本发明涉及一种涂碳铝箔的制备领域，更具体的是涉及一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔及其制备方法。
背景技术：
1、在现代电子器件和能源存储系统中，铝箔作为一种常见的导电材料，广泛应用于电容器、电池等器件中。然而，传统的铝箔在实际应用中通常存在内阻较高的问题，这会导致电器件的效率降低以及能量损耗增加。为了提高铝箔的导电性能和降低其内阻，研究人员和工程师们不断探索各种改进方法。
2、涂碳铝箔是一种在铝箔表面涂覆一层碳材料的复合材料。碳材料因其优异的导电性能、耐腐蚀性和机械强度，被广泛应用于各种导电材料的制备中。然而，在实际制备过程中，如何通过有效的方法将碳材料均匀地沉积在铝箔表面，同时保持其低内阻特性，是一个亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、为解决现有技术的不足，基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，正是针对上述问题提出的一种创新性解决方案。通过精确控制沉积过程中的各项参数，可以在铝箔表面形成一层均匀、致密且导电性优异的碳膜，从而有效降低铝箔的内阻，提高其导电性能和应用效果。具体方案如下：
2、一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：
3、s1、铝箔清洗：选用厚度为10-20μm的铝箔作为基材；使用去离子水和无水乙醇对铝箔进行超声波清洗；将清洗后的铝箔在80℃下烘干30分钟，以确保铝箔表面完全干燥；
4、s2、碳材料制备：石墨粉作为碳源材料，纯度要求≥99.9％；
5、s3、制备碳粉悬浮液；
6、s4、碳膜沉积：在真空腔中将铝箔固定于基片台上，将碳粉悬浮液置于靶材位置，使用磁控溅射进行沉积；
7、s5、退火处理：将沉积有碳膜的铝箔置于真空退火炉中进行退火处理；
8、s6、退火后，在氮气保护下冷却至室温。
9、进一步的，s3碳粉悬浮液的制备方法包括以下步骤：
10、s301：将石墨粉加入去离子水中，按照1:10的质量比混合；
11、s302：添加分散，分散剂的加入量为碳粉质量的0.1-0.5％；
12、s303：使用高速搅拌器搅拌30分钟，使石墨粉充分分散，形成均匀的碳粉悬浮液。
13、进一步的，s4碳膜沉积时的参数为：设定工作压力为1～3pa；溅射功率为100～200w；溅射时间为30～60min。
14、进一步的，s5中退火处理时的参数为：退火温度为400～500℃；退火时间为1～2h；真空度为10-4pa。
15、进一步的，s4中控制铝箔的温度为100～150℃。
16、进一步的，在退火过程中，控制升温速率为5℃/min，降温速率为3℃/min。
17、进一步的，s4中靶材与基片的距离设置为5～10cm。
18、通过上述制备方法制备得到的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔。
19、有益效果：
20、本发明提供了一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔及其制备方法，本发明通过采用物理沉积法进行碳膜的沉积，并在退火处理的过程中控制温度和时间，有效降低了铝箔的内阻，提升了导电性能。具体体现在碳膜沉积采用磁控溅射技术，确保了碳膜在铝箔表面的均匀分布，从而显著提高了铝箔的导电性能。通过调节溅射功率和时间，能够控制碳膜的厚度和质量，使得碳膜更加致密，有效降低表面电阻。退火处理通过高温在真空条件下进行，使得碳膜的结构更加稳定，进一步降低了电阻，提高了导电性。同时控制升温和降温速率，避免了热应力的产生，提高了碳膜的附着力和稳定性。
1.一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，s3碳粉悬浮液的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，s4碳膜沉积时的参数为：设定工作压力为1～3pa；溅射功率为100～200w；溅射时间为30～60min。
4.根据权利要求1所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，s5中退火处理时的参数为：退火温度为400～500℃；退火时间为1～2h；真空度为10-4pa。
5.根据权利要求1所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，s4中控制铝箔的温度为100～150℃。
6.根据权利要求4所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，在退火过程中，控制升温速率为5℃/min，降温速率为3℃/min。
7.根据权利要求1所述的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔的制备方法，其特征在于，s4中靶材与基片的距离设置为5～10cm。
8.如权利要求1～7所述的任一制备方法制备得到的一种基于物理沉积法的低内阻型涂碳铝箔。
