本公开涉及一种电容器。
背景技术：
1、以往，提出了多种电容器。专利文献1(日本特开2017-103412号公报)中公开了：“一种固体电解电容器，其具备阳极体、配置在所述阳极体的表面上的电介质层以及配置在所述电介质层的表面上且使用具有1(s/cm)以上的电导率的氧化锌构成的固体电解质层”。
2、专利文献2(日本特开2020-35890号公报)中公开了：“一种固体电解电容器，其具备由阀金属构成的阳极体、形成于所述阳极体的表面上的电介质层、形成于所述电介质层上的半导体层和形成于所述半导体层上的阴极层，其中，所述半导体层由p型无机半导体构成”。
3、专利文献3(国际公开第2015/059913号)中公开了：“一种电解电容器，其具备表面上形成有电介质层的阳极体、表面上形成有镍层的阴极体以及形成于所述阳极体与所述阴极体之间、且含有导电性高分子的固体电解质，其特征在于：所述镍层在所述镍层的厚度方向切断的断面中，含有与所述厚度方向垂直的方向上的长度为50nm以上的镍的晶粒”。另外，专利文献3中公开了镍层的功函数大于导电性高分子的功函数的电解电容器。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2017-103412号公报
7、专利文献2：日本特开2020-35890号公报
8、专利文献3：国际公开第2015/059913号
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、现在，一直在寻求esr低的电容器。在这样的状况下，本公开的目的之一是提供可降低等效串联阻抗(esr)的电容器。
3、用于解决课题的手段
4、本公开的一个方案涉及一种电容器。该电容器包含表面上形成有电介质层的阳极体、阴极引出层以及配置在所述电介质层与所述阴极引出层之间且与所述阴极引出层接触的n型半导体层，其中，构成所述n型半导体层的n型半导体的功函数为构成所述阴极引出层的无机导电性材料的功函数以上。
5、本公开的另一个方案涉及另一电容器。该另一电容器包含表面上形成有电介质层的阳极体、阴极引出层以及配置在所述电介质层与所述阴极引出层之间且与所述阴极引出层接触的p型半导体层，其中，构成所述p型半导体层的p型半导体的功函数为构成所述阴极引出层的无机导电性材料的功函数以下。
6、本公开的又一个方案涉及又一个电容器。该又一个电容器包含表面上形成有电介质层的阳极体、阴极引出层以及配置在所述电介质层与所述阴极引出层之间且与所述阴极引出层接触的导电性高分子层，其中，所述导电性高分子层由显示p型半导体特性的导电性高分子构成，所述导电性高分子的功函数为构成所述阴极引出层的无机导电性材料的功函数以下。
7、发明效果
8、根据本公开，可得到能降低esr的电容器。
9、本发明的新颖的特征记述于所附的权利要求书中，但本发明关于构成及内容这两者，通过与本发明的其它目的及特征一起参照附图的以下的详细说明而可以更加清楚地理解。
1.一种电容器，其包含：
2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述n型半导体为zno、铟锡氧化物、in2o3及ga2o3中的任1种。
3.根据权利要求1或2所述的电容器，其中，所述n型半导体的功函数为4.65ev以上。
4.一种电容器，其包含：
5.根据权利要求4所述的电容器，其中，所述p型半导体为nio、mno2及cuino2中的任1种。
6.根据权利要求4或5所述的电容器，其中，所述p型半导体的功函数为4.90ev以下。
7.一种电容器，其包含：
8.根据权利要求7所述的电容器，其中，所述无机导电性材料的功函数wi3(ev)和所述导电性高分子的电离势ip(ev)满足(ip-wi3)≤0.2。
9.根据权利要求7或8所述的电容器，其中，所述导电性高分子是在聚吡咯系聚合物中添加了磺酸盐作为掺杂剂的导电性高分子。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的电容器，其中，所述导电性高分子的电离势为5.11ev以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电容器，其中，所述无机导电性材料含有选自导电性碳、银、铜、金及铂中的至少1种。
