本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器和射频前端模组。
背景技术：
1、在射频技术中，低噪声放大器作为射频前端模组中的重要元器件，用于接收从天线传输过来的射频信号，并对接收的射频信号进行放大。由于部分低噪声放大器采用多输入单输出方式传输射频信号，每一路输入均有一路旁路支路，而每路旁路支路均会形成输出到输入的耦合通路，因此会导致低噪声放大器的增益降低以及稳定性下降。在相关技术中，为了解决这一问题，通常是在多路旁路支路的输出端添加一个开关，用于隔离每个旁路支路的输出到输入的耦合通路，当旁路支路的数量过多时，不同的旁路支路到开关之间的走线长度不同，部分旁路支路到开关之间的走线过长会造成过大的损耗。
技术实现思路
1、本申请提供了一种低噪声放大器和射频前端模组，解决了低噪声放大器因部分旁路支路的走线长度过长而造成过大的损耗的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：设置在基板或者芯片上的多个信号输入端、单个信号输出端、n路旁路支路，第一复用开关和第二复用开关；n大于或等于3；所述n路旁路支路被配置为划分成第一组旁路支路和第二组旁路支路；所述第一组旁路支路包括多路旁路支路，多路所述旁路支路的第一端与相应的信号输入端连接，多路所述旁路支路的第二端连接在一起形成第三公共端，多路所述旁路支路设置在所述基板或者所述芯片的第一区域；所述第二组旁路支路包括至少一路旁路支路，至少一路所述旁路支路的第一端与相应的信号输入端连接，至少一路所述旁路支路的第二端连接在一起形成第四公共端，至少一路所述旁路支路设置在所述基板或者所述芯片的第二区域；其中，所述第一区域和所述第二区域分别位于所述基板或者所述芯片的不同区域；所述第一复用开关的第一端与所述第三公共端连接，所述第一复用开关的第二端连接至所述信号输出端，所述第一复用开关设置在所述第一区域，且所述第一复用开关与所述第三公共端临近设置；所述第二复用开关的第一端与所述第四公共端连接，所述第二复用开关的第二端连接至所述信号输出端，所述第二复用开关设置在所述第二区域，且所述第二复用开关与所述第四公共端临近设置。
3、上述低噪声放大器和射频前端模组，通过将第一组旁路支路中的所有旁路支路连接至第一复用开关，并将第一组旁路支路中的所有旁路支路与第一复用开关均设置在第一区域，以及将第二组旁路支路中的所有旁路支路连接至第二复用开关，并将第二组旁路支路中的所有旁路支路与第二复用开关均设置在第二区域，可以实现利用复用开关隔离每个旁路支路的输出到输入的耦合通路，不仅可以提高低噪声放大器的增益和稳定性，而且通过设置两个复用开关，可以确保每个旁路支路到复用开关的走线长度基本相同，避免仅设置一个复用开关导致某个旁路支路到复用开关的走线过长而对信号造成过大损耗，进而可以有效提升低噪声放大器的射频信号的输出质量。
4、第二方面，本申请提供了还一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：多个信号输入端、单个信号输出端、第一放大电路、第二放大电路、第一复用开关和第二复用开关；所述第一放大电路包括多路第一放大支路和多路第一旁路支路，每路所述第一放大支路的第一端与相应的信号输入端连接，多路所述第一放大支路中的第二端连接在一起，形成第一公共端与所述信号输出端连接，每路所述第一旁路支路的第一端与相应的第一放大支路的第一端连接，多路所述第一旁路支路中的第二端连接在一起形成第三公共端；所述第二放大电路包括多路第二放大支路和多路第二旁路支路，每路所述第二放大支路的第一端与相应的信号输入端连接，多路所述第二放大支路中的第二端连接在一起，形成第二公共端与所述信号输出端连接，每路所述第二旁路支路的第一端与相应的第二放大支路的第一端连接，多路所述第二旁路支路中的第二端连接在一起形成第四公共端；第一复用电容；第二复用电容；第一复用开关，所述第一复用开关的第一端与所述第三公共端连接，所述第一复用开关的第二端连接至所述第一复用电容的第一端，所述第一复用电容的第二端连接至所述信号输出端；第二复用开关，所述第二复用开关的第一端与所述第四公共端连接，所述第二复用开关的第二端连接至所述第二复用电容的第一端，所述第二复用电容的第二端连接至所述信号输出端。
5、上述低噪声放大器和射频前端模组，通过将所述n路旁路支路被配置为划分成第一组旁路支路和第二组旁路支路，第一组旁路支路中的所有旁路支路连接至第一复用开关，以及将第二组旁路支路中的所有旁路支路连接至第二复用开关，可以实现利用复用开关隔离每个旁路支路的输出到输入的耦合通路，不仅可以提高低噪声放大器的增益和稳定性，而且通过设置两个复用开关，以及将所述第一组旁路支路中的多路旁路支路和第一复用开关设置在第一区域，所述第二组旁路支路中的多路旁路支路和第二复用开关设置在第二区域；可以确保每个旁路支路到复用开关的走线长度基本相同，避免仅设置一个复用开关导致某个旁路支路到复用开关的走线过长而对信号造成过大损耗，且还可以使得低噪声放大器在芯片或基板上的布局更对称，进而可以有效提升低噪声放大器的射频信号的输出质量。
6、第三方面，本申请还提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括上述的低噪声放大器。
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：设置在基板或者芯片上的多个信号输入端、单个信号输出端、n路旁路支路，第一复用开关和第二复用开关；n大于或等于3；
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域在所述基板或者所述芯片的第一方向上并列设置，且所述第一区域与所述第二区域邻接设置，其中，所述第一方向可以为水平方向或者竖直方向。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域分别设置在所述基板或者所述芯片的中轴线的两侧区域。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第一级放大单元，所述第一级放大单元包括m路放大支路，m大于或等于3，所述m路放大支路被配置为划分成第一组放大支路和第二组放大支路；
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括第二级放大单元，所述第二级放大单元的输入端与所述第一公共端连接，所述第二级放大单元的输出端连接至所述信号输出端，其中，所述第二级放大单元设置在所述第一复用开关和所述第二复用开关之间的区域。
6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一组放大支路包括第一放大支路、第二放大支路和第三放大支路，所述第一组旁路支路包括第一旁路支路、第二旁路支路和第三旁路支路；所述第一放大支路和所述第二放大支路设置在所述第二旁路支路与所述第三旁路支路之间，所述第一旁路支路与所述第二旁路支路设置在所述第一放大支路远离所述第二放大支路的一侧，且所述第二旁路支路与所述第一放大支路临近设置，所述第三旁路支路设置在所述第二放大支路与所述第三放大支路之间；
7.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多路旁路支路中的任意两路旁路支路之间的走线长度差值小于预设值。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，每路所述旁路支路的走线与相邻的放大支路和/或旁路支路的走线之间的距离为15微米至50微米。
9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一组旁路支路中的每路所述旁路支路包括串联的第一开关和第一电容，在每路所述旁路支路中，相对于所述第一电容，所述第一开关与所述旁路支路对应的信号输入端临近设置，相对于所述第一开关，所述第一电容与所述第一复用开关临近设置；
10.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一组旁路支路中的每路所述旁路支路包括第一开关，所述第二组旁路支路中的每路所述旁路支路包括第二开关；
11.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一组旁路支路包括的旁路支路数量与所述第二组旁路支路包括的旁路支路数量相同，或者，所述第一组旁路支路包括的旁路支路数量与所述第二组旁路支路包括的旁路支路数量不同。
12.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：多个信号输入端、单个信号输出端、第一放大电路、第二放大电路、第一复用开关和第二复用开关；
13.根据权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括芯片，所述芯片设置在基板上，所述第一放大电路、所述第二放大电路、所述第一复用电容、所述第二复用电容、所述第一复用开关以及所述第二复用开关均被配置在所述芯片中；
14.根据权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一复用电容以贴片式方式设置在所述第一区域，所述第二复用电容以贴片式方式设置在所述第二区域；或者所述第一复用电容以叠层电容方式设置在所述第一区域，所述第二复用电容以叠层电容方式设置在所述第二区域。
15.根据权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括后级电路，所述后级电路包括衰减器和匹配器，所述衰减器的第一端连接至所述第一复用电容的第二端与所述第二复用电容的第二端之间的第五公共端，所述衰减器的第二端连接至所述匹配器的第一端，所述匹配器的第二端连接至所述信号输出端。
16.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括如权利要求1至11任一项所述的低噪声放大器，或如权利要求12至15任一项所述的低噪声放大器。
