本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种硅晶圆的边缘缺陷的检测方法及装置、处理方法、产品。
背景技术：
1、在半导体硅晶圆制造领域，通过自动光学检测设备识别硅晶圆(wafer)边缘区域的缺陷。随着集成电路精度的提高，对硅衬底要求提高，对硅晶圆边缘区域格外关注，需要对硅晶圆边缘区域进行更精细的检测和分类。
2、硅晶圆边缘区域的缺陷通常分为缺口(chip)、裂纹(crack)、边缘划伤(edge-scratch)三大类，通过缺陷的检测和分类可以避免硅晶圆在后续工艺过程中发生破损的风险，以及避免将不会造成破损风险的硅晶圆进行报废，从而降低成本损失。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅晶圆的边缘缺陷的检测方法及装置、处理方法、产品，能够避免造成产品浪费和损失。
2、为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：
3、一种硅晶圆的边缘缺陷的检测方法，包括：
4、在抛光工艺后，利用光学检测设备发出的激光对硅晶圆的边缘进行检测，确定至少一个目标区域，所述目标区域被识别为异常缺陷；
5、根据激光在所述目标区域的反馈信号强度确定所述目标区域的至少一个离域值，每个所述离域值为一位置点与相邻位置点的反馈信号强度的差值，该位置点对应的硅晶圆圆周角与相邻位置点对应的硅晶圆圆周角相差预设角度；
6、在所述目标区域的离域值满足预设条件时，判断所述目标区域为边缘雾状缺陷。
7、一些实施例中，所述预设条件包括：
8、所述目标区域包括的n个离域值中，有m个离域值超过设定阈值，且m/n大于预设比例，其中，m为大于或等于0的整数，n为大于0的整数。
9、一些实施例中，所述设定阈值为800-1500mw，所述预设比例为2/7-2/5。
10、一些实施例中，所述根据激光在所述目标区域的反馈信号强度确定所述目标区域的至少一个离域值包括：
11、按照所述预设角度将所述目标区域划分为多个位置点，相邻位置点对应的硅晶圆圆周角相差所述预设角度；
12、按照顺时针方向或逆时针方向，对于每一位置点，计算该位置点的所述反馈信号强度与下一相邻位置点的所述反馈信号强度的差值，将所述差值作为所述离域值。
13、一些实施例中，所述预设角度为0.1°-0.3°。
14、本发明实施例还提供了一种硅晶圆的边缘缺陷的检测装置，用于实现如上所述的方法，包括：
15、检测模块，用于在抛光工艺后，利用光学检测设备发出的激光对硅晶圆的边缘进行检测，确定至少一个目标区域，所述目标区域被识别为异常缺陷；
16、计算模块，用于根据激光在所述目标区域的反馈信号强度确定所述目标区域的至少一个离域值，每个所述离域值为一位置点与相邻位置点的反馈信号强度的差值，该位置点对应的硅晶圆圆周角与相邻位置点对应的硅晶圆圆周角相差预设角度；
17、判断模块，用于在所述目标区域的离域值满足预设条件时，判断所述目标区域为边缘雾状缺陷。
18、本发明实施例还提供了一种硅晶圆的处理方法，所述硅晶圆具有通过如上所述的方法检测到的边缘雾状缺陷，对检测到具有边缘雾状缺陷的所述硅晶圆进行边缘抛光，
19、边缘抛光的参数为：抛光压力为20-80n，高速抛光时间为30-80s，高速抛光转速为300-700rpm，低速抛光时间为10-30s，低速抛光转速为100-300rpm。
20、一些实施例中，对所述硅晶圆进行边缘抛光，使得抛光后的硅晶圆产品的边缘区域的离域值均小于设定阈值，所述离域值为采用激光扫描所述硅晶圆的边缘区域时，每一位置点与相邻位置点的反馈信号强度的差值，该位置点对应的硅晶圆圆周角与相邻位置点对应的硅晶圆圆周角相差预设角度，所述设定阈值为800-1500mw，所述预设角度为0.1°-0.3°。
21、本发明实施例还提供了一种硅晶圆产品，采用如上所述的处理方法处理得到，所述硅晶圆不包括通过上述检测方法检测到的边缘雾状缺陷。
22、本发明的有益效果是：
23、利用光学检测设备发出的激光对硅晶圆的边缘进行缺陷识别，确定至少一个目标区域，根据激光在目标区域的反馈信号强度确定目标区域的离域值，根据目标区域的多个离域值判断目标区域为边缘雾状缺陷。本实施例能够根据目标区域的离域值识别边缘雾状缺陷，在确定硅晶圆具有边缘雾状缺陷后，可以通过对硅晶圆进行边缘抛光去除这类缺陷，从而提高产品品质和良率。
1.一种硅晶圆的边缘缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设条件包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设定阈值为800-1500mw，所述预设比例为2/7-2/5。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据激光在所述目标区域的反馈信号强度确定所述目标区域的至少一个离域值包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设角度为0.1°-0.3°。
6.一种硅晶圆的边缘缺陷的检测装置，其特征在于，用于实现如权利要求1-5中任一项所述的方法，包括：
7.一种硅晶圆的处理方法，其特征在于，所述硅晶圆具有通过如权利要求1-5中任一项所述的方法检测到的边缘雾状缺陷，对检测到具有边缘雾状缺陷的所述硅晶圆进行边缘抛光，
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述硅晶圆进行边缘抛光，使得抛光后的硅晶圆产品的边缘区域的离域值均小于设定阈值，所述离域值为采用激光扫描所述硅晶圆的边缘区域时，每一位置点与相邻位置点的反馈信号强度的差值，该位置点对应的硅晶圆圆周角与相邻位置点对应的硅晶圆圆周角相差预设角度，所述设定阈值为800-1500mw，所述预设角度为0.1°-0.3°。
9.一种硅晶圆产品，其特征在于，采用如权利要求7或8所述的处理方法处理得到，所述硅晶圆不包括通过权利要求1-5中任一项所述的方法检测到的边缘雾状缺陷。
