本发明涉及半导体光刻，特别涉及一种局部工艺热点的修正方法及系统。
背景技术：
1、随着先进工艺技术的发展，光刻工艺窗口变得越来越小，尤其是后段金属互联层的版图结构特别复杂，导致版图本身的工艺裕量留给opc(optical proximitycorrection，光学邻近效应)的修正空间也变得不足。具体表现在：一方面，有些图形本身就由于opc软件算法的收敛问题导致不易被修正，另一方面，有些图形即便是被勉强opc修正后，其工艺窗口也非常小，导致hotspot(工艺热点，或者说坏点)问题的难解。同时，对于金属层上的hotspot，大部分在布线的时候才能被发现，严重制约新产品的工艺研发周期。
2、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种局部工艺热点的修正方法及系统，以解决工艺热点的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种局部工艺热点的修正方法，包括：
3、提供含有工艺热点的局部版图；
4、所述工艺热点在版图的当前层中：待修正的目标图形周围布置有环境图形，所述环境图形背离所述目标图形的一侧若存在opc修正裕量，则移动部分的所述环境图形，若不存在则修改所述环境图形的形状，以增大所述环境图形与所述目标图形之间的间距，消除工艺热点；
5、所述工艺热点在版图的金属层之间：修改至少一金属层的位置和/或尺寸，以消除工艺热点；
6、在消除工艺热点后，对全局版图进行opc修正。
7、优选地，若存在opc修正裕量，则移动部分的所述环境图形直至所述目标图形与所述环境图形之间的间距满足所需距离。
8、优选地，若不存在则修改所述环境图形靠近所述目标图形一侧的形状，以在所述环境图形靠近所述目标图形一侧形成凹陷。
9、优选地，修改后的环境图形的所述凹陷处与所述目标图形之间的间距为(1+1/2)s，其中，修改前的环境图形与所述目标图形之间的间距为s。
10、优选地，在修改至少一金属层的位置和/或尺寸后，还修改与之相连的通孔位置。
11、基于相同的技术构思，本公开还提供一种局部工艺热点的修正系统，包括：
12、工艺热点检测模块，提供含有工艺热点的局部版图；
13、当前层修正模块，用于修正版图的当前层中的工艺热点，其中，待修正的目标图形周围布置有环境图形，所述环境图形背离所述目标图形的一侧若存在opc修正裕量，则移动部分的所述环境图形，若不存在则修改所述环境图形的形状，以增大所述环境图形与所述目标图形之间的间距，消除工艺热点；
14、金属层修正模块，用于修正版图的金属层之间的工艺热点，所述金属层修正模块通过修改至少一金属层的位置和/或尺寸，以消除工艺热点；
15、opc修正模块，用于对全局版图进行opc修正。
16、优选地，若存在opc修正裕量，则所述当前层修正模块移动部分的所述环境图形直至所述目标图形与所述环境图形之间的间距满足所需距离。
17、优选地，若不存在则所述当前层修正模块修改所述环境图形靠近所述目标图形一侧的形状，以在所述环境图形靠近所述目标图形一侧形成凹陷。
18、优选地，修改后的环境图形的所述凹陷处与所述目标图形之间的间距为(1+1/2)s，其中，修改前的环境图形与所述目标图形之间的间距为s。
19、优选地，在所述金属层修正模块修改至少一金属层的位置和/或尺寸后，还修改与之相连的通孔位置。
20、在本发明提供的局部工艺热点的修正方法中，通过考虑opc修正裕量，来移动环境图形或者修改环境图形来扩大修正面积方法，以及协同局部版图对金属层间的工艺热点进行修正，并在此基础上进行opc修正，可显著消除不易处理的hotspot，扩大光刻工艺窗口，提升opc的修正效果。
21、本发明提供的局部工艺热点的修正系统与本发明提供的局部工艺热点的修正方法属于同一发明构思，因此，本发明提供的局部工艺热点的修正系统至少具有本发明提供的局部工艺热点的修正方法的所有优点，在此不再赘述。
1.一种局部工艺热点的修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的局部工艺热点的修正方法，其特征在于，若存在opc修正裕量，则移动部分的所述环境图形直至所述目标图形与所述环境图形之间的间距满足所需距离。
3.根据权利要求1所述的局部工艺热点的修正方法，其特征在于，若不存在则修改所述环境图形靠近所述目标图形一侧的形状，以在所述环境图形靠近所述目标图形一侧形成凹陷。
4.根据权利要求3所述的局部工艺热点的修正方法，其特征在于，修改后的环境图形的所述凹陷处与所述目标图形之间的间距为(1+1/2)s，其中，修改前的环境图形与所述目标图形之间的间距为s。
5.根据权利要求1所述的局部工艺热点的修正方法，其特征在于，在修改至少一金属层的位置和/或尺寸后，还修改与之相连的通孔位置。
6.一种局部工艺热点的修正系统，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的局部工艺热点的修正系统，其特征在于，若存在opc修正裕量，则所述当前层修正模块移动部分的所述环境图形直至所述目标图形与所述环境图形之间的间距满足所需距离。
8.根据权利要求6所述的局部工艺热点的修正系统，其特征在于，若不存在则所述当前层修正模块修改所述环境图形靠近所述目标图形一侧的形状，以在所述环境图形靠近所述目标图形一侧形成凹陷。
9.根据权利要求8所述的局部工艺热点的修正系统，其特征在于，修改后的环境图形的所述凹陷处与所述目标图形之间的间距为(1+1/2)s，其中，修改前的环境图形与所述目标图形之间的间距为s。
10.根据权利要求6所述的局部工艺热点的修正系统，其特征在于，在所述金属层修正模块修改至少一金属层的位置和/或尺寸后，还修改与之相连的通孔位置。
