本申请涉及显示屏，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术：
1、目前，采用tx in dot（触控电极位于像素点内）设计的显示器产品中，由于设备精度限制，tx（触控电极）与其两侧ito（indium tin oxide，铟锡氧化物）的相对距离存在波动（如图1所示，图1为电子显微镜拍摄的图片），导致两侧电场差异，从而影响液晶偏转角度，液晶偏转角度的不同，会造成显示器的显示屏的亮暗差异，这种亮暗差异所引起的不良效果，可称为黑污渍不良。
2、现有方法中，通过将tx两侧的ito的cd（critical dimension，关键尺寸）值减小的方式来降低tx两侧的电场差异，以改善黑污渍不良。但是此种方式仍然无法做到tx到两侧的ito等间距，tx到两侧的ito的电场差异仍然存在，且两侧的ito的cd值减小会导致两侧的ito的vt dr（voltage threshold dynamic range，阈值电压的动态范围）较大，从而导致vop（operating voltage，工作电压）增大，avdd（analog supply voltage，模拟电源电压）减小，电路的逻辑功耗增大。可见，该方法并未改善黑污渍不良问题，且增加了电路的逻辑功耗。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术中由于tx与其两侧ito的相对距离存在波动，所导致的显示屏的黑污渍不良问题。
2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
3、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
4、衬底基板；
5、位于所述衬底基板上的多个触控电极；
6、位于所述触控电极远离所述衬底基板一侧的第一钝化层；
7、位于所述第一钝化层远离所述衬底基板一侧的第二钝化层；
8、位于所述第二钝化层远离所述衬底基板一侧的公共电极；
9、其中，所述公共电极为狭缝电极，至少一个所述触控电极在所述公共电极上的正投影在所述公共电极的狭缝之间；
10、所述触控电极被所述第一钝化层和所述第二钝化层覆盖，覆盖所述触控电极的所述第一钝化层和所述第二钝化层的总厚度超过预设阈值。
11、可选的，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为热塑性聚氯乙烯pvx。
12、可选的，所述阵列基板还包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；
13、所述触控电极与所述源极和所述漏极同层通材料设置。
14、可选的，所述栅极位于所述衬底基板上；
15、所述栅极绝缘层位于所述栅极远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述栅极；
16、所述有源层位于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
17、所述源极和所述漏极均位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，且所述源极和所述漏极均与所述有源层相连；
18、其中，所述第一钝化层位于所述源极和所述漏极远离所述衬底基板的一侧。
19、可选的，所述阵列基板还包括：像素电极；
20、所述像素电极位于所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧，通过所述第一钝化层上的过孔与所述漏极相连；
21、所述第二钝化层位于所述像素电极远离所述衬底基板的一侧。
22、可选的，所述第一钝化层的厚度和所述第二钝化层的厚度均大于4000 å。
23、可选的，所述预设阈值为8000 å。
24、第二方面，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的阵列基板、彩膜基板以及位于所述衬底基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
25、第三方面，本申请实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面所述的显示面板。
26、第四方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：
27、提供衬底基板；
28、在所述衬底基板上形成多个触控电极的图形；
29、在所述触控电极远离所述衬底基板一侧形成第一钝化层的图形；
30、在所述第一钝化层远离所述衬底基板一侧形成第二钝化层的图形；
31、在所述第二钝化层远离所述衬底基板一侧形成公共电极的图形；
32、其中，所述公共电极为狭缝电极，至少一个所述触控电极在所述公共电极上的正投影在所述公共电极的狭缝之间；
33、所述触控电极被所述第一钝化层和所述第二钝化层覆盖，覆盖所述触控电极的所述第一钝化层和所述第二钝化层的总厚度超过预设阈值。
34、由于触控电极和公共电极之间存在第一钝化层和第二钝化层，且触控电极的厚度超过预设阈值，因此，可以解决触控电极到狭缝两侧的公共电极之间的电场差异问题，进而解决黑污渍问题。
35、需要说明的是，通过增加触控电极和公共电极之间的两层钝化层的厚度，可以增加触控电极和公共电极之间的绝缘性，减少由于触控电极到狭缝两侧的公共电极之间的距离差异而造成的电场强度变化。
36、且第一钝化层和第二钝化层作为绝缘层，其厚度的增加有效地增强了电场的均匀分布，更厚的钝化层有助于平衡由于触控电极和公共电极之间距离不一所产生的电场差异，使得电场在整个显示区域更加均匀。增加钝化层厚度后，触控电极与公共电极之间的直接电场影响被进一步减少，改善了电场的整体分布，避免了电场过度集中或不均匀分散的问题，从而减少了黑污渍的风险。
37、进一步地，本申请实施例所示的阵列基板还具备如下效果：减少了显示屏内的电容，对触控功能没有造成负面影响，对显示屏产品的光学特性无影响，对tft（thin filmtransistor，薄膜晶体管）的特性无影响，且改善后的产品的vt（voltage-threshold，电压-阈值）曲线与原有产品，指现有技术中的org（organic layer，有机薄膜）膜层的产品完全重合，避免了电路gamma tunning（伽马调节，由于vt曲线与原产品相同，避免了重新进行gamma校准的需要）的工作，且提升了产品的透过率，解决了ito的曝光精度问题和透过率损失的问题。
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为热塑性聚氯乙烯pvx。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：像素电极；
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度和所述第二钝化层的厚度均大于4000 å。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述预设阈值为8000 å。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-7中任一项所述的阵列基板、彩膜基板以及位于所述衬底基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
