本公开描述的实施方案涉及减少状态转换(state transition)后的反射功率的系统和方法。
背景技术：
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分中描述的范围内的当前指定的发明人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、等离子体工具包括射频(rf)产生器、匹配器、和等离子体反应器。rf产生器经由匹配器耦合到等离子体反应器。半导体晶片被放置在等离子体反应器中以进行处理。rf产生器产生rf信号，该信号通过匹配器供应至等离子体反应器。除了rf信号之外，处理气体被提供至等离子体反应器以处理半导体晶片。然而，功率从等离子体反应器朝hf rf产生器反射。这降低了半导体晶片的处理效率。
3、正是在这种背景下，出现了本公开中描述的实施方案。
技术实现思路
1、本公开的实施方案提供了用于减少状态转换后的反射功率的系统和方法。应当理解，本实施方案可以以多种方式实现，例如，工艺、设备、系统、硬件或计算机可读介质上的方法。下面描述了几个实施方案。
2、在一实施方案中，描述了一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率的方法。该方法包含控制该hf rf产生器以将hf rf信号的状态划分成多个子状态。该多个子状态包括第一子状态和第二子状态。该方法还包含控制该hf rf产生器以在该第一子状态期间施加第一参考高频率值和在该第二子状态期间施加第二参考高频率值。该方法包含在该第一子状态期间施加偏离该第一参考高频率值的第一组hf偏移值以及在该第二子状态期间施加偏离该第二参考高频率值的第二组hf偏移值。
3、在一实施方案中，描述了一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率的控制器。该控制器包含处理器，其控制该hf rf产生器以将hf rf信号的状态划分成多个子状态。该多个子状态包括第一子状态和第二子状态。该处理器还控制该hfrf产生器以在该第一子状态期间施加第一参考高频率值和在该第二子状态期间施加第二参考高频率值。该处理器在该第一子状态期间施加偏离该第一参考高频率值的第一组hf偏移值。该处理器在该第二子状态期间施加偏离该第二参考高频率值的第二组hf偏移值。该控制器包含存储器设备，其耦合至该处理器。
4、在一实施方案中，描述了一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率的系统。该系统包含产生lf rf信号的低频(lf)rf产生器。该hf rf产生器产生hf rf信号。该系统包含匹配器，其耦合至该lf rf产生器与该hf rf产生器。该系统包含控制器，其耦合至该lf rf产生器与该hf rf产生器。该控制器控制该hf rf产生器以将该hfrf信号的状态划分成多个子状态。该多个子状态包括第一子状态和第二子状态。该控制器控制该hf rf产生器以在该第一子状态期间施加第一参考高频率值和在该第二子状态期间施加第二参考高频率值。该控制器在该第一子状态期间施加偏离该第一参考高频率值的第一组hf偏移值。该控制器在该第二子状态期间施加偏离该第二参考高频率值的第二组hf偏移值。
5、本文描述的系统和方法的一些优势包括在状态转换后减少反射功率。状态转换在等离子体阻抗中产生干扰。作为干扰的结果，在状态转换后立即向hf rf产生器反射更大量的功率。更大量的反射功率在本文中称为功率突波(glitch)。为了以准确和详细的方式减少反射功率的量，紧接在状态转换后的状态被划分成预定数量的子状态。该划分针对在状态的一段时间内发生的阻抗变化。对于每个子状态，确定参考高频率值和多个hf偏移以减少在状态转换后朝hf rf产生器反射的功率。通过将状态划分成预定数量的状态并通过将参考高频率值和hf偏移分别应用于每个子状态，朝hf rf产生器反射的功率以准确的方式减少。例如，子状态包括第一子状态和第二子状态。在示例中，通过确定第二子状态的参考高频率值，反射朝向hf rf产生器的功率以更准确的计算。
6、结合附图，从以下详细描述中将显而易见一些其他方面。
1.一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率所述的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述状态包括所述转换状态和稳定状态，其中在所述稳定状态期间，所述hf rf信号具有在预定范围内的功率电平，其中在所述转换状态期间，所述hf rf信号具有在所述预定范围外的功率电平。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述控制所述hf rf产生器以将所述状态划分成所述多个子状态包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其还包含：
5.根据权利要求4所述的方法，其还包含在所述延迟期期间避免调谐所述hf rf信号的所述频率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一参考高频率值不同于所述第二参考高频率值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一子状态包括所述转换状态和稳定状态的第一部分，且所述第二子状态包括所述稳定状态的第二部分。
8.一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率的控制器，其包含：
9.根据权利要求8所述的控制器，其中所述状态包括所述转换状态和稳定状态，其中在所述稳定状态期间，所述hf rf信号具有在预定范围内的功率电平，其中在所述转换状态期间，所述hf rf信号具有在所述预定范围外的功率电平。
10.根据权利要求8所述的控制器，其中为了控制所述hf rf产生器以将所述状态划分成所述多个子状态，所述处理器被配置成：
11.根据权利要求8所述的控制器，其中所述处理器被配置成：
12.根据权利要求11所述的控制器，其中所述处理器被配置成在所述延迟期期间避免调谐所述hf rf信号的所述频率。
13.根据权利要求8所述的控制器，其中所述第一参考高频率值不同于所述第二参考高频率值。
14.根据权利要求8所述的控制器，其中所述第一子状态包括所述转换状态和稳定状态的第一部分，且所述第二子状态包括所述稳定状态的第二部分。
15.一种用于减少转换状态后与高频(hf)射频(rf)产生器相关的反射功率的系统，其包含：
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述状态包括所述转换状态和稳定状态，其中在所述稳定状态期间，所述hf rf信号具有在预定范围内的功率电平，其中在所述转换状态期间，所述hf rf信号具有在所述预定范围外的功率电平。
17.根据权利要求15所述的系统，其中为了控制所述hf rf产生器以将所述状态划分成所述多个子状态，所述控制器被配置成：
18.根据权利要求15所述的系统，其中所述控制器被配置成：
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述控制器被配置成在所述延迟期期间避免调谐所述hf rf信号的所述频率。
20.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一参考高频率值不同于所述第二参考高频率值。
