本实用新型涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种低频项目超强容性耦合结构。
背景技术：
在传统滤波器的电容耦合结构设计多采用哑铃式结构实现客户的带外抑制等指标，但在遇到频率比较低，带外抑制比较严的情况下哑铃式结构由于高度的限制无法满足指标需求时便会增大哑铃的结构以减小与谐振柱侧壁之间的距离来满足指标要求，此种结构往往会哑铃非常大，加工成本以及加工难度会提高，而且还会导致与谐振柱侧壁距离非常近进而加严装配公差导致工艺很难管控，而且由于距离较近很容易引起功率不够出现打火等情况，本设计为了满足客户指标而设计的一种超强电容结构，结构不但可解决调试问题还可节省成本增加产品稳定性等特点还可缩短设计时间提升产品竞争力。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中的不足，而提出的一种低频项目超强容性耦合结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种低频项目超强容性耦合结构，包括滤波器本体、谐振器，所述谐振器固定连接在滤波器本体内，所述滤波器本体内部设有安装台，所述安装台顶部固定连接有介质支撑件，所述介质支撑件上设有连接孔，所述介质支撑件上通过塑料螺钉连接有电容耦合铜片，所述电容耦合铜片主要由连接片和两个弧形卡片组成，两个所述弧形卡片分别连接在连接片的两端，且所述连接片和两个弧形卡片为一体成型，所述连接片上设有与塑料螺钉对应的通孔，两个所述弧形卡片均与谐振器之间留有间隙。
优选的，所述滤波器本体包括腔体、盖板，所述盖板通过盖板固定螺钉连接在腔体的顶部，所述腔体顶部设有与盖板固定螺钉对应的螺孔，所述腔体侧壁分别连接有输入组件和输出组件，所述安装台固定连接在腔体内且与腔体为一体成型。
优选的，所述谐振器的数量为四个，且其均匀分布在腔体内。
优选的，所述盖板顶部连接有与谐振器对应的调谐螺钉。
优选的，所述输入组件包括输入接头和输入耦合铜片，所述输入接头通过接头固定螺钉a连接在腔体的侧壁，所述输入耦合铜片的一端与输入接头相连，所述输入耦合铜片的另一端与谐振器相连；
所述输出组件包括输出接头和输出耦合铜片，所述输出接头通过接头固定螺钉b连接在腔体的侧壁，所述输出耦合铜片的一端与输出接头相连，所述输出耦合铜片的另一端与谐振器相连。
与现有技术相比，本实用新型提供了一种低频项目超强容性耦合结构，具备以下有益效果：目前“哑铃式”电容结构，增强容性耦合的方法如下：1、加大哑铃的圆盘尺寸，从而增加与谐振柱侧壁的耦合面来增强耦合；2、增加哑铃的总长度以缩短哑铃与谐振柱侧面的距离来增强耦合；但是第一种方式中哑铃越大支撑件就要向下挪，耦合也随之变弱；第二种方式中距离变小之后功率会缩小，产品承受功率会大幅度缩小，因此本设计通过谐振器的法兰盘底面与电容耦合铜片进行容性空间耦合，可通过耦合面的面积进行耦合量的控制也可根据既定的形状通过与谐振柱法兰盘底面的距离来控制耦合量，此结构可轻松实现低频项目的超强容性耦合指标并且稳定性与一致性很容易控制，适合大批量生产等优点。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构的结构示意图一；
图2为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构的结构示意图二；
图3为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构的结构示意图三；
图4为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构的俯视图；
图5为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构的内部结构示意图；
图6为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构图5中a-a的剖面图；
图7为本实用新型提出的一种低频项目超强容性耦合结构中电容耦合铜片的结构示意图。
图中：1、腔体；101、螺孔；2、盖板；3、盖板固定螺钉；4、调谐螺钉；5、输入接头；6、接头固定螺钉a；7、输出接头；8、接头固定螺钉b；9、输入耦合铜片；10、安装台；11、输出耦合铜片；12、通孔；13、电容耦合铜片；131、连接片；132、弧形卡片；14、塑料螺钉；15、介质支撑件；16、谐振器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
参照图1-7，一种低频项目超强容性耦合结构，包括滤波器本体、谐振器16，谐振器16固定连接在滤波器本体内，滤波器本体内部设有安装台10，安装台10顶部固定连接有介质支撑件15，介质支撑件15上设有连接孔，介质支撑件15上通过塑料螺钉14连接有电容耦合铜片13，电容耦合铜片13主要由连接片131和两个弧形卡片132组成，两个弧形卡片132分别连接在连接片131的两端，且连接片131和两个弧形卡片132为一体成型，连接片131上设有与塑料螺钉14对应的通孔12，两个弧形卡片132均与谐振器16之间留有间隙。
滤波器本体包括腔体1、盖板2，盖板2通过盖板固定螺钉3连接在腔体1的顶部，腔体1顶部设有与盖板固定螺钉3对应的螺孔101，腔体1侧壁分别连接有输入组件和输出组件，安装台10固定连接在腔体1内且与腔体1为一体成型。
谐振器16的数量为四个，且其均匀分布在腔体1内。
盖板2顶部连接有与谐振器16对应的调谐螺钉4。
输入组件包括输入接头5和输入耦合铜片9，输入接头5通过接头固定螺钉a6连接在腔体1的侧壁，输入耦合铜片9的一端与输入接头5相连，输入耦合铜片9的另一端与谐振器16相连；
输出组件包括输出接头7和输出耦合铜片11，输出接头7通过接头固定螺钉b8连接在腔体1的侧壁，输出耦合铜片11的一端与输出接头7相连，输出耦合铜片11的另一端与谐振器16相连。
有益效果：目前“哑铃式”电容结构，增强容性耦合的方法如下：1、加大哑铃的圆盘尺寸，从而增加与谐振柱侧壁的耦合面来增强耦合；2、增加哑铃的总长度以缩短哑铃与谐振柱侧面的距离来增强耦合；但是第一种方式中哑铃越大支撑件就要向下挪，耦合也随之变弱；第二种方式中距离变小之后功率会缩小，产品承受功率会大幅度缩小，因此本设计通过谐振器16的法兰盘底面与电容耦合铜片13进行容性空间耦合，可通过耦合面的面积进行耦合量的控制也可根据既定的形状通过与谐振柱法兰盘底面的距离来控制耦合量，此结构可轻松实现低频项目的超强容性耦合指标并且稳定性与一致性很容易控制，适合大批量生产等优点。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
1.一种低频项目超强容性耦合结构，包括滤波器本体、谐振器（16），所述谐振器（16）固定连接在滤波器本体内，其特征在于，所述滤波器本体内部设有安装台（10），所述安装台（10）顶部固定连接有介质支撑件（15），所述介质支撑件（15）上设有连接孔，所述介质支撑件（15）上通过塑料螺钉（14）连接有电容耦合铜片（13），所述电容耦合铜片（13）主要由连接片（131）和两个弧形卡片（132）组成，两个所述弧形卡片（132）分别连接在连接片（131）的两端，且所述连接片（131）和两个弧形卡片（132）为一体成型，所述连接片（131）上设有与塑料螺钉（14）对应的通孔（12），两个所述弧形卡片（132）均与谐振器（16）之间留有间隙。
2.根据权利要求1所述的一种低频项目超强容性耦合结构，其特征在于，所述滤波器本体包括腔体（1）、盖板（2），所述盖板（2）通过盖板固定螺钉（3）连接在腔体（1）的顶部，所述腔体（1）顶部设有与盖板固定螺钉（3）对应的螺孔（101），所述腔体（1）侧壁分别连接有输入组件和输出组件，所述安装台（10）固定连接在腔体（1）内且与腔体（1）为一体成型。
3.根据权利要求2所述的一种低频项目超强容性耦合结构，其特征在于，所述谐振器（16）的数量为四个，且其均匀分布在腔体（1）内。
4.根据权利要求3所述的一种低频项目超强容性耦合结构，其特征在于，所述盖板（2）顶部连接有与谐振器（16）对应的调谐螺钉（4）。
5.根据权利要求2或3或4所述的一种低频项目超强容性耦合结构，其特征在于，所述输入组件包括输入接头（5）和输入耦合铜片（9），所述输入接头（5）通过接头固定螺钉a（6）连接在腔体（1）的侧壁，所述输入耦合铜片（9）的一端与输入接头（5）相连，所述输入耦合铜片（9）的另一端与谐振器（16）相连；
所述输出组件包括输出接头（7）和输出耦合铜片（11），所述输出接头（7）通过接头固定螺钉b（8）连接在腔体（1）的侧壁，所述输出耦合铜片（11）的一端与输出接头（7）相连，所述输出耦合铜片（11）的另一端与谐振器（16）相连。
技术总结