本申请属于发光材料合成，具体涉及一种mn(ii)基双格位发光材料及制备方法。
背景技术：
1、金属卤化物由于其优异的光电性能，在白光led照明及显示、光学防伪、x-射线成像等领域具有重要应用前景。作为一类发光性能非常优异的发光材料，mn(ii)基金属卤化物一直受到了人们的广泛关注。一方面，mn(ii)基金属卤化物合成简单、成本低、环境友好；另一方面，不同的晶体场环境会引起mn(ii)发光改变。当mn(ii)处于[mnx4]2-四面体中心时，一般产生绿光发射，而当其处于[mnx6]4-八面体中心时，则表则出宽带红光发射。
2、现有绝大多数mn(ii)基金属卤化物表现出单一格位发射，即mn(ii)绿光发射或红光发射。研发新型mn(ii)基发光材料，实现双格位发光，新型光电领域具有重要的意义。例如：[(ch3)3nh]3(mnbr3)(mnbr4)金属溴化物不仅具有优异的铁电性能，并表现出优异的发光性能，在照明和显示领域具有潜在应用（参考文献：z. h. wei, w. q liao,y. y. tang,p. f. li, p. p. shi, h. cai, r. g. xiong, j. am. chem. soc. 2018, 140, 26,8110–8113）。然而此类金属溴化物化学稳定性低，因此开发新型mn(ii)基双格位发光材料具有重要研究意义。
技术实现思路
1、为解决以上问题，本发明提供了一种mn(ii)基双格位发光材料，其化学式为[(ch3)3nh]3mn2cl7，为六方晶系，空间群为p63mc（186），mn(ii)基双格位发光材料中mn(ii)存在两种晶格格位，一种配位数为4，另一种配位数为6。在紫外光或蓝光激发下，四配位的mn(ii)在较弱的晶体场环境下，表现出绿光发射，而六配位的mn(ii)在较强的晶体场环境下，表现出宽带红光发射。
2、本发明提供了mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其为溶剂挥发结晶法，具体包括如下步骤：
3、步骤1、将四水合氯化锰溶于去离子水和盐酸中；
4、步骤2、加入三甲胺盐酸盐，在室温条件下反应；
5、步骤3、将上述溶液置于洁净的暗室中挥发，得到带结晶水的[(ch3)3nh]3mn2cl7·h2o晶体；
6、步骤4、将带结晶水的晶体放入真空干燥箱中干燥，得到产物[(ch3)3nh]3mn2cl7发光晶体。
7、本发明的制备方法为溶剂挥发结晶法，这种制备方法操作简单，实验条件温和。
8、更进一步地，四水合氯化锰与三甲胺盐酸盐的摩尔比为：3:x，x = 1、2、3、4。
9、更进一步地，在步骤2中，反应时间为1.5 ~ 2.5 h。
10、更进一步地，在步骤3中，挥发时间为7~14天。
11、更进一步地，在步骤4中，真空干燥箱的温度为70℃。
12、更进一步地，在步骤4中，干燥7小时。
13、本发明的有益效果：
14、（1）本发明的mn(ii)基双格位发射材料在紫外光或蓝光激发下，同时表现出mn(ii)绿光发射和红光发射，在白光led照明光源上具有潜在应用前景。
15、（2）本发明的mn(ii)基金属氯化物合成工艺简单、过程无需过度调控温度与湿度，可以高效合成、重复性强。
16、（3）本发明制备的晶体在空气中放置一周，发光性能没有明显变化，具有较高的化学稳定性。
17、综合以上有益效果，本发明在发光材料合成技术领域具有良好的应用前景。
1.一种mn(ii)基双格位发光材料，其特征在于：其化学式为[(ch3)3nh]3mn2cl7。
2.如权利要求1所述的mn(ii)基双格位发光材料，其特征在于：所述mn(ii)基双格位发光材料为六方晶系，空间群为p63mc（186），所述mn(ii)基双格位发光材料中mn(ii)存在两种晶格格位，一种配位数为4，另一种配位数为6。
3.如权利要求2所述的mn(ii)基双格位发光材料，其特征在于：所述mn(ii)基双格位发光材料在紫外光或蓝光激发下，同时表现出mn(ii)绿光发射和红光发射。
4.如权利要求1所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于，制备方法为溶剂挥发结晶法，具体包括如下步骤：
5.如权利要求4所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：使用的原料为四水合氯化锰、三甲胺盐酸盐、盐酸。
6.如权利要求5所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：四水合氯化锰与三甲胺盐酸盐的摩尔比为：3:x，x = 1、2、3、4。
7.如权利要求6所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：在步骤2中，反应时间为1.5 ~ 2.5 h。
8.如权利要求7所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：在步骤3中，挥发时间为7~14天。
9.如权利要求8所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：在步骤4中，真空干燥箱的温度为70℃。
10.如权利要求9所述的mn(ii)基双格位发光材料的制备方法，其特征在于：在步骤4中，干燥7小时。
