本发明涉及显示，特别是一种芯片制备方法及芯片。
背景技术：
1、近些年来，随着增强现实和虚拟现实等新兴技术的出现，在显示技术领域，对于led的自发光光源的需求快速增长，micro-led在器件可靠性和寿命上具有显著优势。micro-led显示已经广泛应用，高集成的mip(micro i n package)被广泛地应用到背光、vr屏幕、大小型显示屏等领域。
2、然而在封装环节，针对led屏幕有一个很大的问题：偏色。这个影响因素很多，例如分光分色时的工艺偏差，不同批次的led光电参数不一致，固晶时的位置偏差等，那么就是影响led灯珠的发光波长、亮度及视点。
3、目前的解决方法是混灯，把所有同色的led灯混均匀后，再封装在显示面板上，可以避免led模组局部偏色问题。但由于mip的fanout(扇出)引线方式根据芯片颜色的定义，因此存在在焊盘位置不变的情况下，led颜色无法实现任意摆放的问题，进而导致混灯效果差。
技术实现思路
1、为了实现上述目的，本发明提供一种芯片制备方法，包括如下步骤：
2、在具有若干像素单元的透明基板上制备包覆像素单元的封装层，所述像素单元包括至少三种单色发光元件，且至少一个所述像素单元的单色发光元件排布方式与其它所述像素单元的单色发光元件排布方式不相同；
3、在所述封装层上形成与所述单色发光元件的电极相对应的第一窗口；
4、在所述封装层上方依次制备第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层，所述第一金属层包括第一布线区和第一焊盘区，所述第二金属层包括第二布线区和第二焊盘区，所述像素单元中的部分电极通过所述第一布线区与所述第一焊盘区连接，另一部分电极通过所述第二布线区与所述第二焊盘区连接；
5、其中，所述第一焊盘区、所述第二焊盘区共同形成若干焊盘单元，所述焊盘单元与所述像素单元一一对应，所述焊盘单元包括公共焊盘和与所述单色发光元件一一对应的若干单焊盘，所有所述焊盘单元的焊盘排布方式相同。
6、作为本发明的进一步改进，制备具有若干像素单元的透明基板包括如下步骤：
7、在基板上形成发射不同颜色光线的至少三种单色发光元件；
8、自所述基板剥离所述单色发光元件，并将所述单色发光元件转移至中转板，将发射不同颜色光线的单色发光元件组合得到若干像素单元；
9、将所述像素单元转移至透明基板。
10、作为本发明的进一步改进，采用激光巨量转移方法将所述单色发光元件转移至所述中转板。
11、作为本发明的进一步改进，将发射不同颜色光线的单色发光元件随机排布以得到若干所述像素单元。
12、作为本发明的进一步改进，所述单色发光元件包括红光发光元件、绿光发光元件和蓝光发光元件，所述红光发光元件、所述绿光发光元件和所述蓝光发光元件呈品字形排布。
13、作为本发明的进一步改进，所述单焊盘包括与所述红光发光元件连接的第一焊盘、与所述绿光发光元件连接的第二焊盘、与所述蓝光发光元件连接的第三焊盘，沿逆时针方向，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘的排布方式与所述红光发光元件、所述蓝光发光元件、所述绿光发光元件的排布方式不同。
14、作为本发明的进一步改进，所述第一金属层的制备包括如下步骤，
15、在所述封装层上形成图形化的第一槽；
16、在所述第一槽内形成所述第一金属层，所述第一金属层与部分裸露的电极连接；
17、所述第一绝缘层的制备包括如下步骤，
18、在所述第一金属层上形成第一绝缘原层；
19、在所述第一绝缘原层上形成图形化的第二窗口，以裸露未与所述第一金属层连接的电极和所述第一焊盘区；
20、所述第二金属层的制备包括如下步骤，
21、在所述第一绝缘层上形成图形化的第二槽；
22、在所述第二槽内形成所述第二金属层，所述第二金属层与所述第一绝缘层中裸露的电极连接；
23、所述第二绝缘层的制备包括如下步骤，
24、在所述第二金属层上形成第二绝缘原层；
25、在所述第二绝缘原层上形成图形化的第三窗口，以裸露所述第一焊盘区和所述第二焊盘区。
26、作为本发明的进一步改进，所述第一金属层和所述第二金属层选自cu层、cr层、al层、t i层、pt层、au层中的一种或多种的组合；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层选自氧化硅层、氮氧化硅层中的一种或多种的组合。
27、本发明还提供一种芯片，其包括：
28、若干像素单元，所述像素单元内具有用以发射不同颜色光线的至少三个单色发光元件，且至少一个所述像素单元的单色发光元件排布方式与其它所述像素单元内单色发光元件排布方式不相同；
29、与所述像素单元对应设置的焊盘单元，所述焊盘单元包括同时与所有所述单色发光元件连接的公共焊盘和与所述单色发光元件一一对应连接的若干单焊盘，所有所述焊盘单元的焊盘排布方式相同。
30、作为本发明的进一步改进，芯片还包括透明基板，若干所述像素单元位于所述透明基板上，所述透明基板上具有包覆所述像素单元的封装层，所述封装层具有与所述单色发光元件的电极相对应的第一窗口；
31、位于所述封装层上的所述第一金属层、位于所述第一金属层上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二金属层、位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第一金属层包括第一布线区和第一焊盘区，所述第二金属层包括第二布线区和第二焊盘区，所述像素单元中的部分电极通过所述第一布线区与所述第一焊盘区连接，另一部分电极通过所述第二布线区与所述第二焊盘区连接；
32、其中，所述第一焊盘区、所述第二焊盘区共同形成所述焊盘单元。
33、作为本发明的进一步改进，所述像素单元内的多个单色发光元件随机排布。
34、作为本发明的进一步改进，所述单色发光元件包括红光发光元件、绿光发光元件和蓝光发光元件，所述单焊盘包括与所述红光发光元件连接的第一焊盘、与所述绿光发光元件连接的第二焊盘、与所述蓝光发光元件连接的第三焊盘。
35、本发明的有益效果：本发明针对rgb三色发光元件排布方式不同的像素单元，通过所述第一金属层、所述第二金属层搭配所述第一绝缘层实现了焊盘位置的不变，可以与现有的封装显示面板相兼容；同时可以按照任意方式对rgb三色芯片位置进行排列组合，从而避免了三色芯片位置固定，导致固定角度偏色程度一致，影响显示效果，能够制造高混合度、低偏色效果的显示屏。
1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于：制备具有若干像素单元的透明基板包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的芯片制备方法，其特征在于：采用激光巨量转移方法将所述单色发光元件转移至所述中转板。
4.根据权利要求2所述的芯片制备方法，其特征在于：将发射不同颜色光线的单色发光元件随机排布以得到若干所述像素单元。
5.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于：所述单色发光元件包括红光发光元件、绿光发光元件和蓝光发光元件，所述红光发光元件、所述绿光发光元件和所述蓝光发光元件呈品字形排布。
6.根据权利要求5所述的芯片制备方法，其特征在于：所述单焊盘包括与所述红光发光元件连接的第一焊盘、与所述绿光发光元件连接的第二焊盘、与所述蓝光发光元件连接的第三焊盘，沿逆时针方向，所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘的排布方式与所述红光发光元件、所述蓝光发光元件、所述绿光发光元件的排布方式不同。
7.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于：所述第一金属层的制备包括如下步骤，
8.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于：所述第一金属层和所述第二金属层选自cu层、cr层、al层、ti层、pt层、au层中的一种或多种的组合；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层选自氧化硅层、氮氧化硅层中的一种或多种的组合。
9.一种芯片，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于：还包括透明基板，若干所述像素单元位于所述透明基板上，所述透明基板上具有包覆所述像素单元的封装层，所述封装层具有与所述单色发光元件的电极相对应的第一窗口；
11.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于：所述像素单元内的多个单色发光元件随机排布。
12.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于：所述单色发光元件包括红光发光元件、绿光发光元件和蓝光发光元件，所述单焊盘包括与所述红光发光元件连接的第一焊盘、与所述绿光发光元件连接的第二焊盘、与所述蓝光发光元件连接的第三焊盘。
