本公开涉及显示，尤其涉及一种微器件基板和发光芯片转移方法。
背景技术：
1、微发光二极管(micro-led)显示器是一种在基板上集成高密度微小尺寸的led阵列来实现图像显示的显示器，其因具有高品质、机身薄、能耗低等优点，被视为下一代显示器，逐步成为显示装置中的主流。然而，由于微发光二极管的尺寸较小，在微发光二极管显示器的制作过程中存在发光芯片受压变形甚至破裂的问题。
2、因此，如何解决上述问题成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种微器件基板和发光芯片转移方法，用以改善发光芯片受压变形甚至破裂的问题。
2、第一方面，本公开提供了一种微器件基板，包括：
3、衬底、发光芯片和至少两个支撑柱，所述发光芯片和所述支撑柱位于所述衬底的同一侧；
4、沿第一方向，所述支撑柱的高度大于所述发光芯片的厚度，所述第一方向垂直于所述衬底所在平面；
5、所述支撑柱包括层叠设置的第一支撑柱和第二支撑柱，所述第二支撑柱位于所述第一支撑柱远离所述衬底的一侧；
6、所述第二支撑柱的弹性模量小于所述第一支撑柱的弹性模量。
7、第二方面，本申请提供了一种发光芯片转移方法，包括：
8、提供微器件基板，所述微器件基板包括衬底、发光芯片和至少两个支撑柱，所述发光芯片和所述支撑柱位于所述衬底的同一侧；沿第一方向，所述支撑柱的高度大于所述发光芯片的厚度，所述第一方向垂直于所述衬底所在平面；所述支撑柱包括层叠设置的第一支撑柱和第二支撑柱，所述第二支撑柱位于所述第一支撑柱远离所述衬底的一侧；所述第二支撑柱的弹性模量小于所述第一支撑柱的弹性模量；
9、所述发光芯片通过所述微器件基板上的所述支撑柱配合转移至暂态基板。
10、本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
11、本申请提供了一种微器件基板和发光芯片转移方法，其中，微器件基板包括衬底、发光芯片和至少两个支撑柱，发光芯片和支撑柱位于衬底的同一侧，支撑柱的高度大于发光芯片的厚度，当微器件基板设置有发光芯片的一侧受压时，支撑柱先受压，为发光芯片提供一定的保护，支撑柱包括层叠设置的第一支撑柱和第二支撑柱，第一支撑柱位于衬底和第二支撑柱之间，第二支撑柱的弹性模量小于第一支撑柱的弹性模量，当支撑柱受压时，第二支撑柱具有一定的可形变空间，有利于防止发光芯片受到挤压，从而有利于改善由于发光芯片受到挤压而导致的芯片电极变形以及发光芯片破裂等异常情况，进而有利于减少发光芯片的异常问题，提高产品良率。
1.一种微器件基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的微器件基板，其特征在于，所述第一支撑柱沿所述第一方向的高度，等于所述发光基底沿所述第一方向的厚度。
4.根据权利要求3所述的微器件基板，其特征在于，所述第二支撑柱沿所述第一方向的高度大于所述芯片电极沿所述第一方向的厚度。
5.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述微器件基板包括第一状态和第二状态，
6.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，远离所述衬底中心的区域的所述支撑柱的排布密度，大于靠近所述衬底中心的区域的所述支撑柱的排布密度。
7.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述发光基底和所述第一支撑柱均包括n型层、发光层和p型层，所述n型层位于所述衬底的一侧，所述发光层位于所述n型层远离所述衬底的一侧，所述p型层位于所述发光层远离所述衬底的一侧。
8.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，相邻两个所述发光芯片之间包括至少一个所述支撑柱。
9.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述第二支撑柱沿所述第一方向的截面为梯形，所述第二支撑柱远离所述衬底的一侧表面的面积，小于所述第二支撑柱靠近所述衬底的一侧表面的面积。
10.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述支撑柱包括边缘支撑柱和中心支撑柱，所述边缘支撑柱到所述微器件基板边缘的距离小于所述所述中心支撑柱到所述微器件基板边缘的距离；
11.根据权利要求10所述的微器件基板，其特征在于，所述边缘支撑柱的第一支撑柱的高度小于所述中心支撑柱的第一支撑柱的高度。
12.根据权利要求11所述的微器件基板，其特征在于，所述边缘支撑柱的总高度等于所述中心支撑柱的总高度。
13.一种发光芯片转移方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的发光芯片转移方法，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述将所述芯片载体结构中的所述发光芯片转移至第二暂态基板设置有所述粘性胶层的一侧，包括：
16.根据权利要求13所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述第一支撑柱和所述发光基底在同一制程中形成。
17.根据权利要求13所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述第二支撑柱采用光刻工艺制作。
