离子体放电功率为50kw～200kw。
17、与现有技术相比，本公开实施例的技术方案具有以下有益效果：
18、本公开实施例的等离子体反射组件的反射面，适于朝向等离子体设置，从而可以将等离子体的辐射的能量反射回等离子体，减少了等离子体能量的损失，提高了等离子体能量的利用效率。
19、本公开实施例的粉体处理装置，等离子体反射组件设于所述反应腔内，等离子体反射组件的反射面朝向等离子体设置，在粉体处理过程中，反射面将等离子体的辐射的能量反射回等离子体，减少了等离子体能量的损失，提高了等离子体能量的利用效率，提高了粉体处理的效率。
20、进一步的，所述反射面为朝向所述等离子体的第一温区设置的弧面，所述弧面为旋转抛物面的一部分，所述旋转抛物面的焦点位于所述第一温区，从而反射面可以将等离子体辐射的能量反射回第一温区，所述第一温区为第一粉体在等离子体中的输送路径，被反射的等离子体能量用于加热第一粉体，提高了等离子体能量的利用效率。
21、本公开实施例的粉体的处理方法，采用具有等离子体反射组件的粉体处理装置对原料粉体进行处理，在处理过程中，反射面将等离子体辐射的能量反射回等离子体，减少了等离子体能量的损失，提高了粉体处理效率。
1.一种等离子体反射组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体反射组件，其特征在于，所述朝向等离子体设置包括：所述反射面为连续的环形凹面，所述反射面为旋转抛物面的一部分，所述旋转抛物面的焦点位于所述等离子体的第一温区，在所述等离子体用于处理粉体时，所述第一温区为所述粉体在所述等离子体中的输送路径。
3.根据权利要求1所述的等离子体反射组件，其特征在于，还包括冷却组件，以对所述反射面冷却。
4.根据权利要求3所述的等离子体反射组件，其特征在于，还包括：若干腔壁，所述反射面所在的壁与所述若干腔壁共同形成腔体，所述腔体内适于通入冷却媒介。
5.根据权利要求4所述的等离子体反射组件，其特征在于，所述腔体设有进口和出口，所述腔体包括层叠的第一腔和第二腔，所述第一腔和所述第二腔连通。
6.根据权利要求5所述的等离子体反射组件，其特征在于，所述第一腔更靠近所述反射面，所述第一腔设有通道，所述通道与所述进口和所述第二腔连通；所述第二腔与所述出口连通；冷却媒介适于通过所述进口输送至所述第一腔，并经由所述第二腔被输送通过所述出口排出所述腔体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体反射组件，其特征在于，所述反射面为镜面，其粗糙度ra小于0.4。
8.一种粉体处理装置，其特征在于，用于对第一粉体进行等离子体液滴精炼以获取第二粉体，所述粉体处理装置包括：
9.根据权利要求8所述的粉体处理装置，其特征在于，所述反射面为朝向所述等离子体的第一温区设置的弧面，所述第一温区为所述第一粉体在所述等离子体中的输送路径。
10.根据权利要求8所述的粉体处理装置，其特征在于，还包括：吹扫组件，适于提供吹扫气体以吹扫所述反射面。
11.根据权利要求10所述的粉体处理装置，其特征在于，所述吹扫组件包括进气管，设置于所述反应腔最靠近所述等离子体发生腔的腔壁，适于将所述吹扫气体通过其通入所述反应腔内，所述进气管与所述腔壁的夹角为30°～60°。
12.根据权利要求11所述的粉体处理装置，其特征在于，所述进气管包括吹扫出气口，所述吹扫出气口有多个，围绕所述等离子体间隔分布。
13.一种粉体的处理方法，采用如权利要求8至12中任一项所述的粉体处理装置进行，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的处理方法，其特征在于，还包括：
15.根据权利要求13所述的处理方法，其特征在于，进一步包括：
