本申请涉及显示，尤其是涉及一种半导体器件和电子器件。
背景技术：
1、随着显示器件的发展，现有显示器件对薄膜晶体管的要求越来越高。低温多晶硅薄膜晶体管由于具有开关速度快、功耗低的优点被广泛应用。但在低温多晶硅薄膜晶体管的使用过程中，发现低温多晶硅薄膜晶体管会存在“驼峰”特性，导致显示器件在低灰度下出现亮度不均匀的问题。其原因在于：沿沟道宽度边缘，在栅偏置下，由于几何效应，导致沟道边缘的电场较高，更多的载流子被困在宽度边缘形成寄生晶体管，从而在边缘处出现驼峰电流，导致低温多晶硅薄膜晶体管的边缘区域相较于中间区域提前开启，造成低温多晶硅薄膜晶体管的亚阈值摆幅增加，导致像素充电不均，进而导致显示不均。
2、所以，现有显示器件存在薄膜晶体管的边缘区域相较于中间区域提前开启导致的显示不均的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体器件和电子器件，用以解决现有显示器件存在薄膜晶体管的边缘区域相较于中间区域提前开启导致的显示不均的技术问题。
2、本申请实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括：
3、衬底；
4、有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的掺杂部；
5、源漏极层，设置于所述衬底一侧，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道部两侧的所述掺杂部连接；
6、其中，在所述有源层所在平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述沟道部指向所述掺杂部的方向为第一方向，在所述第二方向上，所述沟道部的至少部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
7、在一些实施例中，所述有源层还包括电性调节部，所述电性调节部的至少部分设置于所述沟道部和所述掺杂部之间，所述电性调节部连接所述沟道部和所述掺杂部，所述电性调节部的离子掺杂浓度小于所述掺杂部的离子掺杂浓度，且所述电性调节部的离子掺杂浓度大于所述沟道部的离子掺杂浓度。
8、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述电性调节部的宽度等于所述掺杂部的宽度，所述沟道部包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述电性调节部之间，所述第一部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
9、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度，所述第二部分的宽度等于所述电性调节部的宽度，所述第一部分关于所述沟道部的中轴线对称设置，且所述第一部分的宽度与所述第二部分的宽度的差值大于或者等于3微米。
10、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述第一部分的宽度等于所述第二部分的宽度。
11、在一些实施例中，所述电性调节部包括第三部分和第四部分，所述第四部分设置于所述第三部分和所述掺杂部之间，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度等于所述沟道部的宽度，且所述第三部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
12、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度大于所述第四部分的宽度，所述沟道部关于所述掺杂部的中轴线对称设置，且所述沟道部的宽度与所述掺杂部的宽度的差值大于或者等于4微米。
13、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度等于所述第四部分的宽度。
14、在一些实施例中，所述电性调节部包括第五部分和第六部分，所述第五部分设置于所述沟道部和所述掺杂部之间，所述第六部分设置于所述掺杂部两侧。
15、同时，本申请实施例提供一种电子器件，该电子器件包括如上述实施例任一所述的半导体器件。
16、有益效果：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过在第二方向上，使沟道部的至少部分的宽度大于掺杂部的宽度，使得在栅极偏置状态下，沟道部边缘的电荷量较少甚至无电荷积累，使得沟道部的边缘无电场，从而不会出现半导体器件的边缘区域相较于中间区域提前开启的问题，从而提高显示均一性，且增加沟道部的宽度可以增加有效沟道宽度，提高半导体器件的迁移率，提高半导体器件的性能。
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源层还包括电性调节部，所述电性调节部的至少部分设置于所述沟道部和所述掺杂部之间，所述电性调节部连接所述沟道部和所述掺杂部，所述电性调节部的离子掺杂浓度小于所述掺杂部的离子掺杂浓度，且所述电性调节部的离子掺杂浓度大于所述沟道部的离子掺杂浓度。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述电性调节部的宽度等于所述掺杂部的宽度，所述沟道部包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述电性调节部之间，所述第一部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度，所述第二部分的宽度等于所述电性调节部的宽度，所述第一部分关于所述沟道部的中轴线对称设置，且所述第一部分的宽度与所述第二部分的宽度的差值大于或者等于3微米。
5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一部分的宽度等于所述第二部分的宽度。
6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电性调节部包括第三部分和第四部分，所述第四部分设置于所述第三部分和所述掺杂部之间，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度等于所述沟道部的宽度，且所述第三部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度大于所述第四部分的宽度，所述沟道部关于所述掺杂部的中轴线对称设置，且所述沟道部的宽度与所述掺杂部的宽度的差值大于或者等于4微米。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第三部分的宽度等于所述第四部分的宽度。
9.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电性调节部包括第五部分和第六部分，所述第五部分设置于所述沟道部和所述掺杂部之间，所述第六部分设置于所述掺杂部两侧。
10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的半导体器件。
