本发明涉及半导体器件制造，具体涉及一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置。
背景技术：
1、功率mosfet芯片是一种金属氧化物-硅场效应晶体管，旨在用于低压应用，兼顾高开关速度和卓越效率，这项创新技术是诸多应用的核心组成部分，包括消费电子产品、电源、电机控制器、射频应用、交通技术和汽车电子产品，功率mosfet芯片在生产完成后需要进行包裹层的设置，为了方便包裹层的设置工作进行，需要将生产完成的功率mosfet芯片成排设置以方便抓取、定位的进行，已经完成包裹层的设置后，功率mosfet芯片的包装，需要对功率mosfet芯片进行整齐的排布处理，功率mosfet芯片包括芯片主体部分与引脚部分，为了焊接方便，功率mosfet芯片的引脚部分普遍比较细长，大量的功率mosfet芯片被生产出来后，需要进行分离，筛选出合格的产品。
2、目前，主要通过机械结构分离或人力分离。
3、然而，机械分离容易导致功率mosfet芯片方向混乱，功率mosfet芯片的引脚部分会相互碰撞、挤压，使功率mosfet芯片的引脚变得弯曲，甚至会折断，影响功率mosfet芯片的合格率和成品率，而人力分离效率低，成本高，因此，需要一种可以使功率mosfet芯片定向自动叠放的装置，以解决如何高效分离和排列叠放功率mosfet芯片的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
3、一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，包括传送带，所述传送带通过支撑机构支撑，所述传送带的顶面两侧均设置有侧挡板，两个所述侧挡板的同侧端固定连接有梳平槽，所述梳平槽的另一侧固定连接有延伸板，所述梳平槽的内部通过设置内隔板将梳平槽的内部分隔为若干个通道，所述通道内设置有阶梯台，所述通道的高度沿着传送带的运动方向逐级降低，最低的所述通道的高度和单个功率mosfet芯片的厚度相等，所述通道的宽度和单个功率mosfet芯片的宽度相等，所述梳平槽的后方侧壁位于通道之间处均固定连接有延伸板，所述延伸板后方侧壁的上部设置有电磁铁，靠近所述传送带尾部的支撑机构上通过支撑侧杆设置有变向传送带，所述变向传送带上等距设置有磁铁块，位于传送带两侧的所述支撑侧杆之间处设置有收集组件。
4、所述收集组件包括底板，所述底板的顶面设置有若干个收集板，所述收集板将底板分隔成和通道相对应的下料道，所述收集板远离传送带的顶面设置有第一盖板，所述收集板靠近传送带处设置有收集口，所述收集口包括第一倾斜面和第二倾斜面，所述收集板的顶面位于第二倾斜面处设置有第二盖板，所述第二盖板靠近传送带的侧壁且位于下料道的上方处均设置有折板，所述下料道靠近传送带处均设置有滚轴，所述滚轴上转动连接有分隔组件，所述分隔组件包括轴套和设置在其上的一个间停板和两个分隔板。
5、优选的：所述侧挡板和梳平槽的外侧面固定连接有架体，用于支撑侧挡板和梳平槽置于传送带的顶面。
6、优选的：所述传送带的表面设置有平行、等距的传送带凸粒。
7、优选的：所述侧挡板上开设有隔断槽，所述隔断槽设置为“7”字型，所述隔断槽上设置有隔断组件，所述隔断组件包括滚动轴和套接在其上的滚动刷，所述滚动轴在隔断槽内转动，所述滚动刷位于两个侧挡板之间。
8、优选的：所述梳平槽的前方侧壁位于通道之间处均设置有进料口分流板，所述进料口分流板设置为三角锥形。
9、优选的：所述收集组件设置在变向传送带的下方，所述收集组件设置在传送带的尾部处。
10、优选的：所述变向传送带的运行方向为顺时针，所述传送带的运行方向为顺时针。
11、优选的：当滚动轴置于隔断槽顶部时，滚动刷的外侧面距离传送带表面的距离和单个功率mosfet芯片的厚度相等。
12、优选的：两个所述分隔板之间的距离设置为，刚好使间停板的上方、下方每次通过功率mosfet芯片时，仅有一侧可通过功率mosfet芯片。
13、本发明的有益效果：
14、1、本发明通过传送带凸粒的设置，加快了方向正确的功率mosfet芯片的传输速度，从而使得方向正确的功率mosfet芯片可以更快的被收集，并且设置了隔断组件，不仅使得功率mosfet芯片将以单层的状态进入梳平槽内，减少堵塞发生，还能够在紧急情况下可以隔断物料的输入，提高了本装置运行的安全性。
15、2、本发明通过进料口分流板的设置，既帮助物料分流进入梳平槽中，也可使横向的功率mosfet芯片转向，减少了物料在梳平槽入口处的堆积，通过阶梯台的设置，避免了梳平槽内部堵塞的情况，极大提高了本装置运行的流畅性，进而提高了本装置定向叠放的效率。
16、3、本发明通过变向传送带、磁铁块和收集组件等的设置和共同协作，成功实现了对功率mosfet芯片进行定向，并通过分隔组件的设置，从而可以流畅、不间断地自动收集叠放功率mosfet芯片，结构设置精巧，自动化程度高且高效，显著提高功率mosfet芯片的定向叠放效率，具有极大的应用前景。
1.一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，包括传送带(1)，所述传送带(1)通过支撑机构(103)支撑，所述传送带(1)的顶面两侧均设置有侧挡板(2)，两个所述侧挡板(2)的同侧端固定连接有梳平槽(5)，所述梳平槽(5)的另一侧固定连接有延伸板(6)，所述梳平槽(5)的内部通过设置内隔板(501)将梳平槽(5)的内部分隔为若干个通道，所述通道内设置有阶梯台(502)，所述通道的高度沿着传送带(1)的运动方向逐级降低，最低的所述通道的高度和单个功率mosfet芯片的厚度相等，所述通道的宽度和单个功率mosfet芯片的宽度相等，所述梳平槽(5)的后方侧壁位于通道之间处均固定连接有延伸板(6)，所述延伸板(6)后方侧壁的上部设置有电磁铁(7)，靠近所述传送带(1)尾部的支撑机构(103)上通过支撑侧杆(802)设置有变向传送带(8)，所述变向传送带(8)上等距设置有磁铁块(801)，位于传送带(1)两侧的所述支撑侧杆(802)之间处设置有收集组件；
2.根据权利要求1所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述侧挡板(2)和梳平槽(5)的外侧面固定连接有架体(102)，用于支撑侧挡板(2)和梳平槽(5)置于传送带(1)的顶面。
3.根据权利要求2所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述传送带(1)的表面设置有平行、等距的传送带凸粒(101)。
4.根据权利要求3所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述侧挡板(2)上开设有隔断槽(201)，所述隔断槽(201)设置为“7”字型，所述隔断槽(201)上设置有隔断组件(3)，所述隔断组件(3)包括滚动轴(301)和套接在其上的滚动刷(302)，所述滚动轴(301)在隔断槽(201)内转动，所述滚动刷(302)位于两个侧挡板(2)之间。
5.根据权利要求4所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述梳平槽(5)的前方侧壁位于通道之间处均设置有进料口分流板(4)，所述进料口分流板(4)设置为三角锥形。
6.根据权利要求5所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述收集组件设置在变向传送带(8)的下方，所述收集组件设置在传送带(1)的尾部处。
7.根据权利要求6所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，所述变向传送带(8)的运行方向为顺时针，所述传送带(1)的运行方向为顺时针。
8.根据权利要求7所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，当滚动轴(301)置于隔断槽(201)顶部时，滚动刷(302)的外侧面距离传送带(1)表面的距离和单个功率mosfet芯片的厚度相等。
9.根据权利要求8所述的一种功率mosfet芯片定向自动叠放装置，其特征在于，两个所述分隔板(908)之间的距离设置为，刚好使间停板(907)的上方、下方每次通过功率mosfet芯片时，仅有一侧可通过功率mosfet芯片。
