本公开的示例实施例总体涉及集成电路，并且更具体地，涉及一种用于光刻仿真的方法、设备和介质。
背景技术：
1、光刻技术作为现代集成电路制造领域的核心工艺，承担着将掩膜上的设计版图投影到光刻胶上的关键任务。在此过程中，光刻胶经历一系列复杂的化学反应与物理过程，这些反应和过程的控制对于后续工艺环节至关重要。经过后烘和显影等步骤后，光刻胶上呈现出最终的图案。值得注意的是，光刻胶的形貌轮廓直接定义了半导体器件的关键特征尺寸，因此其精确性对器件性能有着决定性影响，而如何精准控制光刻胶形貌成为光刻工艺中亟待解决的核心问题之一。
技术实现思路
1、在本公开的第一方面，提供了一种用于光刻仿真的方法。该方法包括：将待仿真的光刻胶区域划分为多个光刻胶单元；基于光刻胶区域中的光刻胶的力学性质、光刻胶单元之间的平衡距离和用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，确定与光刻胶势能相关联的一个或多个目标参数，截断半径用于限定嵌入势能的作用范围；以及基于一个或多个目标参数、截断半径和平衡距离，通过最小化多个光刻胶单元的总势能，确定多个光刻胶单元的相应目标位置。
2、在本公开的第二方面，提供了一种电子设备。该设备包括至少一个处理单元；以及至少一个存储器，至少一个存储器被耦合到至少一个处理单元并且存储用于由至少一个处理单元执行的指令。指令在由至少一个处理单元执行时使设备执行第一方面的用于光刻仿真的方法。
3、在本公开的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序可由处理器执行以实现第一方面的用于光刻仿真的方法。
4、在本公开的第四方面，提供了一种计算机程序产品。该计算机程序产品包括计算机可执行指令，这些指令在被处理器执行时，实现根据本公开的第一方面的用于光刻仿真的方法。
5、根据本公开的实施例，首先将待仿真的光刻胶区域划分为多个光刻胶单元，从而能够更精确地模拟光刻胶的微观结构和行为。通过综合考虑光刻胶的力学性质、光刻胶单元之间的平衡距离，以及用户设置的用于近邻相互作用的截断半径，该实施例能够更全面地反映真实的光刻胶材料特性和复杂的力学行为。此外，本公开的实施例在确定与光刻胶势能相关联的目标参数时，通过截断半径来限定嵌入势能的作用范围，通过最小化多个光刻胶单元的总势能来确定各单元的相应目标位置，从而仿真出接近于真实的光刻胶形貌。
6、应当理解，本内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述而变得容易理解。
1.一种用于光刻仿真的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，确定与光刻胶势能相关联的一个或多个目标参数包括：
3. 根据权利要求2所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，确定所述一个或多个目标参数在所述多个光刻胶单元处的相应参数值包括：
4.根据权利要求3所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述至少一个参考弹性模量值包括：
5.根据权利要求3所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述至少一个参考弹性模量值包括：
6. 根据权利要求5所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，确定所述针对弹性模量的缩放因子包括：
7.根据权利要求1所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元的总势能是通过如下方式获得的：
8.根据权利要求7所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述多个光刻胶单元中的第二光刻胶单元与所述第二光刻胶单元的所述第一组近邻光刻胶单元之间的相应对势能项是通过如下方式确定的：
9. 根据权利要求8所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，确定与应变软化有关的对势能系数包括：
10.根据权利要求1所述的用于光刻仿真的方法，其特征在于，所述方法还包括：
11. 一种电子设备，其特征在于，包括：
12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至10任一项所述的用于光刻仿真的方法。
13.一种计算机程序产品，其特征在于，包括计算机可执行指令，其中所述计算机可执行指令在被处理器执行时实现根据权利要求1至10中任一项所述的用于光刻仿真的方法。
