本申请涉及芯片测试，尤其涉及一种存储芯片的筛选方法及装置、计算机程序产品。
背景技术：
1、擦写能力是衡量存储芯片质量的重要指标，随着存储芯片在物联网、5g通信等领域的广泛应用，对擦写能力的要求也越来越高。因此，如何准确筛除擦写能力不佳的芯片对提升产品良率十分重要。
技术实现思路
1、本申请提供存储芯片的筛选方法及装置、计算机程序产品，以准确筛除擦鞋能力不足的存储芯片，从而提升产品良率。
2、第一方面，本申请提供一种存储芯片的筛选方法，包括：
3、调整所述存储芯片中目标存储单元的电压参数；
4、基于调整后的所述电压参数对所述存储芯片进行重复擦写操作；
5、当所述擦写操作达到预设次数时，获取所述存储芯片的写入深度参数；
6、当所述写入深度参数位于预设范围内时，将所述存储芯片作为良品保留。
7、本申请实施例通过调整存储芯片中目标存储单元的电压参数实现加严筛选，将容易在擦写次数增加时发生数据错误的存储芯片筛除，从而提升产品良率。
8、在一种实现中，所述的调整所述存储芯片中目标存储单元的电压参数，包括：提高所述目标存储单元的所述栅极电压的绝对值；和/或，提高所述目标存储单元的所述位线电压。本申请实施例通过以上方式增加目标存储单元的位线电压和栅极电压之间的电压差的绝对值，该电压差的绝对值增强时会导致存储芯片在擦写时抗干扰的能力下降，即擦除或写入数据发生错误，随着擦写次数的增加，这种抗干扰能力的下降会不断累积，最终导致存储芯片的擦写能力不足。本申请实施例通过增大该电压差的绝对值，使得存储芯片处于容易发生擦写或写入数据错误的测试环境中，以便于筛选出能够抵抗干扰的存储芯片。
9、在一种实现中，所述的基于调整后的所述电压参数对所述存储芯片进行擦写操作，包括：根据调整后的所述电压参数对所述第一存储单元施加测试电压；擦除所述存储芯片中的第一数据；并反复向所述存储芯片写入第二数据，直到写入所述第二数据的次数达到所述预设次数。本申请实施例在擦除存储芯片中的数据后，通过反复向存储芯片全片写入相同数据来对存储芯片施加干扰，以筛选出擦写能力较佳的存储芯片。
10、在一种实现中，所述第二数据为0xff。
11、在一种实现中，所述存储芯片包括非易失闪存芯片。
12、第二方面，本申请提供一种存储芯片的筛选装置，包括：
13、电压调整单元，用于调整所述存储芯片中目标存储单元的电压参数；
14、数据擦写单元，用于基于调整后的所述电压参数对所述存储芯片进行重复擦写操作；
15、写入深度获取单元，用于当所述擦写操作达到预设次数时，获取所述存储芯片的写入深度参数；
16、筛选单元，用于当所述写入深度参数位于预设范围内时，将所述存储芯片作为良品保留。
17、在一种实现中，调整单元用于提高所述目标存储单元的所述栅极电压的绝对值；和/或，提高所述目标存储单元的所述位线电压。
18、在一种实现中，所述数据擦写单元用于根据调整后的所述电压参数对所述第一存储单元施加测试电压；还用于擦除所述存储芯片；并反复向所述存储芯片写入全1数据，直到写入所述全1数据的次数达到所述预设次数。
19、第三方面，本申请提供一种存储芯片的筛选装置，包括处理器，用于调用存储器存储的指令，所述指令被所述处理器调用时，使得所述处理器执行以上第一方面提供的任一项所述的筛选方法。
20、第四方面，本申请提供一种计算机程序产品，包括指令，其中，所述指令在被处理器执行时，以上第一方面中任一项所述的筛选方法被执行。
1.一种存储芯片的筛选方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的筛选方法，其特征在于，所述的调整所述存储芯片中目标存储单元的电压参数，包括：
3.根据权利要求1-2任一项所述的筛选方法，其特征在于，所述的基于调整后的所述电压参数对所述存储芯片进行擦写操作，包括：
4.根据权利要求3所述的筛选方法，其特征在于，所述第二数据为0xff。
5.根据权利要求1-4任一所述的筛选方法，其特征在于，所述存储芯片包括非易失闪存芯片。
6.一种存储芯片的筛选装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的筛选装置，其特征在于，调整单元用于提高所述目标存储单元的所述栅极电压的绝对值；和/或，提高所述目标存储单元的所述位线电压。
8.根据权利要求6-7任一所述的筛选装置，其特征在于，所述数据擦写单元用于根据调整后的所述电压参数对所述第一存储单元施加测试电压；还用于擦除所述存储芯片；并反复向所述存储芯片写入全1数据，直到写入所述全1数据的次数达到所述预设次数。
9.一种存储芯片的筛选装置，其特征在于，包括处理器，用于调用存储器存储的指令，所述指令被所述处理器调用时，使得所述处理器执行如权利要求1-5任一项所述的筛选方法。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，包括指令，其中，所述指令在被处理器执行时，如权利要求1-6任一项所述的筛选方法被执行。
