本申请涉及除锡，尤其涉及一种除锡设备的除锡方法、除锡设备及存储介质。
背景技术：
1、随着芯片封装技术的发展，芯片模组上会集成各种电子元件，比如去耦电容，这使得在锡球侧分布有不同的电子元件。因为芯片模组的小型化设计，锡球和相邻电子元件的间距较小，有的甚至达到0.2mm，故在对芯片模组返修时易碰伤与锡球相邻的电子元件，导致芯片模组报废，因此，给芯片模组返修带来很大的挑战。
技术实现思路
1、本申请实施例的主要目的在于提供一种除锡方法、除锡设备及存储介质，旨在解决在除锡过程中造成与锡球相邻的电子元件损伤的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种除锡设备的除锡方法，用于芯片模组上锡球的去除，所述芯片模组包括基板、至少一个芯片和至少一个电子元件，所述基板具有第一表面，所述芯片和所述电子元件设于所述第一表面，其特征在于，所述除锡设备包括除锡头、加热装置和真空泵；所述除锡头位于所述第一表面所在侧，用于对锡球进行加热处理和真空吸附去除，所述加热装置用于为所述除锡头提供热源，所述真空泵用于为所述除锡头提供吸力；所述除锡方法包括：
3、根据预设的除锡路径控制所述除锡头分别对各所述锡球进行加热处理后真空吸附去除，所述除锡路径为所述除锡头按预设轨迹去除所有所述锡球的移动路径，沿所述除锡路径所述除锡头避开设于所述基板上的所有所述电子元件。
4、作为一种实施方式，所述除锡头的数量为两个，分别定义为第一除锡头和第二除锡头，所述第一除锡头的口径小于所述第二除锡头的口径；
5、所述根据预设的除锡路径控制所述除锡头对各所述锡球进行加热处理后真空吸附去除，包括：
6、根据预设的除锡路径控制所述第一除锡头对与所述电子元件相邻设置的所述锡球分别进行加热处理后真空吸附去除，以及控制所述第二除锡头对不与所述电子元件相邻设置的所述锡球分别进行加热处理后真空吸附去除。
7、作为一种实施方式，所述第一除锡头的外径小于或等于相邻的所述锡球和所述电子元件之间的距离。
8、作为一种实施方式，所述控制所述除锡头对所述锡球进行加热处理，包括：
9、控制所述除锡头对所述锡球进行至少两次加热，其中后一次加热处理的温度高于前一次加热处理的温度，且在完成所述前一次加热处理之后，将所述锡球的温度按照所述前一次加热处理的温度保温预设时间值。
10、作为一种实施方式，所述加热装置包括加热电阻丝，所述加热电阻丝设于所述除锡头内；
11、所述控制所述除锡头对所述锡球进行加热处理，包括：
12、控制所述加热电阻丝发热以将热量通过所述除锡头传递至所述锡球。
13、作为一种实施方式，所述加热装置包括加热电阻丝和风扇，所述加热电阻丝设于所述除锡头内；
14、所述控制所述除锡头对所述锡球进行加热处理，包括：
15、控制所述加热电阻丝发热；
16、控制所述风扇用于将所述加热电阻丝产生的热量吹至所述除锡头的吸口处。
17、作为一种实施方式，所述除锡设备还包括真空度传感器；
18、在对所述锡球进行加热处理和真空吸附去除之间，所述除锡方法还包括：
19、控制所述真空度传感器检测所述锡球处的真空度，若所述真空度传感器检测到所述锡球处的真空度大于或等于预设值，则控制所述真空泵开启。
20、作为一种实施方式，所述除锡设备还包括承载座和高度探测器，所述承载座具有承载面，所述芯片模组以所述第一表面背对所述承载座设置的方式放置于所述承载面，所述高度探测器用于探测所述锡球顶部到所述承载面的距离以及探测所述第一表面到所述承载面的距离；
21、在所述根据预设的除锡路径控制所述除锡头对任意一个或多个锡球进行加热处理之前，所述除锡方法还包括：
22、控制所述高度探测器在所述芯片模组的相应区域探测所述锡球顶部到所述承载面的距离以及所述第一表面到所述承载面的距离；
23、若所述锡球顶部到所述承载面的距离小于预设的除锡高度或者所述第一表面到所述承载面的距离大于预设的除锡高度，则调整除锡高度大于所述第一表面到所述承载面的距离且小于或等于所述锡球顶部到所述承载面的距离；所述除锡高度为所述除锡头对所述锡球进行加热处理和真空吸附去除时与到所述承载面的距离。
24、作为一种实施方式，所述除锡设备还包括预热装置；
25、在所述根据预设的除锡路径控制所述除锡头对第一个锡球进行加热处理之前，所述除锡方法还包括：
26、控制所述预热装置对所述芯片模组进行预热处理，并使所述芯片模组在预热温度保持恒温。
27、第二方面，本申请实施例还提供一种除锡设备，所述除锡设备包括处理器，所述处理器可用于执行上述的除锡方法。
28、第三方面，本申请实施例还提供一种存储介质，用于计算机可读存储，所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述的除锡方法的步骤。
29、本申请实施例提供一种除锡方法、除锡设备及存储介质，通过沿预设的除锡路径对各锡球进行加热处理后真空吸附去除，因预设的除锡路径避开设于基板上的所有电子元件，所以除锡头在对锡球进行加热及真空吸附去除时，能避开所有电子元件而不与电子元件接触，因而不会对电子元件造成损坏；并且采用真空吸附的方式除锡，能有效地避免除锡头与电子元件的接触，进一步确保除锡时不会对电子元件造成损坏。因此，本申请提供的除锡方法在除锡过程中不会对与锡球相邻设置的电子元件造成损伤，提高了芯片模组的返修质量。
1.一种除锡设备的除锡方法，用于芯片模组上锡球的去除，所述芯片模组包括基板、至少一个芯片和至少一个电子元件，所述基板具有第一表面，所述芯片和所述电子元件设于所述第一表面，其特征在于，所述除锡设备包括除锡头、加热装置和真空泵；所述除锡头位于所述第一表面所在侧，用于对锡球进行加热处理和真空吸附去除，所述加热装置用于为所述除锡头提供热源，所述真空泵用于为所述除锡头提供吸力；所述除锡方法包括：
2.如权利要求1所述的除锡方法，其特征在于，所述除锡头的数量为两个，分别定义为第一除锡头和第二除锡头，所述第一除锡头的口径小于所述第二除锡头的口径；
3.如权利要求2所述的除锡方法，其特征在于，所述第一除锡头的外径小于或等于相邻的所述锡球和所述电子元件之间的距离。
4.如权利要求1所述的除锡方法，其特征在于，所述控制所述除锡头对所述锡球进行加热处理，包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的除锡方法，其特征在于，所述加热装置包括加热电阻丝，所述加热电阻丝设于所述除锡头内；
6.如权利要求1至4任一项所述的除锡方法，其特征在于，所述加热装置包括加热电阻丝和风扇，所述加热电阻丝设于所述除锡头内；
7.如权利要求1所述的除锡方法，其特征在于，所述除锡设备还包括真空度传感器；
8.如权利要求1所述的除锡方法，其特征在于，所述除锡设备还包括承载座和高度探测器，所述承载座具有承载面，所述芯片模组以所述第一表面背对所述承载座设置的方式放置于所述承载面，所述高度探测器用于探测所述锡球顶部到所述承载面的距离以及探测所述第一表面到所述承载面的距离；
9.如权利要求1所述的除锡方法，其特征在于，所述除锡设备还包括预热装置；
10.一种除锡设备，其特征在于，所述除锡设备包括处理器，所述处理器可用于执行如权利要求1至9任一项所述的除锡方法。
11.一种存储介质，用于计算机可读存储，其特征在于，所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如权利要求1至9中任一项所述的除锡方法的步骤。
