非水电解质二次电池和非水电解质二次电池用的负极合剂的制造方法与流程

    技术2025-03-25  53


    本公开涉及非水电解质二次电池和非水电解质二次电池用的负极合剂的制造方法。


    背景技术:

    1、一直以来,提出了各种非水电解质二次电池。专利文献1(日本专利第3969072号)公开了:“一种非水电解液二次电池,其特征在于,其为以负极、正极和非水电解液作为基本构成的二次电池,所述负极以由组成式li4/3ti5/3o4表示且具有尖晶石型结构的锂钛氧化物作为活性物质,所述正极以在3v(vsli/li+)以上的电位下能插入脱嵌锂离子的物质作为活性物质,该非水电解液含有丙磺酸内酯0.1~10重量%或亚硫酸亚乙酯0.05~2.0重量%”。

    2、专利文献2(国际公开第2018/110708号)公开了:“一种蓄电设备的电极用钛酸锂粉末,其特征在于,其是以li4ti5o12作为主成分的钛酸锂粉末,比表面积为4m2/g以上,且含有选自硼(b)、ln(ln为选自la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、hb、er、tm、yb、lu、y、和sc中的至少一种金属元素)以及m1(m1为选自w和mo中的至少一种金属元素)中的至少一者的局部化元素,作为前述局部化元素的硼(b)、前述ln、和前述m1局部化地存在于构成前述钛酸锂粉末的钛酸锂颗粒的表面附近”。

    3、现有技术文献

    4、专利文献

    5、专利文献1:日本专利第3969072号

    6、专利文献2:国际公开第2018/110708号


    技术实现思路

    1、近些年,非水电解质二次电池在用于监视轮胎气压的电源等中被利用。在此情况下,电池被暴露在超过100℃的高温下,或之后在低温下强制进行脉冲放电。因此,对于非水电解质二次电池,要求即使在暴露于高温下后也维持高的电池特性。

    2、这样的情况下,本公开的目的之一在于,提供:即使在暴露于高温下后也能够维持高的电池特性的非水电解质二次电池。

    3、本公开的一个方面的非水电解质二次电池为包含负极非水电解质二次电池,负极包含混合存在有作为负极活性物质的锂钛复合氧化物、添加剂和硼化合物的负极合剂。

    4、本公开的另一方面的非水电解质二次电池用的负极合剂的制造方法包括:将作为负极活性物质的锂钛复合氧化物、添加剂和硼化合物混合的混合工序。

    5、根据本公开,可以得到即使暴露于高温下后也能够维持高的电池特性的非水电解质二次电池。



    技术特征:

    1.一种非水电解质二次电池,其包含负极,

    2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,所述硼化合物的至少一部分存在于所述添加剂的表面。

    3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池,其中,所述锂钛复合氧化物为具有尖晶石型结构的钛酸锂。

    4.根据权利要求1~3中任一项所述的非水电解质二次电池,其中,所述添加剂包含选自由粘结剂和导电剂组成的组中的至少1种。

    5.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池,其中,所述负极合剂中包含的所述硼化合物中的硼原子的摩尔数mb与所述负极合剂中包含的所述锂钛复合氧化物的摩尔数mc之比mb/mc处于0.035~0.41的范围。

    6.根据权利要求1~5中任一项所述的非水电解质二次电池,其中,所述硼化合物包含选自由h3bo3和b2o3组成的组中的至少1种。

    7.一种非水电解质二次电池用的负极合剂的制造方法,其包括如下工序:

    8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述混合工序包括如下工序:

    9.根据权利要求7或8所述的制造方法,其中,所述锂钛复合氧化物为具有尖晶石型结构的钛酸锂。

    10.根据权利要求7~9中任一项所述的制造方法,其中,所述添加剂包含选自由粘结剂和导电剂组成的组中的至少1种。

    11.根据权利要求7~10中任一项所述的制造方法,其中,所述混合工序中,以所述硼化合物中的硼原子的摩尔数mb与所述锂钛复合氧化物的摩尔数mc之比mb/mc成为0.035~0.41的范围的方式,将所述锂钛复合氧化物和所述硼化合物混合。

    12.根据权利要求7~11中任一项所述的制造方法,其中,所述硼化合物包含选自由h3bo3和b2o3组成的组中的至少1种。


    技术总结
    所公开的非水电解质二次电池包含负极。负极包含混合存在有作为负极活性物质的锂钛复合氧化物、添加剂和硼化合物的负极合剂。另外,所公开的非水电解质二次电池用的负极合剂的制造方法包括:将作为负极活性物质的锂钛复合氧化物、添加剂和硼化合物混合的混合工序。

    技术研发人员:地口健人,胁新一
    受保护的技术使用者:松下知识产权经营株式会社
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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