芯片缺陷的检测方法以及系统

    技术2025-02-03  70


    本发明涉及芯片缺陷的检测的,尤其涉及一种芯片缺陷的检测方法以及系统。


    背景技术:

    1、随着科技的发展,芯片作为半导体部件,并应用于电子设备内,芯片在对应的半导体设备中进行生产以及检测,在现有技术中,芯片在应用于电子设备之前需要进行检测,在芯片的检测过程中,需要针对芯片进行多个位置的拍摄,芯片在全面的排查下输出单一缺陷部分,可是,芯片在不同位置上存在多处缺陷部分,芯片需要每次检测输出单个缺陷,无法实现芯片的局部检测,也不能保证了芯片的检测效率。


    技术实现思路

    1、本发明的目的在于克服现有技术的不足,本发明提供了一种芯片缺陷的检测方法以及系统,根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分,并针对第一缺陷部分以及第二缺陷部分进行整体把控,并引入了第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离的进一步管控,从而保证了缺陷等级,以便于基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,实现了芯片的局部检测,保证了芯片的检测准确性以及检测效率。

    2、为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种芯片缺陷的检测方法,应用于芯片缺陷的检测场景;所述芯片缺陷的检测方法包括:

    3、获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像;

    4、基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域;

    5、根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;

    6、根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分;

    7、采集第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离;

    8、根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级;

    9、基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式。

    10、可选的,所述获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像,包括:

    11、获取芯片的来料信号;

    12、基于芯片的来料信号触发周边的摄像头;

    13、基于芯片的定位而调控周边的摄像头的朝向,使得各摄像头的摄像端沿不同方向朝向芯片;

    14、多个摄像头相对于同一芯片,并采集多个图像,多个图像沿不同角度进行拍摄;

    15、基于多个图像合成芯片图像,此时,多个图像沿着芯片的中心位置进行图像合成。

    16、可选的,所述基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域,包括:

    17、定格芯片图像;

    18、基于芯片图像凸显轮廓线,并沿着轮廓线构建闭环部分;

    19、采集多个闭环部分,并基于多个闭环部分定义闭环图像;

    20、基于闭环图像的图像识别而定义芯片主体和引脚;

    21、若闭环部分为芯片主体,则采集该闭环部分的面积,并根据闭环部分的面积定义面积等级,基于面积等级以及芯片主体定义扩充范围,根据扩充范围以及闭环部分进行复查,以保证芯片主体区域的完整性;

    22、若闭环部分为引脚,则采集该闭环部分的延伸方向,基于延伸方向遍历引脚,并定格引脚的外形,以保证引脚区域的完整性。

    23、可选的,所述根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分,包括:

    24、采集芯片主体区域,并遍历芯片主体区域;

    25、基于芯片主体区域的遍历而定义芯片主体的点云;

    26、根据芯片主体的点云筛选不规则的点云集合;

    27、基于不规则的点云集合定义不规则图形;

    28、根据不规则图形的识别而定义第一缺陷部分。

    29、可选的,所述根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分,包括:

    30、采集引脚区域,并遍历引脚区域;

    31、基于引脚区域的遍历而定义引脚的点云;

    32、根据引脚的点云筛选长条形的点云集合;

    33、基于长条形的点云集合定义长条形图形;

    34、根据长条形图形的识别而定义第二缺陷部分。

    35、可选的,所述采集第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离,包括:

    36、定格第一缺陷部分以及第二缺陷部分;

    37、遍历第一缺陷部分,并确定第一缺陷部分的外轮廓;

    38、根据第一缺陷部分的外轮廓定义第一缺陷部分的中心;

    39、遍历第二缺陷部分,并确定第二缺陷部分的外轮廓;

    40、根据第二缺陷部分的外轮廓定义第二缺陷部分的中心;

    41、基于第二缺陷部分的中心以及第一缺陷部分的中心确定相对距离。

    42、可选的,所述根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级,包括:

    43、定格第一缺陷部分、第二缺陷部分;

    44、将第一缺陷部分、第二缺陷部分进行匹配,并引入了相对距离;

    45、基于第一缺陷部分、第二缺陷部分之间的匹配定义匹配等级。

    46、可选的,所述根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级,还包括:

    47、根据相对距离定义距离等级;

    48、基于距离等级以及匹配等级定义缺陷参数;

    49、根据第一缺陷部分、第二缺陷部分以及缺陷参数确定缺陷等级。

    50、可选的,所述基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,包括:

    51、定格缺陷等级,并采集芯片型号;

    52、基于芯片型号匹配芯片的合格表;

    53、根据芯片的合格表以及缺陷等级定义芯片问题;

    54、根据芯片问题匹配对应的检测,此时,采集第一缺陷部分、第二缺陷部分所在的空间位置,并沿着第一缺陷部分、第二缺陷部分所在的空间位置进行定点检测,同时,根据第一缺陷部分、第二缺陷部分的外轮廓定义检测始点以及检测方向。

    55、可选的,一种芯片缺陷的检测系统,所述芯片缺陷的检测系统应用于上述的芯片缺陷的检测方法,所述芯片缺陷的检测系统包括:

    56、获取模块,用于获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像;

    57、区域划分模块,用于基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域;

    58、第一识别模块,用于根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;

    59、第二识别模块,用于根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分;

    60、距离模块,用于采集第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离;

    61、缺陷等级模块,用于根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级;

    62、检测模块,用于基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式。

    63、在本发明实施例中,通过本发明实施例中的方法,获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像;基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域;根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分;采集第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离;根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级;基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,此时,根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分,并针对第一缺陷部分以及第二缺陷部分进行整体把控,并引入了第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离的进一步管控,从而保证了缺陷等级,以便于基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,实现了芯片的局部检测,保证了芯片的检测准确性以及检测效率。


    技术特征:

    1.一种芯片缺陷的检测方法,其特征在于,应用于芯片缺陷的检测场景;所述芯片缺陷的检测方法包括:

    2.根据权利要求1所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像,包括:

    3.根据权利要求2所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域,包括:

    4.根据权利要求3所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分,包括:

    5.根据权利要求4所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分,包括:

    6.根据权利要求5所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述采集第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离,包括:

    7.根据权利要求6所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级,包括:

    8.根据权利要求7所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述根据第一缺陷部分、第二缺陷部分、相对距离确定缺陷等级,还包括:

    9.根据权利要求8所述的芯片缺陷的检测方法,其特征在于,所述基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,包括:

    10.一种芯片缺陷的检测系统,其特征在于,所述芯片缺陷的检测系统应用于如权利要求1-9中任一所述的芯片缺陷的检测方法,所述芯片缺陷的检测系统包括:


    技术总结
    本发明公开了一种芯片缺陷的检测方法以及系统,获取芯片的来料信号,并根据芯片的来料信号采集芯片图像;基于芯片图像划分芯片主体区域和芯片引脚区域;此时,根据芯片主体区域的区域识别而定义第一缺陷部分;根据芯片引脚区域的区域识别而定义第二缺陷部分,并针对第一缺陷部分以及第二缺陷部分进行整体把控,并引入了第一缺陷部分以及第二缺陷部分之间的相对距离的进一步管控,从而保证了缺陷等级,以便于基于缺陷等级以及芯片型号匹配对应的定位检测方式,实现了芯片的局部检测,保证了芯片的检测准确性以及检测效率。

    技术研发人员:胡春霞,李星宏,范东奎
    受保护的技术使用者:重庆电子科技职业大学
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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