本公开总体涉及半导体，更具体地涉及具有降低的r/c的接触插塞及其形成方法。
背景技术：
1、在集成电路的制造中，源极/漏极接触插塞用于连接到晶体管的源极和漏极区域。源极/漏极接触插塞通常连接到源极/漏极硅化物区域。源极/漏极接触插塞的形成包括在层间电介质中形成接触开口，沉积延伸到接触开口中的金属层，然后执行退火工艺以使金属层与源极/漏极区域的硅/锗反应。然后在剩余的接触开口中形成源极/漏极接触插塞。还形成栅极接触插塞以连接到晶体管的栅极。
技术实现思路
1、在一方面中，提供一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在接触开口中和源极/漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；执行处理工艺，使得对接触间隔物进行处理，其中处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组；在粘附层上方沉积金属阻挡物；沉积金属材料以填充接触开口；以及执行平坦化工艺以去除金属材料的位于层间电介质上方的多余部分。
2、在另一方面中，提供一种方法，包括：在电介质层的侧壁上形成介电间隔物，其中侧壁面对电介质层中的开口，并且介电间隔物围绕开口；在介电间隔物上沉积延伸到开口中的金属阻挡物；对金属阻挡物和介电间隔物执行处理工艺，其中通过处理工艺降低介电间隔物的介电常数；在金属阻挡物上沉积金属材料，其中金属材料填充开口；以及对金属材料执行平坦化工艺。
3、在又一方面中，一种方法，包括：在电介质层的侧壁上形成介电间隔物，其中介电间隔物围绕开口；在介电间隔物上沉积延伸到开口中的粘附层；在粘附层上沉积延伸到开口中的金属阻挡物；对金属阻挡物、粘附层以及介电间隔物执行处理工艺；执行蚀刻工艺以去除金属阻挡物和粘附层的一些部分，以露出介电间隔物；通过自下而上的沉积工艺沉积金属材料以填充开口；以及对金属材料执行平坦化工艺。
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述粘附层和所述金属阻挡物之后执行所述处理工艺。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述处理工艺之后，去除所述粘附层和所述金属阻挡物的顶部部分和侧壁部分，其中所述金属材料从所述粘附层和所述金属阻挡物在所述接触开口的底部的底部部分开始填充。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在去除所述粘附层和所述金属阻挡物的顶部部分和侧壁部分之后，使用包括氧气的工艺气体对所述接触间隔物执行钝化工艺。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述工艺气体还包括氢气。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述钝化工艺之后，使用氢气执行还原工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述金属阻挡物之前执行所述处理工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在沉积所述粘附层之后执行所述处理工艺。
9.一种方法，包括：
10.一种方法，包括：
