本公开主要涉及一种半导体结构的制造方法，特别涉及一种应用光刻设备的半导体结构的制造方法。
背景技术：
1、半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置基本上依序经由沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料至一晶片、以及使用光刻技术图案化多种材料层来形成电路组件以及元件于其上而被制造。许多集成电路一般制造于一单一晶片，且晶片上个别的管芯于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的管芯基本上被分别的封装于一多芯片模块或是其他类型的封装。
2、由于半导体工艺的尺寸的小型化的要求，于光刻设备中采用了极紫外线作为曝光工艺中的光源，以使晶片上的光致抗蚀剂形成半导体工艺所需的图案。
3、然而，虽然目前使用极紫外线作为曝光工艺中的光源的光刻设备符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供光刻设备的改进方案。
技术实现思路
1、本公开提供了一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发区域以照射该标的，其中该脉冲激光具有大于该第一功率的一第二功率，以激发雾状该标的成为等离子体并发射极紫外线；以及将该极紫外线经由一光掩模导向至一晶片，以对该晶片进行一光刻工艺。
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
