一种大型薄壁增材件热校型装置的制作方法

    技术2025-03-26  41


    本技术涉及增材制造,具体涉及一种大型薄壁增材件热校型装置。


    背景技术:

    1、激光选区融化制造(laserpowder bed fusion,lpbf)是一种先进的金属增材制造技术,它利用激光将金属粉末逐层熔化成所需形状的零件。然而,由于内部残余应力导致的结构变化,大型薄壁件在制造过程中容易出现尺寸不稳定和形状不符的问题。

    2、虎钳夹持和手工校正是目前经常使用的方法,但对于大型薄壁件的lpbf产品来说,可能并不足够有效。因为这种方法不能解决根本问题,而且手工校正容易导致更多问题,比如尺寸难以合格,校正时产生的裂纹,平面度超过5mm,以及校正后24小时会有明显回弹现象。


    技术实现思路

    1、为解决上述问题,即解决上述背景技术提出的问题,本实用新型提出了一种大型薄壁增材件热校型装置,其包括定位销,所述定位销的下方设置有下校型胎具,所述下校型胎具的上方活动连接有上校型胎具。

    2、优选的,所述上校型胎具和所述下校型胎具的两侧各设置有两个把手,且位置两两对应。

    3、优选的,所述把手均穿过所述上校型胎具和所述下校型胎具的内部,且所述把手的长度均大于所述上校型胎具和所述下校型胎具的长度。

    4、优选的,所述上校型胎具上设置有定位销孔,并且所述下校型胎具的上方通过定位销与上校型胎具上设置的定位销孔之间活动连接,此外,所述上校型胎具和所述下校型胎具之间的平面度方向留有1mm的间隙。

    5、优选的,所述上校型胎具和所述下校型胎具型腔部分形成的壁厚比欲校正的零件厚度薄0.4mm-1mm。

    6、优选的,所述定位销设置为4个,定位销孔也设置为4个并且位置与定位销一一对应,并且定位销能够嵌入到定位销孔中。

    7、优选的,所述下校型胎具的内部设置有形状大小不一并且不规则排列的凸起。

    8、本实用新型的有益技术效果为:

    9、1、消除原有的冷校正,即室温校正以及在虎钳上手工校正出现的裂纹问题。

    10、2、在校型装置平面度方向预留1mm间隙,从而增加校型效果。采用这种方式校正后,零件的平面度能够优于0.5mm,符合产品要求平面度小于1mm的要求,能够改善零件的平面度,避免平面度超过5mm,不满足产品要求的情况发生。

    11、3、采用热校型的方式能够有效消除增材制件的应力,这一改进措施不仅可以提高零件的平面度,还可以解决尺寸回弹的问题,使得产品质量更加稳定。



    技术特征:

    1.一种大型薄壁增材件热校型装置,包括定位销(3),其特征在于,所述定位销(3)的下方设置有下校型胎具(2),所述下校型胎具(2)的上方活动连接有上校型胎具(1)。

    2.根据权利要求1所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述上校型胎具(1)和所述下校型胎具(2)的两侧各设置有两个把手(4),且位置两两对应。

    3.根据权利要求2所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述把手(4)均穿过所述上校型胎具(1)和所述下校型胎具(2)的内部,且所述把手(4)的长度均大于所述上校型胎具(1)和所述下校型胎具(2)的长度。

    4.根据权利要求1所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述上校型胎具(1)上设置有定位销孔(5),并且所述下校型胎具(2)的上方通过定位销(3)与上校型胎具(1)上设置的定位销孔(5)之间活动连接,此外,所述上校型胎具(1)和所述下校型胎具(2)之间的平面度方向留有1mm的间隙。

    5.根据权利要求4所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述上校型胎具(1)和所述下校型胎具(2)型腔部分形成的壁厚比欲校正的零件厚度薄0.4mm-1mm。

    6.根据权利要求4所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述定位销(3)设置为4个,定位销孔(5)也设置为4个并且位置与定位销(3)一一对应,并且定位销(3)能够嵌入到定位销孔(5)中。

    7.根据权利要求1所述的大型薄壁增材件热校型装置,其特征在于,所述下校型胎具(2)的内部设置有形状大小不一并且不规则排列的凸起。


    技术总结
    本技术公开了一种大型薄壁增材件热校型装置,涉及增材制造技术领域,本技术旨在解决由于激光选区融化制造Laser Powder Bed Fusion内部残余应力导致的结构变化,大型薄壁件在制造过程中容易出现尺寸不稳定和形状不符的问题。本技术包括定位销,定位销的下方设置有下校型胎具,下校型胎具的上方活动连接有下校型胎具。

    技术研发人员:刘洋,李帅,余波,孟辉,张展鹏
    受保护的技术使用者:沈阳天枢增材制造有限公司
    技术研发日:20240229
    技术公布日:2024/10/24
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