本发明涉及硅片背封加工，具体涉及一种超级背封的加工工艺方法。
背景技术：
1、在半导体制造行业中，硅片的表面质量对最终产品的性能至关重要。在化学气相沉积(cvd)工艺中，硅片表面的质量对于后续的加工流程和最终产品性能尤为关键。然而在现有技术中，硅片在cvd热制程加工过程中经常在表面留下缺陷，划伤，印记等。
2、在超级背封工艺（sio2 lto 膜+ poly si膜）中，经历两次cvd加工，因此硅片表面出现缺陷的风险进一步增大，严重的会导致产品报废。第一次cvd加工（lto膜）如果在晶片表面留下缺陷，再第二层poly膜沉积后会被包裹在poly膜内，后续的抛光难以将其完全去除，降低最终产品的良率。
技术实现思路
1、本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种超级背封的加工工艺方法，其通过超级背封产品加工过程的两道cvd之间加入一次cmp，再在背封工艺完成后进行最终cmp，改善晶片正面印记、划伤、污迹等缺陷。使得加工的硅晶片正面缺陷更少，产品良率极大提升。
2、本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种超级背封的加工工艺方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：对完成双面抛光加工的硅晶片，进行第一次apcvd加工，使硅晶片背面镀上一层二氧化硅薄膜即lto膜，薄膜厚为0.3～0.6μm。
5、第二步：长第一层二氧化硅薄膜的硅晶片洗净后，对硅晶片正面进行化学机械抛光cmp。使硅晶片正面的污迹，印记等缺陷初步去除，便于下一步加工。
6、第三步：进行第二次lpcvd加工，使硅晶片镀上一层多晶硅膜即poly膜，多晶硅膜厚约为0.3～0.8μm。
7、第四步：对硅晶片正面进行第二次cmp加工，得到超级背封的抛光片成品。
8、去除第二次lpcvd加工中正面残留的多晶硅薄膜，同时通过最终化学机械抛光得到平整、光滑、无外观缺陷的最终抛光片成品。
9、硅晶片加工中的cmp是使用抛光液和抛光布，配合设备使用化学腐蚀和机械研磨方式去除硅片表面损伤层
10、作为优选，第一次apcvd加工的二氧化硅薄膜进行抛光的去除量0.1～0.5μm。
11、作为优选，第二次cmp加工的抛光去除量约为0.5～1μm。
12、作为优选，apcvd加工时在apcvd设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用。
13、作为优选，反应时apcvd设备通入的硅烷和氧气比例为2:19，且托盘运行速度为325～355mm/min。
14、本发明能够达到如下效果：
15、本发明提供了一种超级背封的加工工艺方法，与现有技术相比较，通过超级背封产品加工过程的两道cvd之间加入一次cmp，再在背封工艺完成后进行最终cmp，改善晶片正面印记、划伤、污迹等缺陷。使得加工的硅晶片正面缺陷更少，产品良率极大提升。
1.一种超级背封的加工工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的超级背封的加工工艺方法，其特征在于：第一次apcvd加工的二氧化硅薄膜进行抛光的去除量0.1～0.5μm。
3.根据权利要求2所述的超级背封的加工工艺方法，其特征在于：第二次cmp加工的抛光去除量约为0.5～1μm。
4.根据权利要求1所述的超级背封的加工工艺方法，其特征在于：apcvd加工时在apcvd设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用。
5.根据权利要求4所述的超级背封的加工工艺方法，其特征在于：反应时apcvd设备通入的硅烷和氧气比例为2:19，且托盘运行速度为325～355mm/min。
