本发明涉及一种静电卡盘部件及静电卡盘装置。本申请主张基于2022年3月18日在日本申请的特愿2022-044580号的优先权，在此援用其内容。
背景技术：
1、在半导体制造工序中，使用在真空环境下保持半导体晶片的静电卡盘装置。静电卡盘装置在载置面载置半导体晶片等板状试样，在板状试样与电极层之间产生静电力，从而吸附固定板状试样。在这种静电卡盘装置中，除了静电吸附用电极层以外，还嵌入有加热器用电极层等各种电极层。在各电极层上连接有供电用端子。
2、在专利文献1中公开了一种结构，其在进行烧结时将导电性部件嵌入于烧结体中并穿孔而使导电性部件暴露之后，对导电性部件和端子部件进行钎焊。在专利文献2中公开了一种结构，其为了连接端子部件与电极层，在陶瓷板的电极层下部的位置上设置通孔导体及与通孔导体连接的板状导电性部件，并且对导电性部件和端子部件进行钎焊。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第5345449号公报
6、专利文献2：国际公开第2020/004309号
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、在专利文献1的结构中，为了使导电性部件暴露而在烧结体中设置孔，因此烧结体的热容在导电性部件的附近局部性地变低，从而存在静电卡盘部件的均热性降低的问题。在专利文献2的结构中，通孔导体的截面积小。因此，在增大流过电极层的电流的情况或提高供给电压的频率的情况下，发热量变大，因此存在均热性降低的问题。
3、本发明的目的之一在于提供一种即使在增大流过电极层的电流的情况或提高供给电压的频率的情况下，均热性仍高的静电卡盘部件及静电卡盘装置。
4、用于解决技术课题的手段
5、本发明的第一方式为以下静电卡盘部件。
6、本发明的第一方式的静电卡盘部件具备：板状基体，具有搭载试样的载置面及位于与所述载置面相反的一侧的下表面，并且具备位于所述载置面与所述下表面之间且沿所述载置面延伸的电极层及从所述电极层向所述下表面侧延伸的柱状供电部；及端子部件，与所述供电部的端面连接，所述供电部的外径为2mm以上，所述供电部与所述端子部件在钎焊部中钎焊连接，所述钎焊部位于比所述基体的所述下表面与所述电极层之间的1/2的位置更靠所述下表面侧的位置。
7、上述第一方式优选包括下述特征。这些特征还优选组合两个以上。
8、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：所述基体为沿厚度方向接合由陶瓷构成的两张以上的板体而成的陶瓷接合体。
9、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：所述供电部为复合烧结体，所述供电部与所述基体一体地接合。
10、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：所述供电部的外周面与所述基体的边界致密地接合。
11、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：所述钎焊部的电阻为1ω以下。
12、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：在所述供电部的端面设置有凹部，所述钎焊部配置于所述凹部内。
13、在上述静电卡盘部件中，可以设为如下结构：在所述下表面设置有凹部，所述供电部暴露于所述凹部的底面，所述钎焊部配置于所述凹部内。
14、本发明的第二方式为以下静电卡盘装置。
15、本发明的第二方式的静电卡盘装置具备：上述静电卡盘部件；及基底部件，从与所述载置面相反的一侧支承所述静电卡盘部件。
16、发明效果
17、根据本发明的一个方式，能够提供一种即使在增大流过电极层的电流的情况或提高供给电压的频率的情况下，均热性仍高的静电卡盘部件及静电卡盘装置。
1.一种静电卡盘部件，其具备：
2.根据权利要求1所述的静电卡盘部件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘部件，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘部件，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘部件，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘部件，其中，
7.根据权利要求1至5中任一项所述的静电卡盘部件，其中，
8.一种静电卡盘装置，其具备：
9.根据权利要求1所述的静电卡盘部件，其中，
10.根据权利要求1所述的静电卡盘部件，其中，
