阵列基板及显示面板的制作方法

    技术2024-12-29  52


    本申请涉及显示,具体涉及一种阵列基板及显示面板。


    背景技术:

    1、传统方案的微发光器件显示面板的阵列基板的制备方法如下:先提供一基板,然后依次在基板上制备有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、有机材料层、第三金属层,为了便于在阵列基板上安装发光器件,需要在第三金属层上额外增加一层光罩制作阴极及阳极,增加了阵列基板的工艺制程,导致微发光器件显示面板的生产成本也增加。


    技术实现思路

    1、本申请的实施例提供了一种阵列基板及显示面板,以改善阵列基板的工艺制程增加导致的生产成本增加的问题。

    2、第一方面,本申请的实施例提供了一种阵列基板,包括:

    3、基板;

    4、薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设于所述基板上;

    5、第一垫高部,所述第一垫高部设于所述基板上,且所述第一垫高部位于所述薄膜晶体管的一侧;

    6、第二垫高部,所述第二垫高部设于所述基板上,且所述第二垫高部与所述第一垫高部间隔;

    7、封装层,所述封装层设于所述基板上,且所述封装层覆盖所述薄膜晶体管;

    8、第一导电部,所述第一导电部设于所述第一垫高部远离所述基板的一表面;

    9、第二导电部,所述第二导电部设于所述第二垫高部远离所述基板的一表面;

    10、其中,所述第一导电部的顶面所在平面不低于所述封装层的顶面所在的平面,所述第二导电部的顶面所在平面不低于所述封装层的顶面所在的平面。

    11、进一步的,所述第一垫高部包括至少一个第一垫高子部,所述第二垫高部包括至少一个第二垫高子部,所述薄膜晶体管包括有源部、栅极、源/漏极,所述至少一个第一垫高子部所在的膜层与所述有源部所在的膜层、所述栅极所在的膜层或所述源/漏极所在的膜层中的至少一者同层,所述至少一个第二垫高子部所在的膜层与所述有源部所在的膜层、所述栅极所在的膜层或所述源/漏极所在的膜层中的至少一者同层。

    12、进一步的,所述第一垫高部包括三个第一垫高子部,所述第二垫高部包括三个第二垫高子部;

    13、其中,第一个所述第一垫高子部、第一个所述第二垫高子部以及所述有源部同层,第二个所述第一垫高子部、第二个所述第二垫高子部以及所述栅极同层,第三个所述第一垫高子部、第三个所述第二垫高子部以及所述源/漏极同层;

    14、在所述阵列基板的俯视图中,三个所述第一垫高子部重叠,三个所述第二垫高子部重叠。

    15、进一步的,位于所述有源部所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述有源部的厚度相同,位于所述栅极所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述栅极的厚度相同,位于所述源/漏极所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述源/漏极的厚度相同。

    16、进一步的,与所述源/漏极同层的所述第一垫高子部的顶面所在的平面高于所述源/漏极的顶面所在的平面,与所述源/漏极同层的所述第二垫高子部的顶面所在的平面高于所述源/漏极的顶面所在的平面。

    17、进一步的,所述阵列基板还包括第三导电部,所述第三导电部位于所述薄膜晶体管与所述封装层之间,所述第三导电部与所述薄膜晶体管以及所述第一导电部电连接,且所述第一导电部的顶面所在的平面及所述第二导电部的顶面所在的平面高于所述第三导电部的顶面所在的平面。

    18、进一步的,所述第一导电部的顶面与所述第二导电部的顶面平齐。

    19、进一步的,在所述阵列基板的俯视图中,所述第一导电部的面积不大于所述第一垫高部的面积,所述第二导电部的面积不大于所述第二垫高部的面积。

    20、进一步的,所述第一导电部所在的膜层的厚度为1-10um。

    21、第二方面,本申请的实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括所述的阵列基板,所述显示面板还包括发光器件,所述发光器件还包括第一电极以及第二电极,所述发光器件通过所述第一电极与所述第一导电部连接,所述发光器件通过所述第二电极与所述第二导电部电连接;

    22、其中,在所述显示面板的俯视图中,所述第一电极与所述第一导电部重叠,所述第二电极与所述第二导电部重叠。

    23、本申请的有益效果:

    24、本申请提供了一种阵列基板及显示面板,通过设置第一垫高部以及第二垫高部,将所述第一导电部设于所述第一垫高部远离所述基板的一表面,所述第一导电部的顶面所在平面不低于所述封装层的顶面所在的平面,增加了第一导电部的高度,设置所述第二导电部设于所述第二垫高部远离所述基板的一表面,所述第二导电部的顶面所在平面不低于所述封装层的顶面所在的平面,增加了第二导电部的高度,使得第一导电部以及第二导电部能够处于阵列基板的最高处,在使用有机材料层封装导线走线时,有机材料层不会覆盖第一导电部以及第二导电部,使得有机材料层不会影响发光器件与阵列基板的键合,保证第一导电部能够作为微发光器件显示面板的发光器件的正极或负极中的一者,第二导电部能够作为微发光器件显示面板的发光器件的正极或负极中的另一者,从而不需要额外增加一道光罩在阵列基板上制作正极、负极,减少了在制备阵列基板时的一道光罩流程,进而降低阵列基板的生产成本。



    技术特征:

    1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

    2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一垫高部包括至少一个第一垫高子部,所述第二垫高部包括至少一个第二垫高子部,所述薄膜晶体管包括有源部、栅极、源/漏极,所述至少一个第一垫高子部所在的膜层与所述有源部所在的膜层、所述栅极所在的膜层或所述源/漏极所在的膜层中的至少一者同层,所述至少一个第二垫高子部所在的膜层与所述有源部所在的膜层、所述栅极所在的膜层或所述源/漏极所在的膜层中的至少一者同层。

    3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一垫高部包括三个第一垫高子部,所述第二垫高部包括三个第二垫高子部;

    4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,位于所述有源部所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述有源部的厚度相同,位于所述栅极所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述栅极的厚度相同,位于所述源/漏极所在的膜层的所述第一垫高子部、所述第二垫高子部与所述源/漏极的厚度相同。

    5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,与所述源/漏极同层的所述第一垫高子部的顶面所在的平面高于所述源/漏极的顶面所在的平面,与所述源/漏极同层的所述第二垫高子部的顶面所在的平面高于所述源/漏极的顶面所在的平面。

    6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第三导电部,所述第三导电部位于所述薄膜晶体管与所述封装层之间,所述第三导电部与所述薄膜晶体管以及所述第一导电部电连接,且所述第一导电部的顶面所在的平面及所述第二导电部的顶面所在的平面高于所述第三导电部的顶面所在的平面。

    7.根据权利要求1或6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电部的顶面与所述第二导电部的顶面平齐。

    8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的俯视图中,所述第一导电部的面积不大于所述第一垫高部的面积,所述第二导电部的面积不大于所述第二垫高部的面积。

    9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电部所在的膜层的厚度为1-10um。

    10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板,所述显示面板还包括发光器件,所述发光器件还包括第一电极以及第二电极,所述发光器件通过所述第一电极与所述第一导电部连接,所述发光器件通过所述第二电极与所述第二导电部电连接;


    技术总结
    本申请公开了本申请提供了一种阵列基板及显示面板,包括基板、薄膜晶体管、第一垫高部、第二垫高部、封装层、第一导电部以及第二导电部,薄膜晶体管设于基板上;第一垫高部设于基板上,且第一垫高部位于薄膜晶体管的一侧;第二垫高部设于基板上,且第二垫高部与第一垫高部间隔;封装层设于基板上,且封装层覆盖薄膜晶体管;第一导电部设于第一垫高部远离基板的一表面;第二导电部设于第二垫高部远离基板的一表面;其中,第一导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面,第二导电部的顶面所在平面不低于封装层的顶面所在的平面。

    技术研发人员:尹炳坤
    受保护的技术使用者:武汉华星光电技术有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/10/24
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