本申请涉及存储器，尤其涉及一种一次性可编程器件。
背景技术：
1、在当前的半导体技术中，一次性可编程器件(one time programmable，otp)作为非易失性存储解决方案的关键组成部分，被广泛应用于各种集成电路中，用于存储固定配置数据、校准参数、安全密钥等。
2、现有的技术方案主要依赖于两种机制：熔丝技术和反熔丝技术。然而，这两种现有技术在特殊工艺平台下，如bcd(bipolar-cmos-dmos)工艺、ehv(enhanced high voltage)工艺等，面临着严峻的挑战。首先，要在这些工艺平台上实现一次性可编程器件，往往需要重新开发器件工艺，或对现有工艺进行微调，这不仅增加了制造的复杂性和成本，而且随着工艺节点的不断缩小，实现难度呈指数级增长。其次，现有的熔丝和反熔丝技术实现的器件尺寸相对较大，这在追求高密度集成的现代半导体制造中成为一个显著的瓶颈。
技术实现思路
1、本公开提供一种一次性可编程器件，以至少解决相关技术中要在工艺平台上实现一次性可编程器件，往往需要重新开发器件工艺，或对现有工艺进行微调的问题。
2、本申请第一方面实施例提出了一种一次性可编程器件，包括：第一金属层、第二金属层、第一连接组件、第二连接组件和非易失性存储器；其中，非易失性存储器的一端通过第一连接组件与第一金属层连接，非易失性存储器的另一端通过第二连接组件与第二金属层连接。
3、根据本申请的一个实施例，第一金属层与第二金属层为相邻的金属层。
4、根据本申请的一个实施例，非易失性存储器采用阻变随机存取存储器。
5、根据本申请的一个实施例，阻变随机存取存储器的初始状态为高阻态，在激励完成之后，阻变随机存取存储器转化为低阻态。
6、根据本申请的一个实施例，非易失性存储器采用相变随机存储器。
7、根据本申请的一个实施例，非易失性存储器采用磁性随机存储器。
8、根据本申请的一个实施例，非易失性存储器采用铁电存储器。
9、根据本申请的一个实施例，在对一次性可编程器件进行初始化时，若一次性可编程器件对应的存储数值为预设存储数值，对一次性可编程器件施加激励以改变一次性可编程器件内的非易失性存储器的状态，并在激励完成之后，停止施加激励。
10、根据本申请的一个实施例，预设存储数值为1。
11、本申请第二方面实施例提出了一种芯片，包括如第一方面实施例的一次性可编程器件。
12、本公开的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：本申请提出的一次性可编程器件，能够在一些特殊工艺平台下如bcd工艺、ehv工艺等，在对前道工艺无影响的情况下实现一种一次性可编程器件，芯片面积更小，编程功耗更低，同时可以支持特殊工艺平台工艺节点的迭代。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
1.一种一次性可编程器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层为相邻的金属层。
3.根据权利要求2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述非易失性存储器采用阻变随机存取存储器。
4.根据权利要求3所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述阻变随机存取存储器的初始状态为高阻态，在激励完成之后，所述阻变随机存取存储器转化为低阻态。
5.根据权利要求2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述非易失性存储器采用相变随机存储器。
6.根据权利要求2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述非易失性存储器采用磁性随机存储器。
7.根据权利要求2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述非易失性存储器采用铁电存储器。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的一次性可编程器件，其特征在于，在对所述一次性可编程器件进行初始化时，若所述一次性可编程器件对应的存储数值为预设存储数值，对所述一次性可编程器件施加激励以改变所述一次性可编程器件内的非易失性存储器的状态，并在激励完成之后，停止施加激励。
9.根据权利要求8所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述预设存储数值为1。
10.一种芯片，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-9中任一项所述的一次性可编程器件。
