用于在光刻设备中原位去除粒子的设备和方法与流程

    技术2025-06-24  15


    本发明涉及用于从诸如夹持结构(例如,用于在光刻设备内保持诸如掩模版、掩模、或晶片之类的装置的静电卡盘)之类的支撑件附近去除污染物的方法和系统。


    背景技术:

    1、光刻设备是将所期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上(通常施加到所述衬底的目标部分上)的机器。替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待要形成于晶片的单层上的电路图案。典型地,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上完成图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分。

    2、为了缩短曝光波长,并且因而减小最小可印制大小,使用波长在约5mm至约20nm范围内,例如在约13至约14nm范围内的电磁辐射。这种辐射被称为极紫外(euv)辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或者基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射的源。

    3、euv辐射可以使用等离子体来产生。用于产生euv辐射的辐射系统可以包括:激光器,用于激发燃料以提供等离子体;和源收集器模块,用于容纳等离子体。等离子体可以例如通过将激光束在少量燃料(诸如适当燃料材料(例如锡)的液滴、或合适气体或蒸气(诸如xe气体或li蒸气之类)的流)处进行引导而形成。所形成的等离子体发射了输出辐射,例如euv辐射,其通过使用辐射收集器而被收集。辐射收集器可以是镜像式法向入射辐射收集器,该辐射收集器接收辐射并且将辐射聚焦成一束。所述源收集器模块可以包括封闭结构或腔室,该封闭结构或腔室被布置成提供真空环境以支持所述等离子体。这种辐射源被典型地称为激光产生等离子体(lpp)源。在也可使用激光器的替代系统中,辐射可以由使用放电形成的等离子体产生-放电产生等离子体(dpp)源。一旦产生辐射,就使用图案形成装置对所述辐射进行图案化,且然后将所述辐射传送到晶片的表面。

    4、呈静电卡盘(esc)形式的夹持结构用于光刻设备中,例如,用以在扫描平台上保持图案化用掩模版。掩模版粒子污染(缺陷率)是euv技术中的关键临界参数。为了减轻掩模版污染,可以通过所谓的冲洗来清洁用掩模版平台附近的体积。冲洗涉及在掩模版区域中提供高于正常的气流,以释放(去除)粒子并且将粒子从euv系统中去除。然而,冲洗是相对缓慢的清洁过程,且具有有限效率。

    5、所述夹持结构也可以由所谓的“掩模版压印”来清洁,其中掩模版(可以是牺牲掩模版)压靠在夹持结构上,且然后被取出。在这里和其它地方,将理解到,短语“压靠在夹持结构上”包括由夹紧力引起的按压的情况。这个过程使得夹持结构上的粒子转移到所述掩模版。


    技术实现思路

    1、以下呈现了一个或更多个实施例的简化概述,以便提供对实施例的基本理解。这一概述不是所有预期实施例的详尽综述,且不旨在示出所有实施例的关键或重要元件,也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或更多个实施例的一些构思,作为稍后呈现的更详细描述的序言。

    2、根据一个方面,披露了一种系统,其中通过夹持结构和诸如被定位成面对所述夹持结构的掩模版之类的物品来产生温差。可以通过加热所述物品而不是所述夹持结构、通过冷却所述物品而不是所述夹持结构、通过加热所述夹持结构而不是所述物品、通过冷却所述夹持结构而不是所述物品、或通过物品和夹持结构的其它差别的加热/冷却来产生所述温差。

    3、本发明的另外的特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作将参考附图在下文更详细地进行描述。注意到,本发明不限于本文描述的具体实施例。本文仅出于图示的目的来呈现这些实施例。基于本文包含的教导,相关领域的技术人员将明白另外的实施例。



    技术特征:

    1.一种用于减少位于光刻系统中的夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法,所述方法包括以下步骤:

    2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述力产生步骤之后建立所述温差。

    3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述力产生步骤之前建立所述温差。

    4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过与所述清洁用基底热连通的温度控制单元和与所述夹持结构热连通的第二温度控制单元建立所述温差。

    5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第二温度控制单元是用于将射频能量耦合到所述夹持结构中的模块。

    6.根据权利要求4所述的方法,其中,冷却剂源能够选择性地联接到所述夹持结构,并且其中,所述夹持结构被布置成能够选择性地由辐射加热,并且其中,所述第二温度控制单元包括用于控制所述冷却剂源与所述夹持结构之间的联接的阀。

    7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述温度控制单元包括位于所述清洁用基底的背离所述夹持结构的表面上的辐射吸收涂层,并且其中,所述清洁用基底的表面被布置成能够选择性地受到辐射照射。

    8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述辐射是euv辐射。

    9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述夹持结构是静电卡盘,并且其中,所述力产生步骤包括使所述静电卡盘通电。

    10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述清洁用基底是清洁用掩模版。


    技术总结
    描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后,所述衬底与所述夹持面之间建立温差,以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。

    技术研发人员:J·J·隆巴尔多,R·P·奥尔布赖特,D·L·哈勒,V·A·佩雷斯-福尔肯,A·贾奇
    受保护的技术使用者:ASML控股股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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