本发明涉及一种用于从基板移除至少一个单一微粒的装置和方法，且尤其用于移除在光刻系统(例如用于极紫外(euv)光波长范围的系统)中使用的光学元件上的至少一个单一微粒的装置和方法。
背景技术：
1、随着微电子制品集成密度的不断提高，光刻掩模必须将变得越来越小的结构元件成像在晶片的光刻胶层中。这也同样适用于在纳米压印光刻技术(nanoimprintlithography)中使用的模板。为了满足这些要求，曝光波长就要转变为更短的波长。目前，主要采用氟化氩(arf)准分子激光器用于曝光目的，这些激光器发射的波长为193纳米。在极紫外光波长范围(10-15纳米)内发射光的光源与对应极紫外光掩模方面进行了大量工作。为了提高晶片曝光过程的分辨率能力，同时已经对常规的双重光刻掩模开发出多种变型，例如相位掩模或相位偏移掩模以及多次曝光掩模。
2、由于结构元件大小尺寸越来越小，光刻掩模、光掩模或简称的掩模的制作无法总是不带有晶片上可见的或可压印出来的缺陷。由于光刻掩模制作成本高昂，带有缺陷的光掩模在可能条件下要如同纳米压印光刻技术中使用的模板那样进行修复。
3、在修复光掩模时，牵涉到移除出现在并非设计中设想的掩模位置处的吸收体图案(absorber pattern)的部分。进一步的，尽管掩模设计提供吸收性图案元件，吸收材料仍在掩模上的某些不该有吸收材料的位置处沉积。两种类型的修复过程都可能产生碎片或者微粒，该碎片或微粒可在光掩模的透明位置或反射位置上沉积，从而在晶片上成为可见的成像像差。
4、不过，更主要的还是来自周围环境的脏粒，该些脏粒会在掩模表面、更一般地在光学元件或在光刻曝光系统的元件上沉积。这些脏粒一般通过掩模制作过程中和/或掩模或光学元件使用过程中的清洁步骤从掩模表面加以移除。图1显示了光掩模区段的俯视图，该区段含有一微粒，该微粒位于掩模一图案元件上并可凭借清洁过程加以移除。此外，当掩模在制作过程和/或操作过程中被处理时，也有可能产生可沉降于掩模上的微粒。
5、在以在极紫外光波长范围中的电磁辐射运作的光刻曝光系统的情况下，还会具有其他两处困难。就目前技术状况而言，极紫外光掩模的结构元件承载表面还未设置保护(形如薄膜)。因此，极紫外光掩模的结构化表面特别容易受到微粒的沉降。此外，极紫外光辐射源一般利用锡等离子体产生极紫外光辐射(参见：oscar o.versolato:“physics oflaser-driven tin plasma sources of euv radiation for nanolithograhy”,plasmasources sci.technol.28(2019)083001，doi:10/1088/1361-6595/ab302)。来自热态等离子体的微粒会沉积在极紫外光曝光系统的部件上，尤其在极紫外光曝光系统的光学部件或者元件(包括极紫外光掩模)上，并可影响其功能。
6、光刻掩模结构测量值越来越小，使得清洁操作难度不断增加(参见：t.shimomuraand t.liang:“50nm particle removal from euv mask blank using standard wetclean”,proc.of spie vol.7488,s.74882f-1-74882f-8)。另外，随着曝光波长不断缩短，吸收在掩模表面或在曝光系统的光学元件表面上的更小外来或肮脏粒子在晶片的曝光过程期间变得可看见。图2显示了一掩模区段的示意图，在该区段中，两个微粒位于光掩模的一接触孔内，所述微粒无法凭借一清洁操作从掩模移除。
7、以下例举了几份借助于纳米操纵器或微操纵器检查纳米微粒运动的文献：h.h.pieper:“morphology and electric potential of pristine and gold coveredsurfaces with fluorite structure”,thesis,university of osnabrück 2012；s.darwich et al.:“manipulation of gold colloidal nanoparticles with atomicforce microscopy in dynamic mode:influence of particle-substrate chemistryand morphology,and operating conditions”,beilstein j.nanotechnol.,vol.2(2011),p.85-98；h.h.pieper et al.:“morphology and nanostructure of ceo2(111)surfaces of single crystals and si(111)supported ceria films”,phys.chemistrychemical physics,vol.14,p.15361ff,2013；e.gallagher et al.:“euvl mask repair:expanding options with nanomachining”,bacus,vol.3,no.3(2013),p.1-8；m.martinet al.:“manipulation of ag nanoparticles utilizing noncontact atomic forcemicroscopy”,appl.phys.lett.,vol.72,no.11,september 1998,p.1505-1507；p.j.durston et al.:“manipulation of passivated gold clusters on graphite withthe scanning tunneling microscope”,appl.phys.lett.,vol.72,no.2,january 1998,p.176-178；r.requicha:“nanomanipulation with the atomic force microscope”,nanotechnology online,isbn:9783527628155；c.baur etal.:“nanoparticlemanipulation by mechanical pushing:underlying phenomena and real-timemonitoring”,nanotechnology 9(1998),p.360-364；j.d.beard etal.:“an atomic forcemicroscope nanoscalpel for nanolithography and biological applications”,nanotechnology 20(2009),445302,p.1-10；us 6 812 460 b1.以下文献报告了基板上的微粒的提升和放置：j.xu et al.:“lifting and sorting of charged au nanoparticlesby electrostatic forces in atomic force microscopy”,small 2010,vol.6,no.19,p.2105-2108；n.cao et al.:“interactive micromanipulation of picking andplacement of nonconductive microsphere in scanning electron microscope”,micromachines 2017,8,257,doi:10.3390/mi8080257；c.baur and r.stallcup:"systemsand method for picking and placing of nanoscale objects utilizing differencesin chemical and physical binding forces",micromachines 8,p.257(2017)；us 8 696818 b2；jp 2005-084582；以及us 6 987 277 b2。
8、微粒的移动，且尤其是从表面上提升个别微粒，是典型复杂且费时的过程。此外，要将一个黏附在光学元件表面上的微粒完全从该光学元件上移除也是相当困难的。
9、因此，本发明所解决的问题是指定一种能够改进微粒从基板(尤其是用于光刻的光学元件)上的移除的装置和方法。
技术实现思路
1、根据本发明的一个示例性实施例，提供依据权利要求1的一种装置及权利要求19的一种方法解决以上所述的问题。在一个实施方式中，用于从基板(尤其是极紫外光(euv)光刻的光学元件)移除至少一个单一微粒的装置包括：(a)分析单元，设计为确定至少一个单一微粒的材料组成的至少一个成分；(b)至少一个注气系统，设计为给至少一个单一微粒的环境提供与特定成分相配的气体；(c)其中，相配的气体有助于将至少一个单一微粒从基板移除。
2、难以执行局部侵蚀操作的一个常见原因在于待移除微粒的材料组成通常是未知的。因此，局部侵蚀和/或沉积操作仅可部分地与待移除微粒相配，或更经常根本不能与之相配。由此，局部侵蚀操作经常是费时而又徒劳的。
3、由于在任何处理操作之前至少部分地确定了吸附在表面上的微粒的材料组成，可使诸如侵蚀或沉积等处理操作与特定的微粒相配。与微粒相配的处理操作不但能够绝大部分无任何残渣地移除微粒，而且不会在处理操作期间显著地损坏微粒周围的基板。
4、该分析单元可以高效利用以下技术所构成的群组中的至少一个元素：能量色散x射线光谱(edx)；x射线光子发射光谱(xps)；俄歇电子能谱(aes)；二次离子质谱(sims)；二次中性质谱(snms)；卢瑟福背散射光谱(rbs)；低能级离子散射光谱(leis)。
5、分析单元被设计为在确定材料组成的至少一个成分时考虑外部输入。
6、该外部输入可来自使用本发明之装置的技术专家。替代地，该外部输入也可例如由外部的材料数据库提供。
7、进一步的，分析单元可被设计为在确定相配气体时考虑基板的材料组成。进一步的，分析单元可被设计为确定在移除至少一个单一微粒时所需的相配气体暴露剂量。进一步的，分析单元可被设计为在确定暴露剂量时考虑待移除微粒周围的基板。
8、所述装置还包括材料数据库，和/或可对材料数据库进行存取的接口。该材料数据库可含有至少一个单一微粒的可能材料的数据。
9、所述装置还可包括机器学习模型，该模型被训练成使用来自于分析单元的测量数据来预测至少一个单一微粒的材料组成的至少一个成分。进一步的，所述装置可包括预测式滤波器，该预测式滤波器可以使用来自于分析单元的测量数据来预测至少一个单一微粒的材料组成的至少一个成分。
10、在来自于分析单元的测量数据的基础上，机器学习模型和/或预测式滤波器可以预测材料组成的一个或多个成分。这使得能够执行对识别的微粒而言特定相配的大部分自动化的处理操作。此外，还可估计在确定微粒的材料组成时的不确定性。以此方式，可为微粒选择最可能的处理操作。
11、经过训练的机器学习模型可以包括循环神经网路(rnn)，而循环神经网路可包括长短期记忆(lstm)网路。
12、来自机器学习模型的训练数据可为已知微粒的材料组成的测量数据，所述微粒出现在用于光刻的光学元件上。此外，用于机器学习模型的训练数据还可包括有关特殊合成材料组成的测量数据。另外，还可利用修复工具的操作者在操作期间所收集的数据对机器学习模型进行训练。
13、该预测式滤波器可包含来自以下群组的元素：卡尔曼滤波器、粒子滤波器和具有有限脉冲回应的低通滤波器。
14、所述装置还可包括至少一个显微系统，该显微系统设计为对至少一个单一微粒成像，较佳地在移除至少一个单一微粒期间。
15、显微系统可用于识别基板上的微粒。此外，显微系统可用于微粒的处理操作的监控和/或控制。
16、显微系统可设计为确定至少一个单一微粒的参数。
17、显微系统可使用零质量粒子来成像至少一个单一微粒。显微系统可使用极紫外光波长范围的光子来成像至少一个单一微粒。显微系统可使用非零质量粒子来成像至少一个单一微粒。显微系统可使用带电粒子来成像至少一个单一微粒，尤其是电子和/或离子。显微系统可使用非带电非零质量粒子来成像至少一个单一微粒，特别是原子和/或分子。
18、该基板可包括光刻掩模、纳米压印光刻的模板和/或光刻曝光装置的光学元件。光刻掩模可为任何类型的光掩模，例如二元掩模或者相移掩模。更特别地，光刻掩模可包括用于深紫外光(duv)或极紫外光(euv)波长范围的掩模。
19、该至少一个单一微粒可具有任意期望的形状。该至少一个单一微粒的直径可在约1纳米至约100微米的范围内。该至少一个单一微粒可与基板以任意方式进行相互作用。
20、所述装置还可包括控制单元，该控制单元设计为监控相配气体的气体组成。此外，该控制单元可设计为控制相配气体的流量。以此方式，控制单元可以监控待移除微粒附近的特定暴露剂量供应。
21、相配气体可以主动侵蚀至少一个单一微粒。
22、在一个工作示例中，注气系统在待移除微粒的环境中提供与所识别微粒相配合的气体，该气体主动侵蚀该微粒，即无需额外供应外部能量。
23、相配气体可以一速率对至少一个单一微粒主动进行侵蚀，该速率大于基板的主动侵蚀速率至少2倍，较佳至少5倍，更佳至少10倍，最佳至少30倍。
24、在对微粒进行侵蚀操作形式的处理操作地情况下，有利的是，对微粒周围的基板进行尽可能小的侵蚀操作。因此，当分析单元在确定相配气体时考虑待移除微粒的环境中的基板的组成时，那么是有利的。
25、相配气体可包括用于以下群组中的至少一个元素的侵蚀速率：钌(ru)、氮化钽(tan)、二氧化硅(sio2)和moxsioynz，其中0≤x≤0.5，0≤y≤2且0≤z≤4/3，该速率小于至少一个单一微粒的侵蚀速率至少2倍，较佳至少5倍，更佳至少10倍，而最佳至少30倍。
26、该至少一个单一微粒可包括硅(si)，相配气体包括至少一种卤素且特别是卤素化合物，例如二氟化氙(xef2)。该至少一个单一微粒可包括一个或多个有机化合物，相配气体可以包括水蒸汽(h2o)。该至少一个单一微粒可包括锡(sn)，相配气体可至少包括氢气(h2)、至少一种氢化合物和/或亚硝酰氯(nocl)。
27、可使用水蒸汽和/或亚硝酰氯侵蚀气体以主动侵蚀主要成分包括锡的微粒。
28、根据本发明的装置还可包括至少一个粒子束，该粒子束用于引发第一相配气体的局部侵蚀反应，其对至少一个单一微粒进行侵蚀，和/或引发第二相配气体的局部沉积反应，其使材料沉积于至少一个单一微粒上。
29、在另一实施方式中，所述装置的粒子束可执行例如电子束诱导式侵蚀(ebie)操作和/或电子束诱导式沉积(ebid)操作。
30、该至少一个单一微粒可包括锡，该至少一个第一相配气体可含有下述所构成群组中至少一个元素：氢化合物，氢气(h2)，卤素化合物，氯化物，亚硝酰氯(nocl)。
31、含锡的微粒也可通过一粒子束诱导式侵蚀操作从基板移除，其中所选择的侵蚀气体是来自于上述列表中的至少一个元素。
32、显微系统的粒子束可与所述装置的粒子束和分析单元的粒子束完全相同。或者，显微系统、所述装置和分析单元可分别使用专用的粒子束。此外，此三个装置或单元中的其中两个可使用共同的粒子束。
33、该分析单元可设计为确定相配气体，该相配气体在处理至少一个单一微粒之前，在该至少一个单一微粒的环境中在基板上沉积一局部受限保护层。
34、该注气系统还可设计为在至少一个单一微粒周围沉积局部受限保护层。
35、分析单元可从包含以下的群组中选择用于沉积局部受限保护层的相配气体：金属羰基、过渡元素羰基、主族元素羰基、金属醇盐、过渡元素醇盐、主族元素醇盐和不饱和芳香烃。。
36、金属羰基、过渡元素羰基或者主族元素羰基可包括：六羰基铬(cr(co)6)，六羰基钼(mo(co)6)，六羰基钨(w(co)6)，八羰基二钴(co2(co)8)，十二羰基三钌(ru3(co)12)，五羰基铁(fe(co)5)。
37、金属醇盐、过渡元素醇盐或者主族元素醇盐可包括：正硅酸乙酯(teos，si(oc2h5)4)，异丙醇钛(ti(och(ch)3)2)4)。
38、不饱和芳香烃可包括苯乙烯。
39、该注气系统还可设计为间歇式提供相配气体的流量，以使至少一种粒子束可间歇地用于至少一个单一微粒的处理和成像。至少一种粒子束可以包括至少一种电子束。
40、该至少一个单一微粒可以包括钼(mo)，相配气体可以包括二氟化氙(xef2)。该至少一个单一微粒可包括硅(si)和/或钌(ru)，相配气体可以包括二氟化氙和水蒸汽(h2o)。该至少一个单一微粒可包括一个或多个有机材料及水，相配气体可以包括二氟化氙(xef2)。
41、该至少一个单一微粒可包括锡(sn)，相配气体可包括至少氢气(h2)和/或至少一种氢化合物。该至少一种氢化合物可以包括来自以下所构成的群组中的至少一个元素：氨(nh3)，氨基甲酸铵(h2ncoonh4)，碳酸铵((nh4)2co3)。
42、一种氢化合物可用于借助于局部粒子束诱导式侵蚀操作将锡微粒从基板移除。
43、所述装置还可包括：至少一个微操纵器单元，其设计为与至少一个单一微粒相互作用。
44、如上所述，可以借助于主动式或局部诱导式侵蚀操纵将存在于基板上的微粒移除。替代地，也可通过移动使微粒从基板移除。
45、显微系统可设计为使至少一个单一微粒在与至少一个微操纵器单元相互作用期间被成像。该至少一个微操纵器单元可设计为凭借后述至少一种力与至少一个单一微粒相互作用：范德华力、静电力和化学结合力。
46、本技术所描述的装置的优点在于微粒在被微操纵器单元加工期间可被成像。由此，一方面可促进棘手处理操作的执行，另一方面又可避免基板在处理操作中受到该微操纵器单元的损坏。
47、该至少一个微操纵器单元可包括至少一个l形的微操纵器或一组钳形式的微操纵器。
48、所述装置还可包括一移动件，该移动件设计为使微操纵器单元相对于至少一个单一微粒而移动。
49、该至少一个微操纵器单元设计为执行后述所构成的群组的至少一个：使基板上的至少一个单一微粒移动，使基板上的至少一个单一微粒粉碎，从基板抓取至少一个单一微粒。
50、该至少一个微操纵器单元可包括至少两个微操纵器，其设计为固定至少一个单一微粒。
51、该至少一种粒子束可设计为感应至少一个单一微粒的静电荷。该装置还可包括离子枪(读数电子枪)，该离子枪设计为感应至少一个单一微粒的静电荷。
52、该移动件可设计为将至少一个微操纵器单元在移除和/或处理至少一个单一微粒之前定位于该至少一个单一微粒附近，以使该微操纵器单元保护该至少一个单一微粒周围的基板至少部分免受该至少一个单一微粒的处理的任何影响。
53、通过微操纵器单元中的一个或多个微操纵器灵巧地定位于需被移除的单一微粒附近，可以至少部分防止处理操作影响微粒周围的基板。通过微操纵器单元的适当定位，可以例如在执行处理操作之前防止局部受限保护层设置在待移除微粒的周围。
54、该至少一个微操纵器单元可包含至少一个微操纵器，该至少一个微操纵器单元可设计为加热至少一个微操纵器。
55、该微操纵器单元可设计为电性加热至少一个微操纵器。该至少一种粒子束可设计为通过微操纵器和/或至少一个单一微粒上的能量沉积，加热至少一个微操纵器单元的至少一个微操纵器和/或至少一个单一微粒。
56、该至少一个微操纵器可设计为包含金属或金属合金，其与至少一个单一熔化的微粒形成合金。
57、如果待移除微粒的材料组成的熔点较低，而且该微操纵器单元的微操纵器也具有可与待移除微粒的材料形成合金的材料组成，那么该微粒通过与该微操纵器形成合金而可从基板移除。取决于单一微粒的大小和材料组成，在微操纵器对微粒的材料的抓取能力被耗尽之前，微操纵器可抓取多个微粒。
58、至少一个微操纵器可以包含铋(bi)、铋合金和/或铋涂层，而至少一个单一微粒的材料组成的至少一个成分可包含锡(sn)。
59、待移除微粒进入与微操纵器形成的合金是将含有低熔点金属的微粒从基板移除的另一种方式。
60、铋与锡的合金的材料组成可为铋40％与锡60％至铋58％与锡42％的范围。
61、该至少一个微操纵器可包含一碳结构，该碳结构抓取至少一个单一加热的微粒。该微操纵器的碳结构可以包括至少一个碳纳米管(cnt)或至少一个多壁碳纳米管(mwcnt)。该碳纳米管和/或该多壁碳纳米管可包含已加热的碳纳米管和/或已加热的多壁碳纳米管，以使至少一个单一微粒润湿。至少一个单一微粒可包含锡。有关碳纳米管作为扫描电子显微镜中测量探针的制作和使用，可参见以下文章：z.w.xu et al.:“carbon nanotube afmprobe technology”,https://doi.org/10.5772/17350。
62、碳纳米管可被电焊，因此碳纳米管对金属具有粘附作用。碳纳米管或已加热的碳纳米管因此可通过毛细管力的效应，从基板表面将含有低熔点金属的微粒抓取，尤其是含锡的微粒。
63、所述装置可包括一电压源，该电压源设计为在至少一个微操纵器与至少一个单一微粒之间产生电流，以在该单一微粒中引发电迁移。
64、该电压源可设计为调整电流极性，以使至少一个单一微粒的离子沿至少一个微操纵器单元的至少一个微操纵器的方向移动。至少一个微操纵器单元和/或至少一种粒子束可设计为将至少一个单一微粒在电流经过微粒期间另行加热。
65、所述装置还可包括一样品台，该样品台可设计为建立与基板的电性接触，并且还具有用于连接电压源的接口。
66、所述装置还可包括：注射系统，设计为用油覆盖至少一个单一微粒。该注射系统可被设计成可在处理微粒前用油覆盖至少一个单一微粒。
67、用油覆盖微粒具有后述两个优点：其一为用油覆盖微粒可在处理操作期间减少大气氧气影响微粒，其二为在待处理的微粒上形成油膜促使热传到微粒上。
68、该至少一种粒子束可设计为在给至少一个单一微粒提供相配气体之前，引发该至少一个单一微粒的静电荷，其中相配气体将材料沉积到微粒上。
69、待处理微粒的静电荷允许明确地将材料沉积到该待处理微粒上。将材料沉积到待移除的材料上会增加其表面积，从而便于微粒从基板移除。在最简单的情况下，借助于基板的清洁操作可将增大尺寸的微粒从基板移除。一般而言，可相对简单地通过微操纵器单元的一个或多个微操纵器使增大的微粒在基板表面上移动。
70、该分析单元可选择相配气体，该相配气体在至少一个单一微粒上的沉积速率大于在基板上的至少2倍，较佳至少5倍，更佳至少10倍，最佳至少30倍。此外，将诱导沉积操作的粒子束对准或扫描相配气体也是有利的。
71、该至少一个单一微粒可包括来自以下所构成的群组的其中一个：关于从基板移除呈现不稳定的微粒，包含两个或更多粒子碎片的微粒，包括粒子团聚物的微粒。该注气系统还可设计为在移除之前在至少一个单一微粒的环境中提供相配的气体，其使材料沉积到该至少一个单一微粒上。
72、如果从基板移除的微粒是不稳定的，包含多个微粒，或者包含小型微粒的局部团聚物，则有利的是在处理操作之前通过材料的沉积来稳定该微粒，使得已稳定的微粒可整体从基板移除。
73、该微操纵器单元还可设计为移除至少一个单一微粒的第一部分，且相配气体可以协助通过主动式侵蚀和/或粒子束诱导式侵蚀移除至少一个单一微粒的第二部分。
74、在通过微操纵器从基板表面提升一微粒时，基板表面上可能遗留着微粒残余物。对于基板表面遗留的微粒残余物，可在第二步骤中借助于主动式或粒子束诱导式侵蚀操作将其从基板移除。
75、该注气系统还可设计为在移除至少一个单一微粒后给该被移除的至少一个单一微粒的环境提供一重建气体，该重建气体至少部分消除在移除一个单一微粒期间所引起的基板损伤。
76、该重建气体至少包括后述所构成的群组的其中一个：金属羰基(例如：六羰基铬(cr(co)6))，正硅酸乙酯(teos，si(oc2h5)4)和二氧化氮(no2)。
77、该注气系统可设计为在移除至少一个单一微粒后给移除的至少一个单一微粒的环境提供钝化气体，该钝化气体在至少一个单一微粒的处理操作完毕后通过尚存的相配气体避免基板受损。
78、该钝化气体可包括至少后述所构成的群组的其中一个：水蒸汽(h2o)，二氧化氮(no2)，一氧化氮(no)，氧气(o2)，亚硝酰氯(nocl)和teos。
79、借助上述定义的装置的显微系统，可以检视由于微粒移除操作所产生的基板受损情况。借助于所述装置的分析单元和注气系统，一方面可以最小化损伤，另一方面又可在后续的修复或重建步骤中非常实质性地消除已在基板上出现的损伤。
80、在一个实施方式中，从基板(尤其是极紫外光光刻的光学元件)移除单一微粒的方法包括以下步骤：(a)确定至少一个单一微粒的材料组成的至少一个成分；(b)在至少一个单一微粒的环境中提供与该材料组成的特定成分相配的气体；(c)其中，相配气体有助于将至少一个单一微粒从基板移除。
81、用于移除至少一个单一微粒的方法还包括以下步骤：使用侵蚀气体执行粒子束诱导式侵蚀操作以移除至少一个第一单一微粒，然后确定至少一个第二单一微粒的材料组成的至少一个成分。该侵蚀气体可包含二氟化氙(xef2)。此外，该侵蚀气体可包括添加气体，例如氧气(o2)。
82、根据本发明的移除方法可执行为二阶段操作。在第一程序步骤，通过执行常规的ebie操作，通过执行局部粒子束诱导式侵蚀操作来移除基板上现存的微粒的第一部分。在第二程序步骤，借助于分析单元至少部分确定剩余的微粒第二部分的材料组成。接着，借助于一种或多种相配气体执行一主动式和/或粒子束诱导式侵蚀操作将微粒的第二部分从基板移除。
83、一种计算机程序，其包括指令，当由计算机程序执行指令时，该指令使根据上述任一指定方面的装置执行上述方法的方法步骤。
1.一种用于从基板(310)移除至少一个微粒(320)的方法(2000)，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，包含：
3.根据权利要求1或2所述的方法，包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，确定与所述材料组合物的至少一个成分相配的气体至少部分地基于有助于移除所述至少一个微粒(320)的装置的信息。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括使用材料数据库来确定与所述至少一个微粒(320)的材料组成的确定的至少一个成分相配的气体。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述相配的气体主动侵蚀所述至少一个微粒(320)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个微粒(320)包括以下中的至少一个：纯金属、金属合金、氧化物、卤化物、氮化物、硫化物、磷化物、盐或有机化合物。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个微粒(320)包括以下中的至少一个：锡(sn)，并且所述相配的气体包括以下构成的群组中的至少一个元素：氢化合物，氢气(h2)，卤素化合物或亚硝酰氯；钼，并且所述相配的气体包括二氟化氙(xef2)；硅(si)和/或钌(ru)，并且所述相配的气体包括二氟化氙(xef2)和水蒸汽(h2o)；或一个或多个有机材料及水，并且所述相配的气体包括二氟化氙(xef2)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个微粒(320)包括以下构成的群组中的元素：关于从所述基板(310)移除不稳定的微粒(320)，包含两个或更多微粒碎片(1620，1630)的微粒(320)，或包括粒子团聚物的微粒(320)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个微粒(320)的直径在1纳米至100微米的范围内。
11.一种用于从基板(310)移除至少一个微粒(320)的方法(2000)，该方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，包括：
13.根据权利要求11或12所述的方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，关于所述检测的次级电子的所述第一信息包括所述次级电子的能谱。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，包括：
16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法，还包括确定与所述至少一个微粒(320)的材料组成的确定的至少一个成分相配的气体。
17.一种用于从基板(310)移除至少一个微粒(320)的方法(2000)，该方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，包括：
19.一种计算机程序产品，具有指令，用于引起计算机系统执行如权利要求1至18所述的步骤中的任一项。
