本发明实涉及显示，尤其涉及一种发光芯片、显示芯片及其制作方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，led)具有亮度高、电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点，使其在显示领域的应用越来越广。micro-led，即微型发光二极管，是在传统led基础上将其尺寸进一步缩小至微米量级。micro-led显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到显示基板上，用可独立发光的红、蓝、绿微型发光二极管成阵列排列形成高密度led阵列的显示技术。由于微型发光二极管芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与液晶显示器(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
2、现有技术中，在micro-led进行巨量转移时，对巨量转移的制程条件要求比较高，降低了巨量转移的制程良率，增加了巨量转移成本。
技术实现思路
1、本发明提供一种发光芯片、显示芯片及其制作方法，以提高发光芯片的巨量转移的制程良率，降低巨量转移成本。
2、第一方面，本发明实施例提供了一种发光芯片，包括发光单元和至少一层电极层；
3、所述发光单元包括层叠设置的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层；所述发光单元在所述第一类型半导体层远离所述发光层的一侧具有第一表面，所述发光单元在所述第二类型半导体层远离所述发光层的一侧具有第二表面；所述电极层与所述第一类型半导体层连接，并延伸至所述第二表面，且与所述第二类型半导体层绝缘；和/或，所述电极层与所述第二类型半导体层连接，并延伸至所述第一表面，且与所述第一类型半导体层绝缘。
4、可选地，发光芯片还包括至少一层绝缘层；
5、所述绝缘层设置于所述发光单元的侧面，并延伸至所述第一表面或所述第二表面；所述电极层设置于所述绝缘层远离所述发光单元的一侧；所述电极层在所述第一表面上的垂直投影在所述绝缘层在所述第一表面上的垂直投影内；和/或，所述电极层在所述第二表面上的垂直投影在所述绝缘层在所述第二表面上的垂直投影内。
6、可选地，所述电极层包括第一电极层，所述绝缘层包括第一绝缘层；
7、所述第一绝缘层设置于所述发光单元的第一侧面，并延伸至所述第二表面；所述第一电极层与所述第一类型半导体层连接，并延伸至所述第二表面，所述第一电极层在所述第二表面上的垂直投影位于所述第一绝缘层在所述第二表面上的垂直投影内。
8、可选地，所述电极层还包括第二电极层，所述绝缘层还包括第二绝缘层；
9、所述第二绝缘层设置于所述发光单元的第二侧面，并延伸至所述第一表面；所述第二电极层与所述第二类型半导体层连接，并延伸至所述第一表面，所述第二电极层在所述第一表面上的垂直投影位于所述第二绝缘层在所述第一表面上的垂直投影内。
10、可选地，在所述第一表面和/或所述第二表面上，所述第一电极层远离所述发光单元一侧的表面与所述第二电极层远离所述发光单元一侧的表面位于同一平面内。
11、可选地，所述发光单元还包括至少一层导电层，所述导电层设置于所述第一类型半导体层远离所述发光层的一侧，和/或，所述导电层设置于所述第二类型半导体层远离所述发光层的一侧。
12、可选地，所述第一类型半导体层为n型半导体层，所述第二类型半导体层为p型半导体层；或者，所述第一类型半导体层为p型半导体层，所述第二类型半导体层为n型半导体层。
13、第二方面，本发明实施例还提供了一种显示芯片，包括至少一个导电结构、至少两个引出电极以及至少两个第一方面所述的发光芯片；
14、至少两个所述发光芯片堆叠设置，所述导电结构连接相邻所述发光芯片同一类型半导体层或不同类型半导体层对应连接的电极层，每个所述引出电极与一个所述发光芯片的另一类型半导体层连接；或者，每个所述引出电极与一个所述发光芯片另一类型半导体层对应连接的电极层连接。
15、可选地，显示芯片还包括基板；所述基板上设置有公共焊盘和至少两个独立焊盘，所述公共焊盘与所述导电结构对应连接的电极层连接，每个所述引出电极与一个所述独立焊盘连接。
16、第三方面，本发明实施例还提供了一种显示芯片的制作方法，用于制作第二方面所述的显示芯片，所述显示芯片的制作方法包括：
17、将一层发光芯片转移至基板上，一层所述发光芯片的一电极层与所述基板上的公共焊盘连接，一层所述发光芯片的另一电极层或一半导体层与所述基板上的一独立焊盘连接；在一层所述发光芯片中，所述半导体层与一所述电极层绝缘；
18、在所述发光芯片远离所述基板的一侧形成引出电极和导电结构，所述引出电极与所述基板上的另一独立焊盘连接，所述导电结构与一层所述发光芯片的一电极层连接；
19、将另一层发光芯片转移至一层所述发光芯片远离所述基板的一侧，另一层所述发光芯片的一电极层与所述导电结构连接，另一层所述发光芯片的另一电极层或一半导体层与所述引出电极连接，在另一层所述发光芯片中，所述半导体层与一所述电极层绝缘。
20、本发明实施例的技术方案，通过电极层与第一类型半导体层连接，并延伸至第二表面，且与第二类型半导体层绝缘；和/或，电极层与第二类型半导体层连接，并延伸至第一表面，且与第一类型半导体层绝缘。可以使得发光芯片的第一表面和第二表面至少同时具有第一电极和第二电极中的至少一个，在对发光芯片进行巨量转移时，既可以将发光芯片的第一表面面向基板，也可以将发光芯片的第二表面面向基板，降低了发光芯片的姿态要求，进而降低了发光芯片在巨量转移过程中的制程要求，降低了巨量转移的成本，同时有利于提高巨量转移的制程良率。
1.一种发光芯片，其特征在于，包括发光单元和至少一层电极层；
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，还包括至少一层绝缘层；
3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层包括第一电极层，所述绝缘层包括第一绝缘层；
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述电极层还包括第二电极层，所述绝缘层还包括第二绝缘层；
5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，在所述第一表面和/或所述第二表面上，所述第一电极层远离所述发光单元一侧的表面与所述第二电极层远离所述发光单元一侧的表面位于同一平面内。
6.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光单元还包括至少一层导电层，所述导电层设置于所述第一类型半导体层远离所述发光层的一侧，和/或，所述导电层设置于所述第二类型半导体层远离所述发光层的一侧。
7.根据权利要求1-6任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一类型半导体层为n型半导体层，所述第二类型半导体层为p型半导体层；或者，所述第一类型半导体层为p型半导体层，所述第二类型半导体层为n型半导体层。
8.一种显示芯片，其特征在于，包括至少一个导电结构、至少两个引出电极以及至少两个权利要求1-7任一项所述的发光芯片；
9.根据权利要求8所述的显示芯片，其特征在于，还包括基板；所述基板上设置有公共焊盘和至少两个独立焊盘，所述公共焊盘与所述导电结构对应连接的电极层连接，每个所述引出电极与一个所述独立焊盘连接。
10.一种显示芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求8或9所述的显示芯片，所述显示芯片的制作方法包括：
