本发明涉及euv光刻过程中的抗蚀剂的图案化。实施例应用电场，在抗蚀剂上执行euv曝光过程时，该电场定向地影响抗蚀剂中的二次电子运动。实施例可以提高euv曝光过程的性能，和/或可以降低euv曝光过程所需的剂量。
背景技术：
1、光刻设备是一种构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于制造集成电路（ic）等。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。
2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了能够在衬底上形成的特征的最小尺寸。相较于使用例如波长为193 nm的辐射的光刻设备，使用波长在4 nm 至20 nm的范围内（例如，6.7 nm或13.5 nm）的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
3、普遍期望通过euv辐射来改进图案化过程。
技术实现思路
1、根据本发明的第一方面，提供了一种用于euv曝光过程的衬底支撑装置，所述衬底支撑装置包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件被布置为支撑衬底；以及电源装置，所述电源装置被配置为当所述衬底被euv辐射照射时在所述衬底中产生交变电场。
2、根据本发明的第二方面，提供了一种用于euv曝光过程的曝光过程装置，所述曝光过程装置包括：根据第一方面所述的衬底支撑装置；壁，所述壁具有被布置为用于使euv辐射穿过的一个或更多个开口；以及照射区域，所述照射区域被限定于所述壁和所述衬底支撑装置之间；其中，所述照射区域包括氢，使得当euv辐射穿过所述照射区域时在所述照射区域中产生等离子体；并且当在所述照射区域中存在等离子体时，所述等离子体在所述衬底支撑装置和所述壁之间提供导电路径。
3、根据本发明的第三方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括根据第一方面所述的衬底支撑装置，或者根据第二方面所述的曝光过程装置。
4、根据本发明的第四方面，提供了一种用于euv曝光过程中的方法，所述方法包括：利用euv束照射衬底；以及当所述衬底被照射时，在所述衬底上施加交变电场。
5、根据本发明的第五方面，提供了一种方法，所述方法包括：根据第四方面所述的方法，在衬底上执行euv曝光过程；以及在经曝光的衬底上执行显影过程。
6、根据本发明的第六方面，提供了一种根据第五方面所述的方法制造的器件。
1.一种用于euv曝光过程的衬底支撑装置，所述衬底支撑装置包括：
2.根据权利要求1所述的衬底支撑装置，其中，所述交变电场的方向基本上正交于所述衬底的主表面。
3.根据权利要求1或2所述的衬底支撑装置，其中，所述交变电场的方向基本上垂直于被照射的衬底表面。
4.根据任一项前述权利要求所述的衬底支撑装置，还包括电极；
5.根据权利要求4所述的衬底支撑装置，其中，所述电极被包含在所述衬底支撑件中。
6.根据权利要求4或5所述的衬底支撑装置，其中，所述电源装置包括：
7.根据权利要求4至6中的任一项所述的衬底支撑装置，还包括dc电源路径，所述dc电源路径被配置为将dc偏压分量施加到聚焦环；和/或
8.根据权利要求7所述的衬底支撑装置，其中，所述dc偏压分量是负的。
9.根据权利要求6或从属于权利要求6的任一项权利要求所述的衬底支撑装置，其中，至少一个波形发生器被配置为产生是基本上矩形的波的波形。
10.根据权利要求9所述的衬底支撑装置，其中，所述基本上矩形的波包括：
11.根据权利要求9或10所述的衬底支撑装置，其中，所述基本上矩形的波的占空比为0.2或更小。
12.根据权利要求6或从属于权利要求6的任一项权利要求所述的衬底支撑装置，其中，至少一个波形发生器被配置为产生正弦波形。
13.根据权利要求6或从属于权利要求6的任一项权利要求所述的衬底支撑装置，其中，至少一个波形发生器是可控的，使得当由所述衬底支撑件支撑具有抗蚀剂的衬底时，能够根据所述抗蚀剂的性质来控制所述波形的性质。
14.一种用于euv曝光过程的曝光过程装置，所述曝光过程装置包括：
15.根据权利要求14所述的曝光过程装置，其中，所述壁被接地或者所述壁也被施加有dc电压而被偏压。
16.根据权利要求14或15所述的曝光过程装置，其中，所述壁平行于衬底的表面。
17.一种光刻设备，包括：根据权利要求1至13中的任一项所述的衬底支撑装置，或根据权利要求14至16中的任一项所述的曝光过程装置。
18.一种用于euv曝光过程中的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述交变电场的方向基本上正交于所述衬底的主表面。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述交变电场的方向基本上垂直于被照射的表面。
21.根据权利要求18至20中的任一项所述的方法，还包括：通过向电极施加电压波形来产生所述交变电场。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述电压波形是基本上矩形的波。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述基本上矩形的波包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述基本上矩形的波的占空比为0.2或更小。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述电压波形是正弦的。
26.根据权利要求21至25中的任一项所述的方法，还包括：根据所述衬底上的抗蚀剂层的性质来控制所述电压波形。
27.一种方法，包括：
28.一种根据权利要求27所述的方法制造的器件。
