本发明涉及半导体，特别涉及一种去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法。
背景技术：
1、先进制程涉及多种薄膜层的叠加，在研发过程中，发现活性区域多种薄膜沉积后，无定形硅薄膜沉积后晶圆表面会产生剥皮缺陷，且无法在后续的工艺中去除，影响产品良率。通过研究各薄膜的沉积过程，发现是由于氧化物(oxide)与sin存在界面应力，在后续无定形硅薄膜沉积时由于温度上升导致应力增大，氧化物薄膜从sin薄膜表面脱离，形成剥皮，在后续工艺中在晶圆表面形成剥皮缺陷。
2、在现有技术中，尝试采用传统的干法刻蚀的方式在无定形硅薄膜沉积前，将晶圆边缘的薄膜层全部去除，但由于该步骤处于整条工艺的最前沿阶段，采用传统的干法刻蚀的方式容易对晶圆基底产生损伤，并且在晶边产生较深的高度差，影响后续的制程，无法满足工艺需求。
3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，以解决无定形硅薄膜沉积后晶圆表面会产生剥皮缺陷，且无法在后续的工艺中去除，影响产品良率的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，包括：
3、提供一晶圆，所述晶圆具有倾斜面和侧面，在所述晶圆沉积多层薄膜层，其中，所述多层薄膜层至少包括氧化层薄膜和氮化硅层薄膜，所述氧化层薄膜沉积在所述氮化硅层薄膜的表面；
4、将沉积有多层薄膜层的晶圆采用氢氟酸清洗液进行清洗，以将晶圆倾斜面和侧面的氧化层薄膜去除；
5、将使用氢氟酸清洗之后的晶圆表面生长一层无定形硅层。
6、优选地，在所述晶圆表面沉积多层薄膜层之前，该去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法还包括：
7、对所述晶圆进行预处理，以在所述晶圆的正面和背面均形成倾斜面。
8、优选地，所述无定形硅包括多层无定形硅层，所述无定形硅层沉积在氧化层薄膜的表面，氧化层薄膜沉积在氮化硅层薄膜的表面；
9、在每一层无定形硅层沉积之前，将所述晶圆采用氢氟酸清洗液进行清洗，以去除晶圆倾斜面和侧面的氧化硅层薄膜。
10、优选地，所述无定形硅层包括第一无定形硅层和第二无定形硅层，所述氧化硅层薄膜包括第一氧化层薄膜和第二氧化层薄膜，所述氮化硅层薄膜包括第一氮化硅层薄膜和第二氮化硅层薄膜，其中，第一氧化层薄膜沉积在第一氮化硅层薄膜的表面，第一无定形硅层沉积在所述第一氧化层薄膜的表面，所述第二氧化层薄膜沉积在第二氮化硅层薄膜的表面，第二无定形硅层沉积在所述第二氧化层薄膜的表面；
11、在沉积第一无定形硅层之前，将晶圆采用氢氟酸清洗液进行第一清洗，以去除晶圆倾斜面和侧面的第一氧化层薄膜；
12、在沉积第二无定形硅层之前，将晶圆采用氢氟酸清洗液进行第二清洗，以去除晶圆倾斜面和侧面的第二氧化层薄膜。
13、优选地，所述第一清洗的时间大于等于180秒。
14、优选地，所述第二清洗的时间为30秒～360秒。
15、优选地，所述第二清洗的时间为30秒。
16、优选地，所述氢氟酸与水的体积比为50～200:1。
17、优选地，在使用氢氟酸对晶圆进行清洗时，将所述晶圆置于清洗台进行清洗，调整清洗角度，对所述晶圆的倾斜面和侧面进行清洗。
18、基于相同的发明思想，本发明还提供了一种掩模版，包括采用上述所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法制造。
19、与现有技术相比，本发明的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法具有如下优点：
20、本发明提供的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，由于在沉积无定形硅层之前，将沉积有氧化硅层薄膜和氮化硅层薄膜的晶圆采用氢氟酸清洗液进行清洗，以将晶圆倾斜面和侧面的氧化硅层薄膜去除，从而能够避免晶圆出现剥皮的缺陷，提高了产品良率。
21、本发明提供的掩膜版与本发明提供的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法属于同一发明构思，因此，本发明提供的掩膜版至少具有本发明提供的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法的所有优点，能够将晶圆倾斜面和侧面的氧化硅层薄膜去除，从而能够避免晶圆出现剥皮的缺陷，提高了产品良率。
1.一种去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，在所述晶圆表面沉积多层薄膜层之前，该去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法还包括：
3.根据权利要求1所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述无定形硅包括多层无定形硅层，所述无定形硅层沉积在氧化层薄膜的表面，氧化层薄膜沉积在氮化硅层薄膜的表面；
4.根据权利要求3所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述无定形硅层包括第一无定形硅层和第二无定形硅层，所述氧化硅层薄膜包括第一氧化层薄膜和第二氧化层薄膜，所述氮化硅层薄膜包括第一氮化硅层薄膜和第二氮化硅层薄膜，其中，第一氧化层薄膜沉积在第一氮化硅层薄膜的表面，第一无定形硅层沉积在所述第一氧化层薄膜的表面，所述第二氧化层薄膜沉积在第二氮化硅层薄膜的表面，第二无定形硅层沉积在所述第二氧化层薄膜的表面；
5.根据权利要求4所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述第一清洗的时间大于等于180秒。
6.根据权利要求4所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述第二清洗的时间为30秒～360秒。
7.根据权利要求4所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述第一清洗的时间为180秒，所述第二清洗的时间为30秒。
8.根据权利要求4所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，所述氢氟酸与水的体积比为50～200:1。
9.根据权利要求1所述的去除晶圆表面产生剥皮缺陷的方法，其特征在于，在使用氢氟酸对晶圆进行清洗时，将所述晶圆置于清洗台进行清洗，调整清洗角度，对所述晶圆的倾斜面和侧面进行清洗。
10.一种掩模版，其特征在于，包括：
