本实用新型涉及新的面板内像素显示结构设计，尤其涉及一种能够减少面板能耗的，从而达到省电环保的效果。
背景技术：
现有lcd显示屏array基板一般采用a-si、poly-si或igzo等材料作为有源层；随着消费品电子产品的普及，作为其重要组件液晶显示模组(lcm)的功耗将影响产品续航能力，因此降低lcd功耗一直是面板研发性能评估的关键参数之一。现有显示面板是由array基板和彩色滤光片cf基板组成，其中液晶驱动的电信号由array基板提供。为改善同极性电压驱动造成的液晶残留，现有液晶显示面板一般会采用列反转的方式，即同一条数据线data上的tft，在两帧画面，显示画素电容极性相反(像素电极上：若上一帧为正电荷，下一帧则负电荷)。电信号在帧间切换时，需要向被极性反转的电容供反向电压，充放电时间较长，供电电压较高。因此能耗较大。
技术实现要素：
因此，需要提供一种新的面板上的像素显示结构结构，达到在面板在帧间刷新时能耗降低的效果。
为实现上述目的，发明人提供了一种像素显示结构，包括第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极与列驱动信号连接，栅极与当前级扫描信号连接，漏极与第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与上一级扫描信号连接。
具体地，所述第一薄膜晶体管的漏极还与第一电容连接。
具体地，所述第二薄膜晶体管的漏极接地或与比较电压com连接。
具体地，所述第一薄膜晶体管的漏极还通过第一电容接地或与比较电压com连接。
进一步地，所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管为同一晶元上的双蚀刻沟道结构。
一种面板，包括阵列排布的如上述的像素显示结构。
区别于现有技术，通过设计第二薄膜晶体管进行预放电，使得在对第一薄膜晶体管进行帧刷新的时候充电时间短，需求电压低，最终能够使耗电减小,更加省电环保。
附图说明
图1为具体实施方式所述的显示区域像素tft电路原理图；
图2为具体实施方式所述的列反转模式tft阵列电路示意图；
图3为具体实施方式所述的像素结构剖面示意图；
图4为具体实施方式所述的array制程图案化中步骤辅助图；
图5为具体实施方式所述的低功耗像素显示结构示意图；
图6为具体实施方式所述的低功耗的array基板像素结构剖面示意图；
图7为具体实施方式所述的低功耗像素显示结构示意图；
图8为具体实施方式所述的低功耗的array基板像素结构剖面示意图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
这里请看图1，图1所示的实施例中展示了显示面板array基板显示区域像素tft电路原理图：显示面板是由array基板和彩色滤光片cf基板组成，其中液晶驱动的电信号由array基板提供，如图中展示了array基板显示区域tft器件图。为改善同极性电压驱动造成的液晶残留，现有液晶显示面板一般会采用列反转的方式，即同一条数据线data上的tft，在两帧画面，显示画素电容极性相反(像素电极上：若上一帧为正电荷，下一帧则负电荷)。
图2所示的实施例中展示了上述面板在列反转模式tft阵列电路示意图，电信号在帧间切换时，各行tft像素电极电荷极性变化方式：例如上一帧data_rn极性为正，驱动电路至上而下逐级对显示tft进行刷新，如刷新至第n行，则第n行tft的第data_rn列tft将由原本的正电压充到预计负电压，实现极性翻转；data_rn列第n-1行tft的像素电极电荷极性与第n行的相同，而第n 1行tft因为还未刷新，电荷极性于第n-1行相反。
这种像素结构的结构如图3所示，图3是以半导体氧化物阵列基板制程为例，展示其像素结构剖面示意图。从图中我们可以看到该种晶元包括玻璃-栅极ge-栅极绝缘层gi-阻隔层es-源极sd-钝化层pv-平坦化层oc-公共惦记bc-绝缘层ch-像素电极pe。从图中我们看出该晶元是单tft设计。当像素电极信号写入时，栅极赋予开启电压，源极data线信号经由tft沟道区域传递到漏极区域，漏极sd与像素电极pe电性链接，因此像素电极pe会充到目标电位；此时像素电极与公共电极间存在电场分布，由此驱动液晶旋转，达到亮暗变化的目的。而在图4所示的实施例中展示了上述方案的array制程图案化中个别步骤辅助图。
另一些实施例中，如图5所示，图5是展示了在上例的tft设计的基础上增加了一个tft，即包括第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2；tft2源极与tft1的漏极相连接，tft2漏极连接至公共电极(与其他pixeltft2漏极连接)；当扫面至第n行，data线对第n行tft1进行充电，同时第n 1行tft2打开，第n 1行tft1像素电极电荷传输至公共电极中和，电位被拉到com电位(接近0v)，实现第n 1行pixel预放电。也就是说，n 1行的tft2的栅极连接到上一级扫描信号。在这一实施例中，第一行的tft2的栅极可以与最末行扫描信号走线连接，这样在刷新扫描至最后一行的时候能提前对第一行进行预放电，但也可能导致信号走线过长，不利于简化gip线路设置。为了简化电路，其他一些实施例中通过第一行，最后一行各设置一个傀儡gip单元克服扫描第一行无法预充的问题；另一种方法：通过帧间data线预充电实现data线电荷反转；第一行不做电荷中和，该结构可不设置傀儡gip单元，可以简化电路。在逐级扫描过程中，提前将下一行的pixel电荷导通到公共电极中和(相邻像素电极相反)，像素tft1充电无需在-5v与 5v间切换(压差最大为10v)，而是由0v切换至 /-5v(压差最大为5v)；因此，本技术提案可减少面板在显示时候的data写入功耗。又如图5所示的具体实施例中，所述第一薄膜晶体管的漏极还与第一电容连接。还可以通过第一电容连接至接地或与比较电压com连接。这里的电容可以为晶元上的固有电容，如液晶与极板之间的原生电容等。通过连接电容来保持tft的显示效果。
在图6所示的实施例中展示了本实用新型方案的array基板像素结构剖面示意图。从图中我们可以看到第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管为同一晶元上的双蚀刻沟道结构。在此基础上本领域的技术人员可以基于此种设想进行多种双tft的实现进行变动。
在图7与图8所示的实施例中，提出了另一种tft2漏极连接的实现方式。同一行tft2漏极短接至基准电位走线(赋予com电位or0v)，基准电位走线可以设置于现有导电膜层或新增1道导电膜层，其电位可以通过与公共电极或接地走线链接，也可以单独引线由ic或fpc付给一个基准电位。图8是与之对应的array基板像素结构剖面示意图。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型的专利保护范围之内。
1.一种像素显示结构，其特征在于，包括第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极与列驱动信号连接，栅极与当前级扫描信号连接，漏极与第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与上一级扫描信号连接。
2.根据权利要求1所述的像素显示结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的漏极还与第一电容连接。
3.根据权利要求1所述的像素显示结构，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的漏极接地或与比较电压com连接。
4.根据权利要求1所述的像素显示结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的漏极还通过第一电容接地或与比较电压com连接。
5.根据权利要求1所述的像素显示结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管为同一晶元上的双蚀刻沟道结构。
6.一种面板，其特征在于，包括阵列排布的如权利要求1-5任一项所述的像素显示结构。
技术总结