静态强磁场无光纤DFB激光器激光光谱特性测试装置的制作方法

    技术2025-05-15  16


    本技术属于光谱特性测试领域,具体为静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置。


    背景技术:

    1、在现代科技领域中,激光器已经广泛应用于医疗、通信、制造等领域,并成为了现代技术和科研的重要工具。激光器的光谱特性是激光产生的重要基础之一,对于研究激光器的物理特性以及应用具有重要意义,因此光谱特性检测装置也成为检测中必不可少的仪器,但是普通无光纤检测装置存在一些难以解决的问题:普通检测装置体型较大、结构复杂,成本高,对于初创小型企业没有过多经费购买较为高端的精密仪器,对企业发展具有一定局限性,因此缺少一款体型小巧、检测速度快、成本低廉的测试设备。


    技术实现思路

    1、针对以上所述,本实用新型提供静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

    2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置,包括装置主体,所述装置主体包括大功率可调直流电源、磁场装置、dfb激光器激光频率检测装置,所述磁场装置包括为磁场提供磁路并引导磁场的c型软铁芯、缠绕在c型软铁芯上并在c型软铁芯开口处产生静态强磁场的大功率直流线圈;所述dfb激光器激光频率检测装置位于c型软铁芯开口处前方,dfb激光器激光频率检测装置整体呈方形的盒体,盒体内部依次设置有发射激光的dfb激光器、反射激光进行测试的测试组件、收集光学图像的收集组件;所述测试组件包括将一路光平均分成透射光及反射光两路光的第一光学半反射镜、使透射光穿过的透射组件、使反射光穿过的反射组件,第一光学半反射镜整体呈倾斜45度位于dfb激光器正前方,所述反射组件及收集组件与c型软铁芯开口处在同一水平线上,使第一光学半反射镜的反射光经过强磁场;所述透射组件位于第一光学半反射镜正前方,其包括将激光经过多次反射的第一光学晶体谐振腔、反射透射光的第一光学全反射镜,第一光学全反射镜整体呈倾斜45度位于第一光学晶体谐振腔正前方,所述dfb激光器、第一光学半反射镜、第一光学晶体谐振腔、第一光学全反射镜在同一水平线上,方便透射光穿过;所述反射组件位于第一光学半反射镜正上方,其包括反射第一光学半反射镜反射光的第二光学全反射镜、经过强磁场并将激光经过多次反射的第二光学晶体谐振腔,第二光学全反射镜整体呈倾斜45度位于第一光学半反射镜正上方;第二光学晶体谐振腔正前方及第一光学全反射镜正上方设置有汇集折射光及透射光的第二光学半反射镜,第二光学半反射镜整体呈倾斜45度摆放;第二光学半反射镜正前方依次设置有将透射光及反射光放大成像的光纤透镜、显示透射光及反射光两路激光干涉产生条纹的毛玻光学成像板、采集毛玻光学成像板上条纹图像的光学图像采集摄像头。

    3、进一步,所述大功率可调直流电源输出端与磁场装置输入端连接,为大功率直流线圈提供大功率的直流电流,以产生静态强磁场。

    4、进一步,所述盒体与c型软铁芯开口水平对应位置设置有开口,使激光穿过,便于检测。

    5、本实用新型的有益效果是:装置主体总体体型较小、结构简单、检测速度快,且成本较低,对于一些小型企业来说装置主体价格较为低廉,且能达到实际应用的效果,能够加快企业的发展。



    技术特征:

    1.静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置,包括装置主体,其特征在于:所述装置主体包括大功率可调直流电源、磁场装置、dfb激光器激光频率检测装置,所述磁场装置包括为磁场提供磁路并引导磁场的c型软铁芯、缠绕在c型软铁芯上并在c型软铁芯开口处产生静态强磁场的大功率直流线圈;

    2.根据权利要求1所述的静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置,其特征在于:所述大功率可调直流电源输出端与磁场装置输入端连接。

    3.根据权利要求1所述的静态强磁场无光纤dfb激光器激光光谱特性测试装置,其特征在于:所述盒体与c型软铁芯开口水平对应位置设置有开口。


    技术总结
    静态强磁场无光纤DFB激光器激光光谱特性测试装置,包括装置主体,所述装置主体包括大功率可调直流电源、磁场装置、DFB激光器激光频率检测装置,所述磁场装置包括C型软铁芯、大功率直流线圈;所述DFB激光器激光频率检测装置包括盒体、DFB激光器、测试组件、收集组件;测试组件包括第一光学半反射镜、透射组件、反射组件、测试组件前方设置有光纤透镜、毛玻光学成像板、光学图像采集摄像头。使用时,DFB激光器发射激光,激光达到第一光学半反射镜时分成透射光及反射光,反射光及透射光在第二光学半反射镜处聚集,第二光学半反射镜的反射及透射穿过光纤透镜放大成像至毛玻光学成像板上,最后通过光学图像采集摄像头采集毛玻光学成像板上的条纹图像。

    技术研发人员:王凯
    受保护的技术使用者:蕲春县同富电子科技有限公司
    技术研发日:20240322
    技术公布日:2024/10/24
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