本发明涉及电声换能，特别涉及一种发声装置和电子设备。
背景技术：
1、近年来，如手机、vr设备等消费类电子产品得到快速发展，发声装置是消费类电子产品中重要的电声换能部件，其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛地应用。随着用户对电子产品的隐私性和私密通话的要求越来越高，采用dps扬声器作为发声装置的电子产品也越受青睐，dps扬声器采用双面发声的方式，能有效降低产品的漏音，提升私密通话的有效性，又可以保持较高水准的立体声外放，具有较好的产品性能。
2、相关技术中，随着对电子产品轻薄化要求的提高，电子产品中用于安装发声装置的装配空间越来越小，为了满足在狭小空间的安装需求，会采用将发声装置的磁铁减薄、音圈高度变小等方式使发声装置的厚度减薄。但是这种设置方式，又会导致扬声器的磁感应强度减弱，产品的磁能积降低，从而导致产品的bl值减小，产品性能降低。
技术实现思路
1、本发明的主要目的是提出一种发声装置和电子设备，旨在通过设置具有海尔贝克磁路的辅助磁路组件，增大发声装置的剩余磁化强度，增大发声装置的bl值。保证发声装置双面振动性能相当，从而实现产品轻薄化设计的需求。
2、为实现上述目的，本发明提出的发声装置，包括：
3、磁路系统，所述磁路系统背对设置的两侧分别设有第一磁间隙和第二磁间隙；
4、第一振动系统，第一振动系统包括第一振膜组件和连接于所述第一振膜组件的第一音圈组件，所述第一音圈组件与所述第一磁间隙对应设置；
5、第二振动系统，设于所述磁路系统的背离所述第一振动系统的一侧，所述第二振动系统包括第二振膜组件和与所述第二振膜组件连接的第二音圈组件，所述第二音圈组件与所述第二磁间隙对应设置，第一音圈组件的音圈数量与第二音圈组件的音圈数量相同；及
6、前盖，所述前盖设于所述第一振膜组件的背离所述磁路系统的一侧，所述前盖和所述第一振膜组件之间形成振动空间；
7、所述前盖上设有辅助磁路组件，所述辅助磁路组件形成作用于所述第一音圈组件的辅助磁场，所述辅助磁路组件包括多个形成海尔贝克阵列的子磁铁，所述辅助磁路组件的磁场加强侧位于其靠近所述第一振膜组件的一侧。
8、在一实施方式中，所述辅助磁路组件设于所述前盖面向所述第一振膜组件的一侧；
9、和/或，所述辅助磁路组件设于所述前盖背离所述第一振膜组件的一侧；
10、和/或，所述前盖中设有安装腔，所述辅助磁路组件设于所述安装腔内。
11、在一实施方式中，所述第一振动系统和所述第二振动系统均沿第一方向振动，多个所述子磁铁沿与所述第一方向垂直的第二方向依次排列；
12、其中，多个所述子磁铁包括沿所述第二方向依次排布的第一磁铁、第二磁铁及第三磁铁，所述第一磁铁和所述第三磁铁均沿所述第一方向充磁且充磁方向相反，所述第二磁铁沿所述第二方向朝向靠近所述第一磁铁的方向充磁；
13、或，多个所述子磁铁包括沿所述第二方向依次排布的第一磁铁、第二磁铁及第三磁铁，所述第一磁铁和所述第三磁铁均沿所述第二方向朝向靠近所述第二磁铁的方向充磁且充磁方向相反，所述第二磁铁沿所述第一方向朝向靠近所述第一振膜组件的方向充磁；
14、或，多个所述子磁铁包括沿所述第二方向依次排布的第一磁铁、第二磁铁、第三磁铁、第四磁铁及第五磁铁，所述第一磁铁、所述第三磁铁和所述第五磁铁均沿所述第一方向充磁，所述第一磁铁与所述第五磁铁的充磁方向相同且均与所述第三磁铁的充磁方向相反，所述第三磁铁沿所述第一方向朝向远离所述第一振膜组件的方向充磁，所述第二磁铁与所述第四磁铁均沿所述第二方向朝向远离所述第三磁铁的方向充磁且充磁方向相反。
15、在一实施方式中，所述辅助磁路组件包括两组由多个所述子磁铁组成的所述海尔贝克阵列，两组所述海尔贝克阵列位于所述第一音圈组件的相对两侧；
16、和/或，所述第一音圈组件具有多个首尾连接的连接边，所述辅助磁路组件包括多组由多个所述子磁铁组成的所述海尔贝克阵列，多组所述海尔贝克阵列与多个所述连接边一一对应设置。
17、在一实施方式中，所述第一振动系统和所述第二振动系统均沿第一方向振动，所述第一音圈组件和所述第二音圈组件分别设有一个音圈，沿所述第一方向，所述第一音圈组件的延伸高度小于所述第二音圈组件的延伸高度；
18、和/或，所述第一音圈组件和所述第二音圈组件分别设有一个音圈，所述第一音圈组件的音圈线长度小于所述第二音圈组件的音圈线长度。
19、在一实施方式中，所述磁路系统包括：
20、中心磁铁；
21、环形磁铁，所述环形磁铁环绕所述中心磁铁设置，并与所述中心磁铁间隔设置形成所述第一磁间隙；及
22、边磁铁，所述边磁铁位于所述环形磁铁周侧，并与所述环形磁铁间隔设置形成所述第二磁间隙。
23、在一实施方式中，所述磁路系统还包括：
24、第一中心导磁件，所述中心磁铁设于所述第一中心导磁件背对所述第一振动系统的一侧；和
25、第一边导磁件，环绕所述第一中心导磁件设置，所述环形磁铁和所述边磁铁设于所述第一边导磁件背对所述第一振动系统的一侧，所述中心磁铁、所述第一中心导磁件、所述环形磁铁以及所述第一边导磁件共同围合形成所述第一磁间隙；
26、其中，所述第一边导磁件的朝向所述环形磁铁的一侧设有凸起部，所述凸起部的轮廓与所述环形磁铁的轮廓适配，所述环形磁铁设于所述凸起部，所述边磁铁设于所述凸起部周侧，并与所述凸起部间隔设置。
27、在一实施方式中，所述第一振膜组件包括第一振膜和设于所述第一振膜的第一补强件；
28、其中，所述第一补强件朝向所述第一音圈组件的表面凸设有第一连接部，所述第一连接部的轮廓与所述第一音圈组件的轮廓适配并与所述第一音圈组件连接；
29、和/或，所述第一补强件的朝向所述辅助磁路组件的一侧设有凹陷部，所述辅助磁路组件与所述凹陷部对应设置。
30、在一实施方式中，所述第二振膜组件包括第二振膜和设于所述第二振膜的第二补强件，所述第二补强件的朝向所述第二音圈组件的一侧设有第二连接部，所述第二连接部与所述第二音圈组件的一端连接。
31、在一实施方式中，所述发声装置还包括设于所述第一振膜组件和所述磁路系统之间的第一连接支架，所述第一连接支架沿第一振膜组件的周向环绕设置，并分别与所述第一振膜组件和所述磁路系统连接；
32、和/或，所述发声装置还包括设于所述第二振膜组件和所述磁路系统之间的第二连接支架，所述第二连接支架沿第二振膜组件的周向环绕设置，并分别与所述第二振膜组件和所述磁路系统连接。
33、在一实施方式中，所述发声装置包括模组壳体，所述模组壳体包括相互盖合的模组上壳和模组下壳，所述模组上壳形成为所述前盖，所述模组上壳和所述模组下壳围合形成安装空间，所述磁路系统、所述第一振动系统及所述第二振动系统均设于所述安装空间内。
34、本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括如前述任一实施例中所述的发声装置。
35、本发明的技术方案，在磁路系统的两侧分别设置第一振动系统和第二振动系统以实现双面振膜振动发声的效果；同时在位于第一振动系统背向磁路系统的一侧的前盖或模组上壳上设置辅助磁路组件，使第一音圈组件可以受到磁路系统和辅助磁路组件的作用，增大第一振动系统一侧的剩余磁化强度，以提高发声装置的磁感应强度，使第一振动系统一侧磁能积增大，由此，可以在满足产品bl值要求的前提下，对磁路系统进行减薄设计或对第一音圈组件的高度进行降低设置，由此可以实现发声装置的薄型化设计。并且，上述设计还可以减小磁路系统两侧的第一振动系统和第二振动系统的bl差异，使第一振动系统和第二振动系统的性能差异较小，有效降低产品的漏音，提升私密通话的有效性。
36、辅助磁路组件中由多个子磁铁组合形成海尔贝克阵列的磁体结构，并且辅助磁路组件朝向第一振动系统的一侧为其磁场加强侧；如此设置，更有效地提高了发声装置的磁能积，从而可以提高发声装置的灵敏度，有效提升产品性能。
1.一种发声装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述辅助磁路组件设于所述前盖面向所述第一振膜组件的一侧；
3.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动系统和所述第二振动系统均沿第一方向振动，多个所述子磁铁沿与所述第一方向垂直的第二方向依次排列；
4.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述辅助磁路组件包括两组由多个所述子磁铁组成的所述海尔贝克阵列，两组所述海尔贝克阵列位于所述第一音圈组件的相对两侧；
5.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动系统和所述第二振动系统均沿第一方向振动，所述第一音圈组件和所述第二音圈组件分别设有一个音圈，沿所述第一方向，所述第一音圈组件的延伸高度小于所述第二音圈组件的延伸高度；
6.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统包括：
7.如权利要求6所述的发声装置，其特征在于，所述磁路系统还包括：
8.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一振膜组件包括第一振膜和设于所述第一振膜的第一补强件；
9.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第二振膜组件包括第二振膜和设于所述第二振膜的第二补强件，所述第二补强件的朝向所述第二音圈组件的一侧设有第二连接部，所述第二连接部与所述第二音圈组件的一端连接。
10.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置还包括设于所述第一振膜组件和所述磁路系统之间的第一连接支架，所述第一连接支架沿第一振膜组件的周向环绕设置，并分别与所述第一振膜组件和所述磁路系统连接；
11.如权利要求1至10中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置包括模组壳体，所述模组壳体包括相互盖合的模组上壳和模组下壳，所述模组上壳形成为所述前盖，所述模组上壳和所述模组下壳围合形成安装空间，所述磁路系统、所述第一振动系统及所述第二振动系统均设于所述安装空间内。
12.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至11任一项中所述的发声装置。
