显示面板及显示装置的制作方法

    技术2025-04-12  7


    本申请属于显示,具体涉及一种显示面板及显示装置。


    背景技术:

    1、ffs(fringe field switching,边缘场开关技术)液晶显示装置以其广视角及高穿透等特点成为面板市场主流面板之一。随着市场需求变化,显示面板逐步向高能效、低功耗方向发展。要实现高分辨率下极致低功耗等目标,需要显示面板有较低的背光功耗,即显示面板的穿透率越高越好。然而,目前显示面板的穿透率仍有提升空间,使得功耗仍旧偏高,能效不足。


    技术实现思路

    1、实用新型目的:本申请实施例提供一种显示面板,旨在解决目前的显示面板的像素穿透不足的技术问题;本申请实施例的另一目的是提供一种显示装置。

    2、技术方案:本申请实施例所述的一种显示面板,包括:

    3、衬底;

    4、多行晶体管阵列,设置于所述衬底上,所述多行晶体管阵列沿第一方向排列设置,每行所述晶体管阵列包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管沿第二方向交替间隔设置,所述第二方向与所述第一方向相交;

    5、多行像素电极阵列,设置于所述衬底上,所述多行像素电极阵列沿所述第一方向排列设置,每行所述像素电极阵列包括沿所述第二方向排列的多个像素电极;

    6、其中,每行所述晶体管阵列设置于相邻两行所述像素电极阵列之间,每行所述晶体管阵列的所述多个第一薄膜晶体管与位于所述晶体管阵列一侧的所述多个像素电极一一对应连接,且所述多个第二薄膜晶体管与位于所述晶体管阵列另一侧的所述多个像素电极一一对应连接。

    7、在一些实施例中,相邻两行所述晶体管阵列之间设有两行所述像素电极阵列,两行所述像素电极阵列的所述像素电极间隔绝缘设置。

    8、在一些实施例中,两行所述像素电极阵列的所述像素电极关于两行所述像素电极阵列的中轴线对称设置。

    9、在一些实施例中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括栅极和设置于所述栅极远离所述衬底一侧的源极和漏极;所述显示面板还包括:

    10、第一透明电极层,设置于所述衬底和所述栅极之间,所述第一透明电极层包括所述多个像素电极;

    11、钝化层,设置于所述源极和所述漏极背离所述衬底的一侧;以及

    12、第二透明电极层,设置于所述钝化层上,所述第二透明电极层包括间隔绝缘设置的漏极连接部和公共电极,所述漏极连接部连接在一一对应的所述漏极和所述像素电极之间,所述公共电极连接于公共电极走线。

    13、在一些实施例中,所述第一透明电极层还包括与所述像素电极间隔绝缘设置的所述公共电极走线;或者

    14、所述显示面板还包括与所述栅极同层设置的所述公共电极走线。

    15、在一些实施例中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括栅极和设置于所述栅极远离所述衬底一侧的源极和漏极;所述显示面板还包括:

    16、第一透明电极层,设置于所述衬底和所述栅极之间,所述第一透明电极层包括公共电极,所述公共电极连接于公共电极走线;

    17、钝化层,设置于所述源极和所述漏极背离所述衬底的一侧;以及

    18、第二透明电极层,设置于所述钝化层上,所述第二透明电极层包括所述多个像素电极以及与所述多个像素电极间隔绝缘设置的公共电极连接部,所述像素电极与所述漏极一一对应连接,所述公共电极连接部连接于所述公共电极走线。

    19、在一些实施例中,所述第一透明电极层还包括所述公共电极走线;或者

    20、所述显示面板还包括与所述栅极同层设置的所述公共电极走线。

    21、在一些实施例中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管包括栅极和设置于所述栅极远离所述衬底一侧的源极和漏极;所述显示面板还包括:

    22、第一透明电极层,设置于所述源极和所述漏极背离所述衬底的一侧,所述第一透明电极层包括公共电极;

    23、公共走线层,设置于所述第一透明电极层背离所述衬底的一侧,所述公共走线层与所述公共电极连接;

    24、平坦层,设置于所述公共走线层上;以及

    25、第二透明电极层,设置于所述平坦层上,所述第二透明电极层包括所述像素电极,所述像素电极与所述源极、所述漏极中的一者连接。

    26、在一些实施例中,所述公共电极覆盖所述平坦层且仅在所述像素电极贯穿所述平坦层处断开;

    27、所述公共走线层包括沿第二方向间隔设置的多条公共走线,相邻所述公共走线之间设置有三个所述像素电极。

    28、相应的,本申请实施例所述的一种显示装置,包括上述的显示面板。

    29、有益效果:本申请实施例的显示面板包括:衬底;多行晶体管阵列,设置于衬底上,多行晶体管阵列沿第一方向排列设置,每行晶体管阵列包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿第二方向交替间隔设置,第二方向与第一方向相交;多行像素电极阵列,设置于衬底上,多行像素电极阵列沿第一方向排列设置,每行像素电极阵列包括沿第二方向排列的多个像素电极;其中,每行晶体管阵列设置于相邻两行像素电极阵列之间,每行晶体管阵列的多个第一薄膜晶体管与位于晶体管阵列一侧的多个像素电极一一对应连接,且多个第二薄膜晶体管与位于晶体管阵列另一侧的多个像素电极一一对应连接。该显示面板的像素电极阵列中,多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管沿第二方向交替设置,且每行晶体管阵列的多个第一薄膜晶体管与位于晶体管阵列一侧的多个像素电极一一对应连接,多个第二薄膜晶体管与位于晶体管阵列另一侧的多个像素电极一一对应连接,使得相邻两行像素电极阵列的薄膜晶体管空间占用更加紧凑,从而能够提高像素开口率,提升像素穿透,进而提高显示面板的能效。

    30、本申请实施例的显示装置包括上述的显示面板,该显示装置可以具有上述显示面板的所有技术特征和技术效果,在此不再赘述。



    技术特征:

    1.一种显示面板,其特征在于,包括:

    2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,相邻两行所述晶体管阵列(200)之间设有两行所述像素电极阵列(300),两行所述像素电极阵列(300)的所述像素电极(310)间隔绝缘设置。

    3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,两行所述像素电极阵列(300)的所述像素电极(310)关于两行所述像素电极阵列(300)的中轴线对称设置。

    4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(210)和所述第二薄膜晶体管(220)均包括栅极(230)和设置于所述栅极(230)远离所述衬底(100)一侧的源极(240)和漏极(250);所述显示面板还包括:

    5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,

    6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(210)和所述第二薄膜晶体管(220)均包括栅极(230)和设置于所述栅极(230)远离所述衬底(100)一侧的源极(240)和漏极(250);所述显示面板还包括:

    7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明电极层(301)还包括所述公共电极走线(410);或者

    8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(210)和所述第二薄膜晶体管(220)包括栅极(230)和设置于所述栅极(230)远离所述衬底(100)一侧的源极(240)和漏极(250);所述显示面板还包括:

    9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极(400)覆盖所述平坦层(290)且仅在所述像素电极(310)贯穿所述平坦层(290)处断开;

    10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的显示面板。


    技术总结
    本申请公开了一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域,该显示面板的像素电极阵列中,多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管沿第二方向交替设置,且每行晶体管阵列的多个第一薄膜晶体管与位于晶体管阵列一侧的多个像素电极一一对应连接,多个第二薄膜晶体管与位于晶体管阵列另一侧的多个像素电极一一对应连接,使得相邻两行像素电极阵列的薄膜晶体管空间占用更加紧凑,从而能够提高像素开口率,提升像素穿透,进而提高显示面板的能效。

    技术研发人员:文锺原,刘希曼
    受保护的技术使用者:广州华星光电半导体显示技术有限公司
    技术研发日:20231229
    技术公布日:2024/10/24
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