基板处理装置及基板处理方法与流程

    技术2025-01-19  48


    本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。


    背景技术:

    1、已知有处理基板的基板处理装置。基板处理装置适用于半导体基板的处理。典型而言,基板处理装置使用处理液来处理基板。

    2、已研究了在清洗、干燥基板时抑制在基板外周部残存微粒的基板干燥方法(专利文献1)。专利文献1中记载有:干燥基板的冲洗液时,使用ccd(charge coupled device,电荷耦合器件)相机来计测自冲洗液的薄膜产生的干涉条纹,根据干涉条纹的变化来计测冲洗液的液厚。

    3、现有技术文献

    4、专利文献

    5、专利文献1:日本专利特开2004-335542号公报


    技术实现思路

    1、[发明所要解决的问题]

    2、一般而言,基板处理中使用的处理液为透明,因此一般的ccd相机无法检测基板上的处理液。故而,在专利文献1的基板干燥方法中,使用ccd相机来计测条纹状的干涉条纹。但在专利文献1的基板干燥方法中,无法高精度地确定出腔室内的处理液。

    3、本发明鉴于上述问题而完成,其目的在于提供一种能高精度地确定出腔室内的处理液的基板处理装置及基板处理方法。

    4、[解决问题的技术手段]

    5、根据本发明的一形态,基板处理装置具备:腔室;基板保持部,其在上述腔室内保持基板且使上述基板旋转;处理液供给部,其向上述基板的上表面供给处理液;近红外线光源,其利用近红外线对上述腔室内进行照射;近红外拍摄部,其生成拍摄被来自上述近红外线光源的上述近红外线照射的上述腔室内的上述处理液而得到的拍摄图像;及控制部,其基于上述拍摄图像而确定出上述腔室内的上述处理液的外缘。

    6、某实施方式中,上述控制部基于上述拍摄图像而确定出上述处理液的种类。

    7、某实施方式中,上述近红外拍摄部拍摄自上述处理液供给部供给至上述基板的上述上表面的上述处理液。

    8、某实施方式中,上述控制部基于上述拍摄图像,对上述处理液是否覆盖上述基板的整个上述上表面进行判定。

    9、某实施方式中,上述处理液供给部包含:第1处理液供给部,其向上述基板供给第1处理液;及第2处理液供给部,其向上述基板供给第2处理液;在停止自上述第1处理液供给部供给至上述基板的上述第1处理液的供给之后,开始自上述第2处理液供给部向上述基板供给上述第2处理液,然后,上述控制部基于上述拍摄图像,对上述第2处理液是否覆盖上述基板的整个上述上表面进行判定。

    10、某实施方式中,上述近红外线光源及上述近红外拍摄部配置于上述腔室的外部。

    11、某实施方式中,上述近红外线光源及上述近红外拍摄部配置于隔着上述腔室而对向的位置。

    12、某实施方式中,上述近红外线光源及上述近红外拍摄部配置于上述腔室的内部。

    13、某实施方式中,上述处理液供给部包含配管及喷嘴,上述近红外拍摄部拍摄位于上述配管及上述喷嘴中的至少一者的上述处理液。

    14、根据本发明的另一形态,基板处理方法包含:在腔室内保持基板且使上述基板旋转的步骤;在上述腔室内向上述基板的上表面供给处理液的步骤;利用近红外线对上述腔室内进行照射的步骤;生成拍摄被上述近红外线照射的上述腔室内的上述处理液而得到的拍摄图像的步骤;及基于上述拍摄图像而确定出上述腔室内的上述处理液的外缘的步骤。

    15、某实施方式中,上述基板处理方法还包含如下步骤:基于上述拍摄图像而确定出上述处理液的种类。

    16、某实施方式中,在生成上述拍摄图像的步骤中,拍摄供给至上述基板的上述上表面的上述处理液。

    17、某实施方式中,上述基板处理方法还包含如下步骤:对上述处理液是否覆盖上述基板的整个上述上表面进行判定。

    18、某实施方式中,供给上述处理液的步骤包含如下步骤:向上述基板供给第1处理液;及向上述基板供给第2处理液;上述基板处理方法还包含如下步骤:在停止供给至上述基板的上述第1处理液的供给之后,开始向上述基板供给上述第2处理液,然后基于上述拍摄图像,对上述第2处理液是否覆盖上述基板的整个上述上表面进行判定。

    19、某实施方式中,在生成上述拍摄图像的步骤中,拍摄位于供上述处理液流通的配管及喷嘴中的至少一者的上述处理液。

    20、[发明的效果]

    21、根据本发明,能高精度地确定出腔室内的处理液。



    技术特征:

    1.一种基板处理装置,其中,具备:

    2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,

    3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,

    4.如权利要求3所述的基板处理装置,其中,

    5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,

    6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其中,

    7.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,

    8.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其中,

    9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置,其中,

    10.一种基板处理方法,其中,包含:

    11.如权利要求10所述的基板处理方法,其中,

    12.如权利要求10或11所述的基板处理方法,其中,

    13.如权利要求12所述的基板处理方法,其中,

    14.如权利要求10至13中任一项所述的基板处理方法,其中,

    15.如权利要求10至14中任一项所述的基板处理方法,其中,


    技术总结
    基板处理装置(100)具备:腔室(112);基板保持部(120),其在腔室(112)内保持基板(W),并使基板(W)旋转;处理液供给部(130),其向基板(W)的上表面(Wt)供给处理液;近红外线光源(140),其利用近红外线对腔室(112)内进行照射;近红外拍摄部(150),其生成拍摄被来自近红外线光源(140)的近红外线照射的腔室(112)内的处理液而得的拍摄图像;及控制部(102),其基于拍摄图像来确定出腔室(112)内的处理液的外缘。

    技术研发人员:清水进二
    受保护的技术使用者:株式会社斯库林集团
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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