本发明涉及硅片加工，具体涉及一种防止时间依赖性雾产生的方法。
背景技术：
1、随着半导体技术的飞速发展，集成电路对于硅片的品质要求也随之水涨船高，在平坦度、颗粒、金属水平上的要求也出现了前所未有的高规格要求。对于硅片而言，作为洁净度的参考标准，颗粒水平尤为重要。在晶圆厂的后段工序，最终清洗→颗粒检测→出货包装，到客户端这一系列环节，都要求硅片保持良好的颗粒水平。
2、硅片存在时间依赖性雾（time dependent haze）的问题，即硅片清洗后，表面颗粒密度非常低（＞0.17μm的颗粒数约为0.1个/cm²），但如果在洁净环境下，存放在用于硅片出货的fosb（front open shipping box）片盒内，经过长时间的存储，或经过长途运输过程，硅片表面会形成高密度的表面颗粒。
3、通常，如果局部出现一定形状如条形状或片块状的雾，或者是硅片表面的点特别多，一般是时间依赖性雾出现的前兆。用原子力显微镜观察发现，缺陷一般是5-25nm高，500nm宽，通常用热水或加热到200℃可以去除，且个别缺陷暴露于x射线光束下时会很快消失，因此不太容易用xps检测到。
4、目前解决这类问题最常用的方法是对表面进行sc1湿法清洗，其他处理方法还有：在空气中用热垫板进行退火处理和在空气中利用紫外光进行辐射等。通常认为形成时间依赖性雾的主要原因是：存储过程中有机物和离子在硅片表面积累，假设硅片被存储在没有灰尘的洁净环境内，污染主要是有机物、酸根离子和碱根离子。
5、但是发现存储在相同环境中的硅片，有些发生时间依赖性雾而有些表面依然光亮。对于tdh形成的原因有多种解释，其中一种解释是：硅片或fosb片盒在清洗后，由于未完全干燥充分，h（原子或分子）扩散进入硅片，和掺杂原子形成一种联合体，在硅片存储过程中，h释放，即和掺杂原子形成的聚合体分解，释放的h又和气氛或环境中的o或湿气反应，成了成核中心，这初步的小颗粒充当了进一步雾生长的成核场所，雾主要包含了含水硅酸盐，当加热时脱水和分解。对于掺杂均匀的硅片，在同一清洗条件下清洗的fosb片盒存储的每一批次的硅片表面形成雾的概率相等，但实际中发现时间依赖性雾总是从硅片的局部开始。
6、fosb片盒清洗后的干燥过程中，可能会由于干燥不充分，造成片盒内壁表面有一层很薄的水膜，因为fosb片盒在清洗前表面每个部位的沾污状态不尽相同，导致fosb表面有局部没有清洗干净或未完全干燥的位置，导致了湿气残留，形成小水滴。硅片在存储过程中，fosb上的水分挥发后，就形成了小颗粒，这些小颗粒最终沉积在硅片表面，形成了时间依赖性雾，即tdh。
技术实现思路
1、本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种防止时间依赖性雾产生的方法，其具有操作便捷和运行稳定性好的特点。通过达到了更好的干燥效果，提升了硅片颗粒水平，即生产过程后的颗粒污染性降低，从而达到了保证硅片品质的效果。
2、本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种防止时间依赖性雾产生的方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：对fosb片盒进行清洗并且甩干，接着fosb片盒正向旋转，转速155rpm，旋转135秒，同时进行氮气吹扫，氮气流量为80lpm，然后fosb片盒进行红外干燥，再次红外加热。
5、第二步： fosb片盒逆向旋转甩干，转速155rpm，旋转135秒，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm，接着红外干燥，fosb片盒逆向旋转，转速10rpm，旋转时间55秒，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm。
6、第三步：对fosb片盒进行干燥，先进行第一次低速泵抽真空，接着进行第一次高速泵抽真空同时进行氮气清除，然后进行第一次排气。
7、第四步：反复进行8次高速泵抽真空同时进行氮气清除，然后反复进行7次排气。
8、第五步：得到干燥后的fosb片盒。
9、作为优选，fosb片盒清洗时，先进行正向旋转，纯水30秒，水流量37lpm；接着逆向旋转，纯水喷淋30秒，水流量37lpm；然后fosb片盒逆向旋转甩干，转速300rpm，旋转时间10秒；fosb片盒在一次逆向旋转，纯水喷淋60秒，水流量50lpm；接着fosb片盒正向旋转，纯水喷淋60秒，水流量50lpm；最后fosb片盒正向旋转甩干，转速900rpm，旋转10秒。
10、作为优选，红外干燥时fosb片盒正向旋转，初始角度94°，先顺时针旋转87°，再逆时针旋转101°，旋转时间5秒，红外加热温度70℃，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm。
11、作为优选，再次红外加热时fosb片盒正向旋转，初始角度274°，先顺时针旋转267°，再逆时针旋转281°，旋转时间5秒，红外加热温度70℃，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm。
12、作为优选，第一次低速泵抽真空时间为10s，第一次高速泵抽真空时间为50s，第一次排气时间为40s。
13、作为优选，第二次至第九次的高速泵抽真空时间为50s，第二次至第8次的排气时间为30s。
14、作为优选， fosb片盒通过在真空压力为1000kpa时，温度降到0℃前水滴就被气化，通过加入氮气延长温度降至0℃的时间，使得低压凝结成水滴得到充分的气化，达到了强化干燥的效果。
15、本发明能够达到如下效果：
16、本发明提供了一种防止时间依赖性雾产生的方法，与现有技术相比较，具有操作便捷和运行稳定性好的特点。通过达到了更好的干燥效果，提升了硅片颗粒水平，即生产过程后的颗粒污染性降低，从而达到了保证硅片品质的效果。
1.一种防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：fosb片盒清洗时，先进行正向旋转，纯水30秒，水流量37lpm；接着逆向旋转，纯水喷淋30秒，水流量37lpm；然后fosb片盒逆向旋转甩干，转速300rpm，旋转时间10秒；fosb片盒在一次逆向旋转，纯水喷淋60秒，水流量50lpm；接着fosb片盒正向旋转，纯水喷淋60秒，水流量50lpm；最后fosb片盒正向旋转甩干，转速900rpm，旋转10秒。
3.根据权利要求1所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：红外干燥时fosb片盒正向旋转，初始角度94°，先顺时针旋转87°，再逆时针旋转101°，旋转时间5秒，红外加热温度70℃，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm。
4.根据权利要求3所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：再次红外加热时fosb片盒正向旋转，初始角度274°，先顺时针旋转267°，再逆时针旋转281°，旋转时间5秒，红外加热温度70℃，同时吹扫氮气，氮气流量为80lpm。
5.根据权利要求1所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：第一次低速泵抽真空时间为10s，第一次高速泵抽真空时间为50s，第一次排气时间为40s。
6.根据权利要求1所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：第二次至第九次的高速泵抽真空时间为50s，第二次至第8次的排气时间为30s。
7.根据权利要求1所述的防止时间依赖性雾产生的方法，其特征在于：fosb片盒通过在真空压力为1000kpa时，温度降到0℃前水滴就被气化，通过加入氮气延长温度降至0℃的时间，使得低压凝结成水滴得到充分的气化，达到了强化干燥的效果。
