本发明涉及例如使用有机材料的摄像元件及其制造方法以及光检测装置。
背景技术：
1、例如，专利文献1公开了一种固态摄像装置，其中，在彼此相对设置的第一电极与第二电极之间从第一电极侧设置有光电转换膜和半导体层，并且在半导体层中还设置有被绝缘膜覆盖的第三电极的。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：wo2020/203249
技术实现思路
1、与此同时，对于摄像装置等中使用的光检测装置，期望拍摄的图像具有改进的图像质量。
2、期望提供一种能够提高拍摄的图像质量的摄像元件、摄像元件的制造方法以及光检测装置。
3、根据本发明的一个实施方案的摄像元件包括：第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对地设置的第三电极；设置在所述第一电极与所述第三电极之间以及所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；设置在所述第一电极与所述光电转换层之间以及所述第二电极与所述光电转换层之间的绝缘层，所述绝缘层在所述第二电极上方具有开口；以及包括第一层和第二层的半导体层，所述第一层设置在所述光电转换层与所述绝缘层之间，并且形成在至少所述第一电极上方，并且所述第二层形成在至少所述第二电极上方，所述第二层经由所述开口电连接至所述第二电极，并且在材料组成、结晶性、所含杂质浓度和构成元素中的至少一者上与所述第一层不同。
4、本发明的一个实施例提供了摄像元件的制造方法。所述摄像元件包括第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对地设置的第三电极；设置在所述第一电极与所述第三电极之间以及在所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；设置在所述第一电极与所述光电转换层之间以及在所述第二电极与所述光电转换层之间的绝缘层，所述绝缘层在所述第二电极上方具有开口；以及包括第一层和第二层的半导体层，所述第一层设置在所述光电转换层与所述绝缘层之间并且形成在至少所述第一电极上方，并且所述第二层形成在至少所述第二电极上方，所述第二层经由所述开口电连接至所述第二电极，并且在材料组成、结晶性、所含杂质浓度和构成元素中的至少一者上与所述第一层不同。所述方法包括：使用物理气相沉积方法形成所述第一层；和使用原子层沉积方法形成所述第二层。
5、根据本发明的一个实施方案的光检测装置包括用于多个像素的各者的根据本发明一个实施方案的一个或多个摄像元件。
6、在根据本发明的一个实施方案的摄像元件、根据本发明的一个实施方案的摄像元件的制造方法和根据本发明的一个实施方案的光检测装置中，设置有包括第一层和第二层的半导体层，在覆盖第一电极和第二电极之中的所述第一电极并且在所述第二电极上方具有开口的绝缘层与光电转换层之间，所述第一层形成在至少所述第一电极上方，并且所述第二层形成在至少所述第二电极上方，所述第二层经由所述开口电连接至所述第二电极，并且在材料组成、结晶性、所含杂质浓度和构成元素中的至少一者上与所述第一层不同。这改善了到第二电极的载流子传输特性。
1.一种摄像元件，包括：
2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
3.根据权利要求1所述的摄像元件，还包括第一保护层，所述第一保护层包括在所述光电转换层与所述半导体层之间的无机材料。
4.根据权利要求3所述的摄像元件，其中
5.根据权利要求3所述的摄像元件，其中
6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
7.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
9.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
10.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
11.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
12.根据权利要求3所述的摄像元件，其中
13.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
14.根据权利要求1所述的摄像元件，其中
15.根据权利要求1所述的摄像元件，还包括在所述第一电极与所述第二电极之间的第四电极。
16.根据权利要求14所述的摄像元件，其中
17.根据权利要求16所述的摄像元件，其中
18.一种摄像元件的制造方法，所述摄像元件包括：
19.一种光检测装置，其包括多个像素，各像素包括一个或多个摄像元件，所述一个或所述多个摄像元件包括：
