本公开涉及一种(例如)前开式晶圆传送盒(foup)的衬底容器的清洗过程控制，包含驱动衬底容器的清洗模块的流量控制装置。
背景技术：
1、呈晶片形式的衬底可经处理以形成半导体装置。衬底可包含玻璃、硅或适合于半导体装置的任何其它材料。衬底可具有面板形状，且面板可为圆形、矩形或适合于在容器中处理及运载的任何其它形状。晶片衬底(以下为“衬底”)经历一系列过程步骤，所述过程步骤包含材料层沉积、掺杂、蚀刻或使特定衬底的材料起化学或物理反应。衬底容器是用于在制造设施内存储衬底及运输在处理中的衬底。衬底容器包含(例如)foup，其通常包含具有用于固持衬底的内部空间的壳体，以及用于与各种输送机及其它装置介接的板，使得(例如)foup可在处理设施周围移动。壳体及板(例如)通过焊接、连接器等彼此固定。
2、在处理期间，气体必须被引入及从foup移除，例如在清洗过程期间，因此要求foup具有气体可进入或离开foup的一或多个位置。例如，衬底可通过设备前端模块(efem)从foup传送到处理设备，所述设备前端模块(efem)大体上包含用于接收foup的装载端口、传送单元、框架或“微环境”及用于在efem内产生气流的风扇过滤单元。
3、当foup被衔接在装载端口上时，装载端口的门与foup的门介接，且使foup的门从foup的壳体脱离。当foup的门从壳体脱离(打开)时，efem容许容置在efem内的传送单元接取存储在foup内的衬底。由风扇过滤单元引入的气流从efem的顶部流过efem而到efem的底部。
技术实现思路
1、本公开涉及一种衬底容器的清洗过程控制，包含驱动(例如)在半导体制造中使用的衬底容器的清洗模块的一或多个流量控制装置。更明确来说，本公开涉及基于时序及/或基于衬底容器上或内的感测环境状况(例如相对湿度、氧含量(oxygen level)、内部压力、挥发性有机化合物等)在清洗时实时地配置及驱动清洗模块的一或多个流量控制装置。
2、在至少一个实例实施例中，一种系统包含具有至少两个清洗模块的衬底容器。所述至少两个清洗模块中的每一清洗模块包含流量控制装置。每一清洗模块的流量控制装置被配置为经驱动用于使清洗流体排出。
3、在至少一个实例实施例中，一种驱动衬底容器的清洗模块的流量控制装置的方法包含：开始衬底容器的清洗过程；使清洗流体流入到所述衬底容器的内部中，所述衬底容器具有至少两个清洗模块，所述至少两个清洗模块中的每一清洗模块包含流量控制装置，每一清洗模块的所述流量控制装置被配置成经驱动用于使所述清洗流体排出；及驱动所述流量控制装置用于使所述清洗流体排出。
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底容器是前开式晶圆传送盒(foup)。
3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述流量控制装置是止回阀，所述止回阀经定向使得所述止回阀由来自所述衬底容器外部的压力或力打开。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述流量控制装置的启流压力大于所述衬底容器的门密封件的启流压力。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少两个清洗模块包含四个清洗模块，所述系统进一步包含控制器，
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统进一步包含控制器，
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统进一步包含控制器，
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统进一步包含控制器，
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统进一步包含控制器，
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统进一步包含控制器，
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少两个清洗模块中的每一清洗模块包含微粒过滤器或通气口。
13.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：
14.一种驱动衬底容器的清洗模块的流量控制装置的方法，其包括：
