本发明总体上涉及一种银浆和一种复合材料，更具体地涉及一种包含银颗粒、银化合物和胺的银浆以及由该银浆形成的复合材料。
背景技术：
1、为了将半导体芯片安装在板上，通常采用一种称为“芯片接合(die bonding)”的技术。根据芯片接合技术，烧结插入在半导体芯片和板之间的金属粉末浆料以形成接合层，通过该接合层将半导体芯片固定到板上。
2、已经提出了各种类型的银浆作为用于芯片接合工艺的银浆。专利文献1公开了一种烧结银浆材料，其具有将大致球状的银颗粒和有机银络合物混炼成浆料的结构。专利文献2公开了一种含有银粉、脂肪酸银和脂肪胺的银浆。该银粉包括：第一银颗粒，其粒径等于或大于100nm且小于500nm，其比例等于或大于55体积％且等于或小于95体积％；第二银颗粒，其粒径等于或大于50nm且小于100nm，其比例等于或大于5体积％且等于或小于40体积％；以及第三银颗粒，其粒径小于50nm，其比例等于或小于5体积％。
3、根据一种方法，增加添加到这种用于芯片接合工艺的银浆中的银化合物的量，以增加半导体芯片和烧结体之间的接合强度。增加添加到银浆中的银化合物的量将导致银浆的储存稳定性显著降低，以至于随着时间的推移在银浆中产生纳米银(即，银的纳米颗粒)。在这种情况下，纳米银和银颗粒将不再均匀分散。因此，这将导致通过将芯片与银浆接合而制造的安装产品之间的性能差异。
4、引文列表
5、专利文献
6、专利文献1：jp 2011-249257 a
7、专利文献2：jp 2020-164974 a
技术实现思路
1、本发明的主要目的是提供一种具有优异储存稳定性的银浆以及由这种银浆形成的复合材料。
2、根据本公开的一个方面的银浆包含银颗粒(a)、银化合物(b)、胺(c)和溶剂(d)。银颗粒(a)的比例等于或大于80质量％且等于或小于92质量％。胺(c)的比例小于6质量％。
3、根据本公开的另一个方面的复合材料包括基础构件、待接合的构件和介于基础构件和待接合的构件之间的接合层。接合层包括上述银浆的烧结体。
1.一种银浆，其含有银颗粒(a)、银化合物(b)、胺(c)和溶剂(d)，
2.根据权利要求1所述的银浆，其中
3.根据权利要求1所述的银浆，其中
4.根据权利要求1所述的银浆，其中
5.根据权利要求1所述的银浆，其中
6.一种复合材料，其包含基础构件、待接合的构件、以及介于所述基础构件和所述待接合的构件之间的接合层，
